公开(公告)号：CN106029960A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580009773.9

申请日：2015-03-10

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 矢吹纪人 ,  鸟见聪 ,  野上晓

IPC: C30B33/12 ,  C30B19/04 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明的课题是提供一种即使在使用切断加工过的SiC籽晶进行MSE法的情况下也不会降低生长速度的方法。将作为亚稳定溶剂外延法(Metastable solvent epitaxy：MSE法)的籽晶使用的SiC籽晶通过在Si气氛下进行加热而对表面进行蚀刻，除去因切断加工产生的加工变质层。由于已经知道SiC籽晶产生的加工变质层会阻碍MSE法的生长，所以通过除去该加工变质层能够防止生长速度的降低。

公开(公告)号：CN104797747A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201380059807.6

申请日：2013-11-15

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 鸟见聪 ,  矢吹纪人 ,  野上晓

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/12

CPC classification number: H01L21/0445 ,  C30B29/36 ,  C30B31/22 ,  C30B33/02 ,  C30B33/08 ,  C30B33/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种可高精度地控制单晶SiC基板的蚀刻速度、并能准确地把握蚀刻量的表面处理方法。该表面处理方法中，藉由在Si的蒸汽压力下的加热处理进行蚀刻单晶SiC基板的处理。并且，在进行该蚀刻时，藉由调整单晶SiC基板周围的气体环境中的惰性气体压力来控制蚀刻速度。藉此，能够准确地把握蚀刻量。