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公开(公告)号：CN101609735B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200910089459.2
申请日：2009-07-21
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种以Si3N4为内核、SiO2为外壳的Si3N4/SiO2同轴纳米电缆阵列的高纯度、高密度、高产率的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用热解有机前驱体在镀有金属催化剂的基片上合成Si3N4/SiO2同轴纳米电缆阵列。含有步骤(1)高含氮量的聚硅氮烷在160-300℃下的低温交联固化，得到半透明的非晶SiCN固体；(2)交联固化后的非晶SiCN固体在高耐磨器具中的高能球磨、粉碎；(3)高能球磨后得到的前驱体粉末在含有一定量氧气的载气保护下的高温热解、蒸发，并在镀有金属催化剂薄膜的基片上沉积得到所述的结构。所述方法合成工艺和设备简单，工艺参数可控性强，成本低廉，所得Si3N4/SiO2同轴纳米电缆生长有序，产量大、密度高、纯度高且直径分布均匀。所合成的同轴纳米电缆结构在原子力显微镜、近场光学显微镜、纳米力学探针和新型纳米复合材料增强剂等方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101806690B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010161619.2
申请日：2010-05-04
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种固体薄膜和膜基界面的物理性质测试方法，属于分析仪器及材料性能测试技术领域。所述方法基于纳米压痕连续刚度曲线，将膜基系统弹性模量平方比硬度作为纵坐标，压痕深度作为横坐标，按照迭代筛选最小二乘法拟合曲线，分析和标定各拟合参数，从而测量薄膜的物理性质，包括厚度、弹性模量平方与硬度的比值，并能表征与界面层厚度相关的参数、以及表征界面层弹性模量平方与硬度比值相关的参数等。所述方法对所有薄膜与膜基界面的物理性质的测试均基于纳米压痕技术，可以在不露出基体表面的情况下进行，不需要对已有的设备进行改装，只需改变分析方法，适用范围广泛，任何膜厚小于纳米压痕仪最大压痕深度的薄膜材料都可以使用。
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公开(公告)号：CN101787521A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010132916.4
申请日：2010-03-24
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 一种金属硫化物DLC复合薄膜的制备方法，特征是首先利用超声波清洗技术去除基体表面污染层，利用离子源产生的惰性气体离子束对基体表面进行离子束轰击清洗，然后在高工件负偏压下利用阴极电弧源产生的金属离子对基体表面进行金属离子轰击清洗，再利用阴极电弧沉积或离子束辅助磁控溅射制备梯度过渡层，在过渡层上利用离子束沉积+磁控溅射合成至少包含W、Mo、Fe中的一种金属元素掺杂DLC膜，离子束沉积通过向离子源中通入含碳气体实现，最后利用离子硫化获得高硫含量的金属硫化物/DLC复合薄膜，硫源采用含硫的气体。
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公开(公告)号：CN101367645A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810117838.3
申请日：2008-08-06
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种铁氧体陶瓷软磁材料制备方法，属于电子陶瓷制备及应用技术领域。所述陶瓷为纯相尖晶石相铁氧体。所述材料制备方法包括“配料→高能球磨→烘干→混合整粒→过筛→压制成型→烧结”等工艺步骤。与传统铁氧体材料制备方法相比，所述方法只需一次烧结，简称“一步合成法”；由于制备工艺更简单，降低了设备和工艺成本，提高了工艺可靠性和可控性；采用高纯高耐磨氧化锆磨介，可精确控制掺杂元素比例；采用特殊烧结助熔剂，烧结温度低。由于材料组成精确可控、晶粒大小均匀可控、缺陷少，所得铁氧体材料磁学性能优异，高频特性好，品质因素高，可广泛用于高质量高频器件制备和生产。本发明也可用于其他类型电子陶瓷材料等。
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公开(公告)号：CN113289669A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110725613.1
申请日：2021-06-29
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: B01J27/24 , B01J35/02 , B01J35/08 , B01J35/06 , C02F1/30 , C02F101/30 , C02F101/38
Abstract: 本发明涉及一种串珠状的碳纳米纤维负载氧化钛光催化剂的制备方法，属于光催化材料制备及其应用技术领域。这种氧化钛光催化剂，外观上呈均匀的串珠状，是由碳纳米纤维串联并负载的、氮氟共掺杂的、缺氧型氧化钛微球构成；这种氧化钛材料可以直接用于模拟太阳光下光催化降解污染物，是一种性能优异的光催化剂。所述方法以聚丙烯腈为原料，首先通过静电纺丝技术得到聚丙烯腈纳米纤维；再以钛酸四丁酯为钛源，并添加氟化铵和冰乙酸，通过溶剂热法，制备得到聚丙烯腈纤维负载的氧化钛样品；最后在真空管式炉中在惰性气氛中进行高温热处理，得到所述氧化钛光催化剂。该方法原材料易得，产品收率高、成本低，生产过程简单、安全，适合大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110706941B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910995578.8
申请日：2019-10-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种部分合金化的缺氧型氧化锡超级电容器正极材料的制备方法，属于新能源材料制备及其应用技术领域。本发明提出的正极材料由镶嵌在泡沫镍中的、部分Sn‑Ni合金化的、缺氧型的、纳米多孔颗粒氧化锡构成，可直接用作超级电容器工作电极，且活性物质负载量大，导电性好，比电容很大，循环稳定性好，对人体无毒无害。所述方法以二氧化锡为原材料、泡沫镍为集流体，首先将二氧化锡浆料灌注在泡沫镍中，然后将样品在干燥箱中烘干，再在真空管式炉中在还原气氛中进行高温热处理，最终得到所述正极材料。该方法所得正极材料组成和形貌可控；原材料、设备和工艺过程特别简单，产品收率很高、成本极低，生产过程安全、环保，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN109926086A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910285365.6
申请日：2019-04-10
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种氮掺杂碳泡沫@WS2纳米片三维网络复合结构的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明在双温区真空管式炉中，以高纯惰性气作为载气及保护气体，以硫粉作为硫源，以三聚氰胺泡沫作为富氮碳源，在高温下直接蒸发硫粉硫化浸泡过WO3悬浊液的三聚氰胺泡沫，即可得到这种由超薄的WS2纳米片生长在氮掺杂的碳泡沫骨架表面而形成的三维网络多孔结构。该产品纯度高、产量大、结晶性好、形貌可控，无需后处理，可直接用于电催化制氢，且其中活性物质负载量大、泡沫骨架导电性好，催化性能优异。该制备方法设备和操作简单、合成生长条件严格可控、成本低廉、清洁环保。该产品在钠(或锂)离子电池及超级电容器领域也有潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN106238077B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610604866.2
申请日：2016-07-28
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: B01J27/051 , B01J35/02 , C25B1/04
Abstract: 本发明涉及一种碳纤维@二硫化钼纳米片核壳复合结构及其制备方法，属于材料制备技术领域。本发明提出的复合结构的内核是碳纤维、外壳是成阵列状的二硫化钼纳米片。本发明在真空管式炉中，用热蒸发技术直接蒸发硫粉作为硫源，在载气作用下，在高温下熏蒸浸泡过MoO3悬浊液的预氧化聚丙烯腈纤维，实现碳纤维和二硫化钼纳米片的同时合成，能高产率地制备得到所述碳纤维@二硫化钼纳米片核壳复合结构。该方法的产品产量大、密度高、纯度高，形貌可控，无需后处理；且该方法具有设备和工艺简单、合成生长条件严格可控、产品收率高、成本低廉、生产过程清洁环保等优点。所获得材料是优异的可见光催化剂、加氢脱硫催化剂、电催化剂、锂离子电池电极材料等。
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公开(公告)号：CN106215954B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610601979.7
申请日：2016-07-27
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: B01J27/057 , B01J35/06 , C23C16/30 , C23C16/44 , C01B3/04 , C25B1/04 , A62D3/17 , H01G9/042 , A62D101/20
Abstract: 本发明涉及一种碳纤维@二硒化钨纳米片核壳复合结构及其制备方法，属于材料制备技术领域。本发明提出的复合结构的内核是碳纤维、外壳是成阵列状的二硒化钨纳米片。本发明在真空管式炉中，用热蒸发技术直接蒸发硒粉作为硒源，在载气作用下，在高温下熏蒸浸泡过WO3悬浊液的预氧化聚丙烯腈纤维，实现碳纤维和二硒化钨纳米片的同时合成，能高产率地制备得到所述碳纤维@二硒化钨纳米片核壳复合结构。该方法的产品产量大、密度高、纯度高，形貌可控，无需后处理；且该方法具有设备和工艺简单、合成生长条件严格可控、产品收率高、成本低廉、生产过程清洁环保等优点。所获得材料是优异的可见光催化剂、电催化剂、钠/锂/镁离子电池电极材料等。
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公开(公告)号：CN109346723A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811204440.3
申请日：2018-10-16
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01M4/58 , H01M4/1397 , H01M10/058 , H01M10/0525 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种基于钼箔负载的MoS2纳米片阵列结构的锂离子电池的制备方法，属于新能源材料及其器件制备技术领域。本发明以MoO3和S粉为蒸发源，通过简单的一步化学气相沉积法，直接在钼箔上生长出MoS2纳米片阵列结构，并将其直接用作锂离子电池的阳极材料；配合金属锂箔阴极、隔膜、电解液等直接组装成了锂离子电池。采用本技术制备的锂离子电池阳极材料，MoS2纳米片阵列结构产量大、纯度高、结晶性好、形貌规整；MoS2纳米片阵列结构紧密地结合在钼箔上；且合成生长条件严格可控、设备和工艺简单、成本低。采用本技术制备锂离子电池，过程简单、环境友好、无污染、无需后处理；且这种新型锂离子电池比容量高，充放电循环稳定性稳定。
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