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公开(公告)号：CN101494150A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910024950.7
申请日：2009-02-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01J35/00
Abstract: 本发明涉及一种冷阴极聚焦型X射线管。其中包括冷阴极电子源(14)、聚焦电极(7)、真空密封壳体(9)、射线出射窗口(10)以及高电压阳极靶(11)等，其特征还包括附在冷阴极电子源(14)上的氧化锌发射层(5)。本发明中电子源是以平面栅极结构为基础、通过丝网印刷方式制备于玻璃基底(6)表面；高电压阳极靶(11)固定于电子源的正上方；电极放置于陶瓷真空壳体之中，通过电极引线与外部电源相连。陶瓷壳体采用分段封接的方式；冷阴极电子源(14)上方放置金属聚焦电极(7)，聚焦电极之间同样使用陶瓷进行绝缘与封装。通过聚焦电极可以大幅度压缩轰击到阳极靶表面的电子束，实现高分辨率X射线的发射。
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公开(公告)号：CN101157568A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710132091.4
申请日：2007-09-11
Applicant: 东南大学
IPC: C04B41/53
Abstract: 一种去除蓝光发光芯片蓝宝石衬底的方法采用氢氧化钠溶液或其它碱性溶液与蓝宝石反应，腐蚀蓝宝石衬底，然后用去离子水清洗后即可获得没有蓝宝石衬底或蓝宝石衬底厚度显著减小的发光芯片；具体工艺步骤如下：1)在一个底部平整的容器中倒入氢氧化钠溶液或其它碱性溶液，溶液高度控制在100微米以下，溶液的质量百分浓度在1％－40％范围内；2.)将含有蓝宝石衬底的芯片放入以上氢氧化钠溶液或其它碱性溶液中，使得蓝宝石衬底的一部分浸入到溶液中，静置12至24小时，使蓝宝石衬底全部或大部分腐蚀掉；3.)用去离子水将芯片冲洗干净，放入烘箱中，在100摄氏度下烘烤1至2小时。
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公开(公告)号：CN101140845A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710133464.X
申请日：2007-09-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种微波源阴极及其制造方法。该阴极主要的电子发射材料为碳纤维织物和四针状纳米氧化锌，将四针纳米氧化锌与适量松油醇水浴中进行充分搅拌成混合物，上述浆料可以通过丝网印刷厚膜方法制造在碳纤维织物上。在高温下熔化无机熔剂将碳纤维织物固定贴附在不锈钢衬底上后通过过渡材料焊接在绝缘陶瓷板上，在陶瓷板的另一端焊接有突出的辅助电极，以改善阴极表面的电场分布增加阴极表面的横向电场，提高二次电子的产生效率，使阴极表面的电子发射均匀。该种阴极可以作为高功率微波源的电子源，实际器件应用中，阳极与阴极间施加数百千伏的脉冲电压，辅助电极与阴极间施加5kV～10kV的脉冲或直流电压。
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公开(公告)号：CN112630520B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202011604066.3
申请日：2020-12-30
Applicant: 东南大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明公开了一种基于微纳间隙二极管阵列的电压采样电路，该电路包括模拟信号输入接口、微纳间隙二极管、引线、电阻、稳压二极管、编码器和数字信号输出端口。其中特定间隙尺寸的微纳间隙二极管、电阻、稳压二极管形成一条支路，当模拟信号的电压高于该支路的微纳间隙二极管时，该支路导通，不同间隙尺寸二极管的阈值电压不同，可以实现对模拟信号的不同电压等级进行检测。微纳间隙二极管尺寸小、设计简单、电压开启速度快，该电路在高速模数转换领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111290078B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202010115063.7
申请日：2020-02-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元波长、偏振解复用器件，包括表面等离激元耦合器、表面等离激元波导、表面等离激元探测器以及半导体衬底，其中表面等离激元耦合器由四个具有不同结构参数、排布方向的周期性光栅组成。器件利用表面等离激元耦合器对入射光波长、偏振态信息的识别能力，能够将入射光按照波长、偏振态信息耦合成表面等离激元信号，并使其进入表面等离激元波导进行传输，最终由表面等离激元探测器完成表面等离激元信号到电信号的转换，在微纳结构尺寸上实现光电解复用功能。本发明能够同时对波长和偏振态信息进行分辨，大幅提高了信息的传输带宽，在未来高速、高带宽的光电集成电路中具有很好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112713198A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011605612.5
申请日：2020-12-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种基于载流子浓度调控的垂直型场发射三极管，该垂直型场发射三极管结构自下而上分别为：背栅电极(1)，第一介质层(2)，发射极(3)，第二介质层(4)以及顶部的收集极薄膜层(5)，该器件含一凹槽(6)位于发射极(3)、第二介质层(4)和收集极薄膜层(5)的中部。其中栅极电压与介质层、发射极形成电容结构，栅极电压通过调控半导体材料发射极反转程度对发射极上下两表面电子浓度，实现对场发射电流进行调控。该栅极调控方式增强了场发射器件的设计灵活度，该器件在高速、高功率器件领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112054069A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010879039.0
申请日：2020-08-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/102
Abstract: 本发明公开了一种基于圆盘超表面结构窄带滤光的集成化光电探测器件，该探测器件结构自下而上分别为：底部电极结构，半导体层，金属薄膜层，介质层以及顶部的金属圆盘结构。其中圆盘超表面结构支持的等离激元共振模式与超表面结构‑介质层‑金属薄膜层支持的腔体模式进行共振耦合，产生选择性透射窄带光谱，结合半导体层实现可见及近红外波段的窄带光电探测特性；金属薄膜的设立有效降低了电极结构对集成化的影响，有利于多个窄带滤光纳米阵列的高度集成，并且受益于圆盘超表面结构在空间分布上呈正六边形，而不受入射光偏振态的影响。该集成化探测器具有微型化、集成化、可调谐的特征，在光电子器件及光谱成像领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108231507B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201711326197.8
申请日：2017-12-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种新型纳米结构光阴极，所述新型纳米结构光阴极包括图案化的催化层、形成在该催化层上的图案化的垂直碳纳米管以及形成在该垂直碳纳米管上的修饰具有等离激元效应的金属纳米颗粒。本发明还提供了一种用于新型纳米结构光阴极的制备方法，该制备方法通过将阴极电子发射材料图案化处理，能够有效地避免阴极表面的静电屏蔽效应，充分地利用边缘效应，从而压缩阴极表面势垒，降低电子发射所需光能量的阈值；将碳纳米管和金属纳米颗粒相结合既利用了碳纳米管的优良的电学性能和环境稳定性，同时也利用了金属纳米颗粒的表面等离激元共振效应，能够实现光波局域电场的增强和光子吸收增强。
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公开(公告)号：CN110673241A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910868613.X
申请日：2019-09-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种基于表面等离激元与腔体共振模式耦合的滤色片结构，包括半导体衬底、多层介质薄膜以及顶层的金属光栅结构；多层介质薄膜中上三层支持的腔体共振模式与金属光栅支持的表面等离激元传输模式之间发生耦合，在将光能量局域在金属/介质界面的同时，通过模式耦合将光能量传导进腔体中，并由腔体共振模式实现特定频率下的光透射增强以及透射光谱半高峰宽的减小；底层介质薄膜选用高折射率材料，起到减反以及保护半导体衬底的作用。与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明滤色片制备方法简单，制备工艺成熟，并且可以通过固定金属光栅狭缝宽度以及其它结构参数，改变光栅周期实现透射光谱的连续调节。
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公开(公告)号：CN109755331A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811473227.2
申请日：2018-12-04
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/105 , B82Y20/00
Abstract: 本专利公开了一种基于等离激元-光子模式耦合的窄带光电探测器，该探测器的结构自下而上依次为是底部电极1、半导体层2和绝缘介质层3，在绝缘介质层3的上表面修饰有等离激元金属纳米结构4，在绝缘介质层3的外围设置有顶部电极5，且顶部电极5与半导体层2直接接触。其中等离激元金属纳米结构4支持的等离激元共振模式与绝缘介质层3-半导体层2支持的光学波导模式之间发生耦合共振，并形成窄带完美超吸收，实现窄带光电探测。该光电探测器可以调控窄带响应波段，将不同工作波段的探测器单元集成，构成宽波段工作的超光谱成像仪或者图像传感器；该光电探测器具有微型化和集成化的特性，在光电子器件和光通讯领域有很好的应用前景。
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