公开(公告)号：CN202043085U

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201120095930.1

申请日：2011-04-02

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  王青 ,  常昌远 ,  徐申 ,  陆生礼 ,  赵安东 ,  时龙兴

IPC: H03K3/017

Abstract: 基于振荡环电路的全程可调数字脉宽调制器，包括振荡环-计数比较电路和输出逻辑电路。振荡环电路由k级D触发器首尾相连构成，它与多路选通器，计数比较电路一起，根据外部输入的数字占空比控制信号，产生输出逻辑电路中输出D触发器所需的复位信号，从而将输出D触发器的输出信号复位到低电平，而输出D触发器的时钟端则控制将输入端高电平传递到输出端，复位信号和时钟信号共同作用最终在输出端产生一个占空比信号。本实用新型在保持常规振荡环结构数字脉宽调制器的优点的同时，增大了输出占空比的可调范围，非常适合用于集成在小型手持设备的电源管理系统中的高频DC-DC开关电源(SMPS)中。

公开(公告)号：CN201887047U

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201020674084.4

申请日：2010-12-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  王青 ,  朱奎英 ,  李明 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 一种N型超结横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有超结结构及P型体区，超结结构由N型外延层和镶嵌在其中的P型半导体区构成，在P型体区上设N型源区、P型体接触区及栅氧化层，超结结构上设有N型漏区，超结结构上方且位于N型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅自栅氧化层上方延伸至第一型场氧化层上方，N型源区、P型体接触区、N型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，N型源区、N型漏区、P型体接触区及多晶硅栅均接有源极金属引线、栅极金属引线和漏极金属引线，且超结结构中的P型半导体区的深度沿从N型源区到N型漏区的方向上线性变小。

公开(公告)号：CN201956987U

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201020678843.4

申请日：2010-12-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 时龙兴 ,  王青 ,  常昌远 ,  徐申 ,  孙伟锋 ,  陆生礼

IPC: H03K7/08

Abstract: 用于可调输出数控电源中的高速低耗数字脉宽调制器，包括预调节逻辑电路、门控时钟逻辑电路、计数比较-延迟混合电路和输出逻辑电路。预调节逻辑电路两个输入端分别接有预调固定占空比命令信号和输入时钟信号，三个输出端接门控时钟逻辑电路、计数比较-延迟混合电路和输出逻辑电路。门控时钟逻辑电路三个输入端与输入时钟信号及预调节逻辑电路的两个输出端相连，其输出端连接有计数比较-延迟混合电路。计数比较-延迟混合电路的三个输入端分别接有输入占空比低位控制命令、预调节逻辑电路和门控时钟逻辑电路的一个输出端。输出逻辑电路输入端连接有预调节逻辑电路、门控时钟逻辑电路、计数比较-延迟混合电路，其输出端为产生的占空比控制信号。

公开(公告)号：CN202364200U

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201120453236.2

申请日：2011-11-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐申 ,  王青 ,  梁雷 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H03L7/18 ,  H03L7/099

Abstract: 本实用新型公开了一种基于数字延迟锁相环的数字脉宽调制器，包括分频电路、DLL振荡环电路、清零信号产生电路和PWM输出逻辑电路，DLL振荡环利用输入高频时钟信号fs触发振荡环震荡输出2(m-n)路信号送入清零信号产生电路，清零信号产生电路结合输入的fs和mbits的占空比命令信号产生脉冲信号PWM_clr，在后级的PWM输出逻辑电路作用下产生PWM信号作为系统的输出。其中DLL振荡环电路利用可编程延迟单元对输入信号进行实时的追踪，达到在不同工艺角、不同工作环境下都能输出非常好的脉宽调制波形的效果，本实用新型在很大程度上减少了芯片所需的面积，节省了芯片开发的成本。