公开(公告)号：CN102210009A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200980144343.2

申请日：2009-10-20

Applicant: 东洋钢钣株式会社

Inventor： 冈山浩直 ,  金子彰 ,  南部光司

IPC: H01L21/20 ,  B21B47/00 ,  B23K20/00 ,  B23K20/24 ,  C22F1/08 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22F1/08 ,  B32B15/01 ,  B32B15/015 ,  C22C9/00 ,  C22C38/02 ,  C22C38/44 ,  C22C38/58 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  C30B29/16 ,  C30B29/40 ,  C30B29/52 ,  C30B33/00 ,  H01L23/142 ,  H01L31/03921 ,  H01L33/007 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0393 ,  H05K1/09 ,  H05K3/022 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/1105 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种用来形成金属基板的表面具有高度双轴结晶配向性的半导体元件的磊晶成长膜形成用金属积层基板。所述半导体元件的磊晶成长膜形成用金属积层基板的制造方法，包括：通过溅镀蚀刻等将金属板T1的至少一个表面活化的步骤；将以压下率大于等于90％进行冷延的包含Cu或Cu合金的金属箔T2的至少一个表面活化的步骤；使金属板的活化表面与金属箔的活化表面相对向进行积层，并以例如压下率小于等于10％进行冷延的步骤；通过在大于等于150℃且小于等于1000℃下进行热处理而使金属箔双轴结晶配向的步骤。