公开(公告)号：CN101755325A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200880025121.4

申请日：2008-09-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 津田荣之辅

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45574 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/52 ,  H01L21/31691 ,  Y10T137/8593

Abstract: 一种成膜装置，具备处理容器(2)、配置在处理容器(2)内且用于载置基板W的载置台(3)、与载置台(3)相对地配置且供给第一处理气体的第一气体供给孔(51b)、供给第二处理气体的第二气体供给孔(52b)、以及供给第三处理气体的第三气体供给孔(53b)的气体供给面(40a)的气体喷头(4)。气体供给面(40a)被分割成由互为相同大小的正三角形构成的单元区划(401)，在构成该单元区划(401)的各正三角形的三个顶点分别设有所述第一气体供给孔(51b)、所述第二气体供给孔(52b)和所述第三气体供给孔(53b)。第一处理气体、第二处理气体和第三处理气体各自互不相同，使这些第一处理气体、第二处理气体和第三处理气体相互反应，在基板W的表面形成薄膜。

公开(公告)号：CN101540281A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910126383.6

申请日：2009-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 津田荣之辅

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置能降低产品成本，并能使保养维修更加省时省力。该基板处理装置包括：处理室(11)，其使用多种气体对被处理基板实施处理；气体导入部(12)，其被设置在处理室(11)中，将多种气体导入处理室(11)内；进气块(13)，其被配置在处理室(11)上，在其内部具有将多种气体从气体供给机构(14)导入气体导入部(12)中的多条气体流路(13b)，和加热在这些气体流路中的至少一条流路中流动的气体的加热器(23)。

公开(公告)号：CN101356298A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200780001294.8

申请日：2007-04-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 津田荣之辅

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明的成膜装置(100)具有处理容器(11)，向处理容器(11)内供给TiCl4气体和NH3气体，利用CVD在配置于处理容器(11)内的基板(W)上形成TiN膜。在处理容器(11)中设置有排气系统结构(300)。该排气系统结构(300)包括：排出处理容器(11)内的排出气体的排气管(51)；设置于排气管(51)上用于捕捉排出气体中的副产物的捕集结构(54)；和加热反应气体供给机构(60)，在对用于与排出气体中的成分反应得到规定副产物的反应气体进行加热后的状态下，向排出气体中供给该反应气体。从加热反应气体供给机构(60)供给NH3气体作为加热反应气体，生成NH4Cl作为副产物。