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公开(公告)号：CN113390385B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110658925.5
申请日：2021-06-15
Applicant: 山西格盟中美清洁能源研发中心有限公司 , 中北大学
IPC: G01B21/32
Abstract: 本发明提供一种基于位移传感器的输气管道应变监测预警系统及方法，属于管道运输领域，所述基于位移传感器的输气管道应变监测预警系统包括：位移检测单元，固定在待测管道上，用于检测所述待测管道的形变量，并将所述形变量转换为对应的位移量；通过位移检测单元检测管道的形变量，检测精度高；信号采集单元，与所述位移检测单元连接，用于实时采集所述位移量；定位单元，用于获取当前待测管道的地理位置信息；远程控制单元，分别与所述信号采集单元及所述定位单元连接，用于根据所述位移量及所述待测管道的地理位置信息得到对应位置上的所述待测管道的沉降信息。可实时精准的检测输气管道的应变信息。
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公开(公告)号：CN110780252B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN201911093446.2
申请日：2019-11-11
Applicant: 中北大学
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明属于电子校准件技术领域，具体涉及一种基于单刀双掷开关级联的电子校准件，包括衬底，所述衬底表面上设置有微波传输组件，所述衬底表面上设置有50Ω/75Ω负载，所述微波传输组件与50Ω/75Ω负载连接；所述微波传输组件包括对称设置的信号线单元、设置在信号线单元周侧的地线单元、设置在信号线单元所连接开关结构下方的驱动电极。本发明具有结构简单，体积小，直通插入损耗小，各个校准状态性能优越等特点。从微波传输角度来讲，射频MEMS单刀双掷开关网络更为高效，改善了单个支路的信号干扰，提高了开关各支路之间的传输性能。本发明用于矢量网络分析仪的精准校准。
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公开(公告)号：CN110706874B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201910999771.9
申请日：2019-10-21
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于衰减电阻的制备方法技术领域，具体涉及一种高可靠衰减电阻的制备方法，包括下列步骤：清洗杂质；生长介质层；利用掩膜版进行光刻；级联处图形化；刻蚀介质层；生长氮化钽；衰减电阻网络图形化；生长种子层；电镀共面波导；去除种子层。本发明提高了获取氮化钽π型网络图形的完整性以及共面波导与衰减电阻的衔接处成功率。有效避免了应制备氮化钽薄膜的不完整性造成的衰减性能不稳定和CPW与衰减电阻虚接造成的接触不良问题。可以将获得的π型衰减网络用于射频MEMS器件中。本发明用于衰减电阻的制备。
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公开(公告)号：CN111043208B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911356744.6
申请日：2019-12-25
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及一种磁阻尼减振器的装配装置。该装配装置包括平台底座(1)、导轨(7)、中心杆夹持装置(6)、永磁铁环夹持装置(2)、金属外筒固定装置和2个限位装置；2个导轨平行固定安装于平台底座的上表面，中心杆夹持装置与永磁铁环夹持装置分别滑动连接在2个导轨的两端，中心杆夹持装置(6)的下端与永磁铁环夹持装置的下端均设置有丝母，2个丝母分别旋合在丝杠导轨的两端；金属外筒固定装置包括支座(44)、滑座(34)和金属外筒；限位装置包括限位杆、弹簧和限位销(22)；永磁铁环夹持装置与中心杆夹持装置结构相同。本发明解决了磁阻尼减振器装配过程中的装配难题，耗费大量的人力与时间、安装效率，提高装配精度。
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公开(公告)号：CN109654518B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811476887.6
申请日：2018-12-05
Applicant: 中北大学
IPC: F23J3/00 , G05B19/418
Abstract: 本发明公开了一种燃煤电厂锅炉受热面的吹灰优化方法，通过大量的实时监测数据结合概率统计的思想，并结合吹灰优化模型，以最大收益为目标，寻找最合适的吹灰时机和吹灰时长，给工作人员提供判断依据，进行合理的受热面吹灰操作；并且根据概率统计分析未来时刻受热面清洁状态变化，与受热面当前或者之前清洁状态结合，便可以预测未来受热面状态，并进行更进一步的吹灰指导。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110783673A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911085815.3
申请日：2019-11-08
Applicant: 中北大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明属于可调滤波器技术领域，具体涉及一种基于MEMS开关的多通道交指型可调滤波器，包括衬底，所述衬底上固定有两个镜像设置的单刀多掷开关，所述单刀多掷开关包括一个输入端和至少两个输出端，所述单刀多掷开关的输入端连接有输入信号线，两个单刀多掷开关的输出端之间设置有交指型滤波器，所述单刀多掷开关的输出端与交指型滤波器之间通过输出信号线连接，所述输入信号线和输出信号线的两侧设有地线。本发明可减小整体系统尺寸，降低开关功耗，具有高Q值、低插损、低功耗、高线性度、易集成等优点。在0-20GHz的范围内，有着优越的实用性。本发明可实现DC-20GHz的多通道选通，实现了MEMS开关与滤波器的高度集成。本发明用于不同频率的滤波。
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公开(公告)号：CN110713169A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201911000222.2
申请日：2019-10-21
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于聚酰亚胺牺牲层制备方法技术领域，具体涉及一种提高射频MEMS开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法，包括下列步骤：将冷藏得聚酰亚胺在常温环境静置12h以上；置于功率为400W的氧等离子体中轰击5min，之后置于温度为110℃的热板上加热90s；将处理的晶圆迅速置于匀胶机上，趁其温度较高，旋涂聚酰亚胺；将旋涂有聚酰亚胺的晶圆水平放置在培养皿中，加盖，之后将培养皿放置在鼓风烘箱中进行预固化处理；经过预固化后的聚酰亚胺已经变成固态，通过光刻胶在聚酰亚胺上刻蚀锚点通孔；用丙酮去除光刻胶；将晶圆置于氮气烘箱中进行固化处理；去除残留的丙酮，完成高平整度牺牲层的制备。本发明用于聚酰亚胺牺牲层的制备。
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公开(公告)号：CN110706874A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910999771.9
申请日：2019-10-21
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于衰减电阻的制备方法技术领域，具体涉及一种高可靠衰减电阻的制备方法，包括下列步骤：清洗杂质；生长介质层；利用掩膜版进行光刻；级联处图形化；刻蚀介质层；生长氮化钽；衰减电阻网络图形化；生长种子层；电镀共面波导；去除种子层。本发明提高了获取氮化钽π型网络图形的完整性以及共面波导与衰减电阻的衔接处成功率。有效避免了应制备氮化钽薄膜的不完整性造成的衰减性能不稳定和CPW与衰减电阻虚接造成的接触不良问题。可以将获得的π型衰减网络用于射频MEMS器件中。本发明用于衰减电阻的制备。
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公开(公告)号：CN109654518A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811476887.6
申请日：2018-12-05
Applicant: 中北大学
IPC: F23J3/00 , G05B19/418
Abstract: 本发明公开了一种燃煤电厂锅炉受热面的吹灰优化方法，通过大量的实时监测数据结合概率统计的思想，并结合吹灰优化模型，以最大收益为目标，寻找最合适的吹灰时机和吹灰时长，给工作人员提供判断依据，进行合理的受热面吹灰操作；并且根据概率统计分析未来时刻受热面清洁状态变化，与受热面当前或者之前清洁状态结合，便可以预测未来受热面状态，并进行更进一步的吹灰指导。
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公开(公告)号：CN107462106A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710879800.9
申请日：2017-09-26
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供了一种火炮身管床式自动擦洗装置，包括：上底座，其上设置有支撑座，所述支撑座上设置有支撑孔；清洁杆，其从所述支撑座上的支撑孔中穿过，所述清洁杆前端固定有擦洗头；托架，其设置在所述上底座上；进给机构，其与所述托架连接，以驱动所述托架相对于上底座前后移动；曲柄杆，其一端与所述托架铰接，所述曲柄杆由曲柄电机驱动绕使曲柄杆能够绕其一端的铰接点旋转；滑块，其与所述清洁杆的末端固定连接，连杆，其两端分别与滑块和曲柄杆的另一端铰接。
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