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公开(公告)号:CN112672964A
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN201980052547.7
申请日:2019-07-31
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种不需要基于人工的手动操作而能够进行引线引出用初始设定处理的引线引出装置。在本发明中,引线收纳机构(101)以引线可从前端部取出的方式收纳着引线(4)的大部分。具有浮动辊(7)及两个升降式导引辊(11)的张力调整机构(102)在准备状态时形成了作为把手行进空间(50)的一部分的部分空间。具有开闭式引线导引部(12)的引线导引机构(103)在准备状态时形成有作为把手行进空间(50)的一部分的部分空间。引线把持移动机构(104)能够执行由把持部(62g)对引线(4)的前端部进行把持的把持动作、和使把持部(62g)经过把手行进空间(50)移动的把持部移动动作。
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公开(公告)号:CN109477220B
公开(公告)日:2021-02-09
申请号:CN201680087274.6
申请日:2016-06-28
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: C23C16/505 , C01B13/11 , H05H1/24
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够喷出均匀性高的活性气体的活性气体生成装置。而且,关于本发明的电介质电极(21),在中央区域(R51)中沿着X方向设置相互沿着X方向形成为2列结构的气体喷出孔(31)~(37)和气体喷出孔(41)~(47)来作为3个以上的多个气体喷出孔。而且,通过在气体喷出孔(31)和气体喷出孔(41)的形成位置设置X方向的差分,2列结构的气体喷出孔(31)~(37)和气体喷出孔(41)~(47)沿着X方向而气体喷出孔(3i)与气体喷出孔(4i)交替地配置。
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公开(公告)号:CN111936259A
公开(公告)日:2020-11-13
申请号:CN201980020162.2
申请日:2019-03-13
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: B23K20/10
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够对接合对象物的多个接合部位有效率且精度良好地进行超声波接的超声波接合方法。并且,作为本发明的超声波接合方法在步骤(S2)中,向接合对象物的上方配置3个超声波接合用头部(61~63)。此时,3个超声波接合用头部(61~63)的初始高度h1~h3被设定为相互不同的高度。然后,在步骤(S4)中,执行由升降用伺服马达(2X)进行的集体下降动作以及由3个超声波接合用头部(61~63)进行的超声波振动动作。此时,设定上述集体下降动作的下降速度V6、超声波振动动作的动作时间T6(min)及初始高度h1~h3间的调整间隙长Δg,以满足T6
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公开(公告)号:CN110024088A
公开(公告)日:2019-07-16
申请号:CN201680091290.2
申请日:2016-12-05
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供能够生成优质的活性气体的活性气体生成装置。本发明通过在活性气体生成用电极组(301)的高压侧电极构成部(1A)与接地侧电极构成部(2A)之间形成的放电空间(66)的放电,将供给的原料气体活性化而生成活性气体。罩(31、32)的组合构造具有原料气体供给路径用的原料气体流路(31h、32h),该原料气体流路(31h、32h)将放电空间(66)与交流电压施加空间(R31)完全分离,且与交流电压施加空间(R31)独立,将从外部供给的原料气体引导至放电空间(66)。形成在金属框体(34)与罩(31、32)及电极构成部设置台(33)之间的框体接触空间(R34)与交流电压施加空间(R31)、放电空间(66)分别完全分离。
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公开(公告)号:CN109196959A
公开(公告)日:2019-01-11
申请号:CN201680086092.7
申请日:2016-05-27
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: H05H1/30
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够均匀性良好、比较高速地生成高密度的活性气体的活性气体生成装置。并且,本发明在活性气体生成用电极群及喷嘴构成部的下方设置气体喷流用整流器(70)而构成活性气体生成装置。气体喷流用整流器(70)将活性气体穿过多个喷嘴后的气体用气体整流通路(71)的入口部(711)一起接受。气体整流通路(71)形成为,出口部(710)的出口开口面积被设定为比入口部(711)的入口开口面积窄,并且通过由气体整流通路(71)进行的整流动作,多个喷嘴穿过后活性气体各自的圆柱状的气体喷流被变换为线状的整流后活性气体。
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公开(公告)号:CN108140584A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201580083461.2
申请日:2015-09-29
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H05K3/328 , B23K20/10 , B23K20/2333 , B23K20/24 , B23K20/26 , B23K2101/42 , B23K2103/10 , B23K2103/18 , B23K2103/54 , H01L2021/607 , H05K3/103 , H05K2203/0285 , H05K2203/049 , H05K2203/0495
Abstract: 本发明的目的在于,提供能够可靠地消除导线浮起并将导线高精度地接合在基板上的超声波振动接合装置。并且,本发明具备:焊头(4),执行从抵接前端部(4t)向导线(12)上的施加部(12p)施加超声波振动的超声波振动处理;及一对压紧机构(20、30),具有能够旋转动作的一对压紧辊(23、33)。一对压紧机构(20、30),在焊头(4)执行超声波振动处理时,执行通过一对压紧辊(23、33)对导线(12)上的施加部的两侧进行按压的按压处理,在不执行上述超声波振动处理时,执行移动处理,在移动处理中,使一对压紧辊(23、33)执行旋转动作,按压导线(12)并且在导线(12)上移动。
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公开(公告)号:CN105706249A
公开(公告)日:2016-06-22
申请号:CN201380080714.1
申请日:2013-11-06
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: H01L31/046 , B23K20/10 , H01R43/02
CPC classification number: B23K20/106 , B23K20/002 , B23K20/10 , B23K2101/40 , H01L24/74 , H01L31/02008 , H01L31/18 , H01L2224/75343 , H01L2224/81205 , H01L2224/83205 , H01R43/0207
Abstract: 本发明的目的在于,提供一种对电极实施多点的超声波振动接合处理、且即使对基板使电极以较小的剥离力接合也能抑制各点的剥离力的偏差的电极接合装置。并且,本发明在太阳能电池单元(ST1)上使集电电极(20A、20B)沿着玻璃基板(1)的端边部(L1、L2)配置。然后,由按压构件(12A)在从端边部到配置集电电极的位置为止的玻璃基板的区域沿着端边部按压玻璃基板。然后,一边进行该按压,一边使用超声波振动工具(14)对集电电极实施超声波振动接合处理。
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公开(公告)号:CN101990583B
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN200880128603.2
申请日:2008-04-11
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C16/4485 , C23C14/243 , F22B1/16
Abstract: 一种均热装置,包括容器结构体、材料供给管(12)及加热装置(6)。容器结构体具有内容器(2)和外容器(1)。在外容器(1)中,填充有工作流体。将内容器(2)与外容器(1)的各自的上端部接合,并在内容器(2)与外容器(1)之间形成有中空部(4)。材料供给管(12)从容器结构体的外部到达内容器(2)的内表面。加热装置(6)配置于外容器(1)的底部。在内容器(2)的底面,形成有朝内容器(2)的内部侧突起的多个突起(10)和底面朝突起(10)的内侧凹陷、并可收纳汽化了的工作流体的凹部(11)。
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公开(公告)号:CN102016107A
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200880128669.1
申请日:2008-04-11
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东芝三菱电机产业系统株式会社
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/12 , C23C14/228
Abstract: 一种均热装置,包括:容器构造体,该容器构造体具有在内部填充有工作流体、且对被加热材料加热以使被加热材料汽化的加热块(1);加热单元(6),该加热单元(6)配置在容器构造体的底部;以及材料供应管(11),该材料供应管(11)将容器构造体的外侧与内侧连通。在加热块(1)上形成有作为供被加热材料流动的流路的、与材料供应管(11)相连接并朝水平方向延伸的总集气管(12)以及从总集气管(12)分岔并向上下方向延伸的竖管(14),此外,还形成有作为对工作流体进行冷却冷凝的冷凝路的、形成于竖管(14)两侧并朝水平方向延伸的冷凝孔(10)以及形成于竖管(14)下侧的冷凝槽(16)。在冷凝孔(10)与冷凝槽(16)之间配置有总集气管(12)。
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公开(公告)号:CN110352474B
公开(公告)日:2023-03-17
申请号:CN201780086342.1
申请日:2017-02-14
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/318
Abstract: 本发明的目的是提供能够在不对基板给予损害的情况下在基板上形成优质的氮化膜的氮化膜成膜方法。并且,本发明的氮化膜成膜方法包括:介由气体供给口(11)将硅烷系气体供给至处理室(10)内的步骤(a);从自由基产生器(20)介由自由基气体通过口(25)将氮自由基气体(7)供给至处理室(10)内的步骤(b);和在不使处理室(10)内产生等离子体现象的情况下,使上述步骤(a)中供给的硅烷系气体与上述步骤(b)中供给的氮自由基气体反应,在晶片(1)上形成氮化膜的步骤(c)。
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