-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1408717A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN02142607.4
申请日：2002-09-12
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 提供熔点低、汽化特性优异，而且在基板上成膜温度低的金属有机化合物，并以其作为原料由CVD法制造含钌薄膜。以通式[1]表示的有机钌化合物[具体例子是(2，4－二甲基戊二烯)(乙基环戊二烯)合钌]或者以通式[7]表示的有机钌化合物[具体例子是羰基二(2－甲基－1，3－戊二烯)合钌]为原料，由化学气相蒸镀法等制造含钌薄膜。
-
公开(公告)号：CN1255417C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN02142607.4
申请日：2002-09-12
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 提供熔点低、汽化特性优异，而且在基板上成膜温度低的金属有机化合物，并以其作为原料由CVD法制造含钌薄膜。以通式[1]表示的有机钌化合物[具体例子是(2，4-二甲基戊二烯)(乙基环戊二烯)合钌]或者以通式[7]表示的有机钌化合物[具体例子是羰基二(2-甲基-1，3-戊二烯)合钌]为原料，由化学气相蒸镀法等制造含钌薄膜。
-
公开(公告)号：CN1539841A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410032544.2
申请日：2004-04-08
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 本发明提供在CVD法成膜中，具有优良气化特性和热稳定性的新型铋化合物、其制备方法和膜的制备方法。还提供下述铋化合物、其制备方法和成膜法，其特征在于，如式1、式5、式9所示，式中，R1、R7表示低级烷基，R2、R8、R12及R13表示低级烷基、低级烷氧基等，m表示取代基R12的数目，为0～5，n1、n2、n3分别表示取代基R2、R8和R13的个数，为0～4、R3～R6、R9～R11、R14和R15表示氢、低级烷基等(其中排除特定取代基的组合)。(见[式1]、[式2]、[式3]。
-
公开(公告)号：CN102686771A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080059677.2
申请日：2010-11-29
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F15/00
CPC classification number: C07F17/02 , C23C16/18 , H01L21/28088 , H01L21/28556 , H01L21/31695 , H01L21/32051 , H01L29/4966
Abstract: 为了利用CVD法形成优质的钌薄膜，需要在低温下形成薄膜，因此期望提供一种相对于热具有高反应性的钌化合物。为此，本发明涉及使用下述钌络合物混合物作为原料、利用CVD法等制造含钌膜的方法等，所述钌络合物混合物含有：(2,4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌和相对于(2,4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌为0.1~100重量%的双(2,4-二甲基戊二烯基)合钌。
-
公开(公告)号：CN100417656C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200410032544.2
申请日：2004-04-08
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 本发明提供在CVD法成膜中，具有优良气化特性和热稳定性的新型铋化合物、其制备方法和膜的制备方法。还提供下述铋化合物、其制备方法和成膜法，其特征在于，如式1、式5、式9所示，式中，R1、R7表示低级烷基，R2、R8、R12及R13表示低级烷基、低级烷氧基等，m表示取代基R12的数目，为0～5，n1、n2、n3分别表示取代基R2、R8和R13的个数，为0～4、R3～R6、R9～R11、R14和R15表示氢、低级烷基等(其中排除特定取代基的组合)。
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.03 seconds)
