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公开(公告)号：CN114902372A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080092308.7
申请日：2020-10-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体加工方法包括将气体连续地提供到加工室中并且将AC源功率提供给源功率耦合元件达第一持续时间。该AC源功率在该加工室中生成等离子体。该方法进一步包括，在提供该气体和该AC源功率的同时，将第一负偏置电压施加到电子源电极达第二持续时间，并且在该第二持续时间结束时，从电子源电极去除该第一负偏置电压达第三持续时间以中断该电子束的生成。该第一负偏置电压生成朝向衬底固持器引导的电子束。该方法还包括在提供该气体和该AC功率的同时，将第二负偏置电压施加到该衬底固持器。该第一持续时间等于该第二持续时间和该第三持续时间的总和。
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公开(公告)号：CN114730689A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080078931.7
申请日：2020-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/033 , H01L21/768
Abstract: 一种用于操作等离子体加工系统的方法，包括确定用于为等离子体加工室内的第一等离子体供电的第一频率。该方法包括在宽带功率放大器处生成具有该第一频率的第一放大RF信号。该方法包括供应该第一放大RF信号，以使用包括该第一等离子体的第一等离子体工艺来加工布置在该等离子体加工室中的衬底。该方法包括确定用于为该等离子体加工室内的第二等离子体供电的第二频率。该方法包括在该宽带功率放大器处生成具有该第二频率的第二放大RF信号。该方法包括供应该第二放大RF信号，以使用包括该第二等离子体的第二等离子体工艺来加工布置在该等离子体加工室中的衬底。
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公开(公告)号：CN114730687A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080078614.5
申请日：2020-07-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体加工装置包括：加工室；衬底，其设置在该加工室中；以及多个电子源，其被配置成向在该加工室中产生的等离子体供应电子。该多个电子源中的每一个电子源包括面对该加工室中的等离子体的第一侧。该多个电子源中的每一个电子源还包括设置在该第一侧处并且被配置成保持处于负直流偏压的谐振结构。
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公开(公告)号：CN112534544A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980051970.5
申请日：2019-08-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体加工方法包括：生成源功率脉冲的第一序列；生成偏置功率脉冲的第二序列；将该第二序列中的这些偏置功率脉冲与该第一序列中的这些源功率脉冲组合，以形成交替的源功率脉冲和偏置功率脉冲的组合序列；以及使用该组合序列生成包括离子的等离子体并且通过将这些离子传送到衬底的主表面来加工该衬底。
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公开(公告)号：CN103890899B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201280047707.7
申请日：2012-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32247 , H01J37/32256 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供了多个等离子体调谐杆子系统。该等离子体调谐杆子系统可以包括一个或更多个微波腔，该微波腔被配置成通过在等离子体内和/或与等离子体邻近的一个或更多个等离子体调谐杆中产生谐振微波能量，来将期望的电磁（EM）波模式的EM能量耦合到等离子体。一个或更多个微波腔组件可以耦合到处理室，并且可以包括一个或更多个调谐空间/腔。每个调谐空间/腔可以具有与其耦合的一个或更多个等离子体调谐杆。一些等离子体调谐杆可以被配置成将EM能量从一个或更多个谐振腔耦合到处理室内的处理空间，由此在处理空间内产生均匀的等离子体。
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