SOI横向超结功率MOSFET器件
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102637744B

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201210138951.6

    申请日:2012-05-08

    Applicant: 中北大学

    Inventor: 王文廉 王玉

    Abstract: 本发明涉及功率半导体器件,具体是一种SOI横向超结功率MOSFET器件。本发明解决了现有SOI横向超结功率MOSFET器件耐压低、以及自热效应严重的问题。SOI横向超结功率MOSFET器件包括p型衬底、设于p型衬底上端面的绝缘埋层、以及由横向交替分布的超结n区和超结p区构成的超结结构;绝缘埋层的上端面设有n型埋层;n型埋层的上端面设有p型外延层;p型体区和超结结构均设于p型外延层的上端面。本发明适于作为功率集成电路(PIC,PowerIntegratedCircuit)中的关键器件,并应用于电机控制、平板显示驱动、电脑外设控制等领域。

    高分辨率印刷电路板自动检测系统及检测方法

    公开(公告)号:CN101706458A

    公开(公告)日:2010-05-12

    申请号:CN200910250164.9

    申请日:2009-11-30

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种高分辨率印刷电路板自动检测系统及检测方法,所述检测系统由射线源、载物台、可见光采集照相机、射线检测相机、射线检测像增强器及采集卡、图像处理模块和控制及分析显示模块构成,所述载物台和射线源分别通过连接线路和控制及分析显示模块连接,所述可见光采集照相机和射线检测相机分别通过采集卡和图像处理模块连接,所述图像处理模块通过连接电路和控制及分析显示模块连接。它结合了可见光图像导航、X射线检测、自动分析检测标注等功能,是针对焊点、走线的质量做出定量的检测,实现了不可见焊点和内部走线的缺陷自动检测。

    一种基于柔性结构的爆炸环境下表面冲击波测试装置

    公开(公告)号:CN213779353U

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202120163095.4

    申请日:2021-01-21

    Abstract: 本实用新型涉及爆炸冲击波测试技术,具体是一种基于柔性结构的爆炸环境下表面冲击波测试装置。本实用新型解决了在需要评价杀伤能力的爆炸试验中进行爆炸冲击波测试时测试结果不准确的问题。一种基于柔性结构的爆炸环境下表面冲击波测试装置,包括第一柔性基带、第二柔性基带、第一压力传感器、第二压力传感器、第三压力传感器、第四压力传感器、无线数据记录仪、第一导线、第二导线、第三导线、第四导线;其中,第一柔性基带为开口向下的C形双层结构;第一柔性基带的右端固定有第一针扣,左端开设有内外贯通的第一针孔;第二柔性基带包括主体段和连接段;主体段为开口向下的C形双层结构。本实用新型适用于爆炸冲击波测试。

    一种用于爆炸冲击波测试的柔性穿戴装置

    公开(公告)号:CN214538329U

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202121081993.1

    申请日:2021-05-20

    Abstract: 本实用新型涉及爆炸冲击波测试技术,具体是一种用于爆炸冲击波测试的柔性穿戴装置。本实用新型解决了在需要评价杀伤能力的爆炸试验中进行爆炸冲击波测试时测试结果不准确的问题。一种用于爆炸冲击波测试的柔性穿戴装置,包括柔性束腹带、柔性束颈带、柔性连接带;其中,柔性束腹带为中部宽两端窄的双层结构;柔性束腹带的前面层的外壁缝制有柔性仪器存放包;柔性仪器存放包的后内壁与柔性束腹带的前面层的内壁之间贯通开设有四个第I穿线孔;柔性束腹带的前面层的左部和右部各贯通开设有一个第I传感器露出孔;柔性束腹带的后面层的下边缘中部贯通开设有第II穿线孔。本实用新型适用于爆炸冲击波测试。

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