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公开(公告)号：CN112053930A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010493660.3
申请日：2020-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供一种用于防止副产物的附着的静电卡盘、支承台及等离子体处理装置。提供一种用于对基板及边缘环进行支承的静电卡盘，包括：第一区域，具有第一上表面，并且被构成为对被放置在所述第一上表面上的基板进行保持；第二区域，具有第二上表面，以包围所述第一区域的方式在周向上延伸，并且被构成为对被放置在该第二上表面上的边缘环进行支承；电极，设置在所述第二区域；以及具有伸缩性的部件，其中，所述第一上表面和所述第二上表面沿着单一的平坦面延伸，在所述第一区域与所述第二区域之间提供将所述第一上表面与所述第二上表面彼此分离的空间，所述具有伸缩性的部件布置在所述边缘环的容纳在所述空间内的部分与所述静电卡盘之间。
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公开(公告)号：CN111326397A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201911273973.1
申请日：2019-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够使等离子体的面内分布均匀化的供电构造和等离子体处理装置。供电构造具备第1连接构件组和第1端子区域。第1连接构件组由多个连接构件构成，该多个连接构件以对配置于等离子体处理装置用的处理容器内的聚焦环施加偏置电位的方式沿着聚焦环的周向配置。第1端子区域为环状，该第1端子区域与多个连接构件电连接。
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公开(公告)号：CN111161991A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911081919.7
申请日：2019-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基片支承器，其包括支承基片的第1支承区域和支承聚焦环的第2支承区域。第2支承区域在周向延伸。基片支承器具有导电结构和保持件。导电结构包括导电路径和连接部件。导电路径在第2支承区域的径向上的外侧提供端子区域，并从该端子区域向下方延伸。连接部件将聚焦环与端子区域彼此电连接。连接部件以面向聚焦环的在该连接部件的径向上的外侧向下方延伸的面的方式配置在端子区域上。保持件以向下方按压连接部件，并且使连接部件按压聚焦环的面的方式保持该连接部件。由此，基片支承器能够在抑制对保持聚焦环的静电引力进行抵抗的力的产生的同时提供可与聚焦环连接的电气通路。
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公开(公告)号：CN111029237A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201910856969.1
申请日：2019-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基板支承组件、等离子体处理装置、以及等离子体处理方法。在该基板支承组件中，能够以抑制支承台与聚焦环之间的阻抗的变化的方式调整聚焦环的铅垂方向的位置。例示的实施方式的基板支承组件具备支承台和一个以上的压电元件。支承台具有下部电极和静电卡盘。支承台具有上表面。该上表面包括供基板载置于其上的第1区域和供聚焦环配置于其上方的第2区域。一个以上的压电元件设置于聚焦环与第2区域之间。一个以上的压电元件各自的厚度能够以抑制聚焦环与第2区域之间产生空间的方式变化。
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公开(公告)号：CN102751227A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210214785.3
申请日：2010-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67132 , Y10T29/49746 , Y10T428/219 , Y10T428/24777 , Y10T428/24843 , Y10T428/249982 , Y10T428/249985
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘装置，在静电卡盘装置的粘合剂层的侧面被侵蚀时，能够均匀地修补该侵蚀部分。一种静电卡盘装置，其在金属底座上至少具有粘合剂层和吸附层，其特征在于：在上述粘合剂层的侧面卷绕有线状的粘合剂，上述线状的粘合剂为与上述粘合剂层相同的成分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101246836B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810074117.9
申请日：2008-02-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23F4/00 , C23C16/458 , C23C14/50 , C30B25/12
CPC classification number: H01L21/68757 , C23C16/4581 , H01J37/20 , H01L21/67366 , H01L21/6875
Abstract: 本发明公开了一种防止基板的吸附不良以便提高基板处理设备的开工率的基板载置台。该基板载置台布置在基板处理设备中并具有在其上载置基板的基板载置表面。基板载置表面的算术平均粗糙度(Ra)不小于第一预定值，并且基板载置表面的初期磨损高度(Rpk)不大于第二预定值。
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公开(公告)号：CN101504928A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910005160.4
申请日：2009-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐佐木康晴
IPC: H01L21/687 , H01L21/00 , G05D23/00 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 本发明涉及基板载置台、基板处理装置和被处理基板的温度控制方法。在具有静电卡盘的基板载置台中，由于向静电卡盘电极供电的供电线的周围由绝缘材料包围，因而产生传热不良的部分。由此，提供一种补偿该部分的传热，使基板整体温度均匀的手段。在供电线周围的基板载置台表面形成有环状凸部，将基板与载置台之间的间隙的空间划分为内侧区域和外侧区域，在各区域配置冷却气体的供给管和排出管，独立地控制各区域冷却气体的压力。
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公开(公告)号：CN119678251A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380057882.2
申请日：2023-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐佐木康晴
IPC: H01L21/683 , C23C16/458 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种提高基片的温度的面内均匀性的静电吸盘和基片处理装置。静电吸盘包括：具有基片支承面的电介质层，上述基片支承面具有多个点状突起和包围上述多个点状突起的环状突起，上述环状突起具有内周壁和外周壁，上述内周壁在俯视时沿第一圆遍及整周地延伸，上述外周壁具有在俯视时沿比上述第一圆大的第二圆的一部分延伸的圆弧部分和在俯视时在上述圆弧部分的两端之间呈直线形地延伸的缺口部分；和吸盘电极层，其以在俯视时与上述环状突起遍及整周地重叠的方式配置在上述电介质层内。
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公开(公告)号：CN119517719A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411612988.7
申请日：2020-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种载置台和等离子体处理装置，该载置台包括用于支承基片和边缘环的静电吸盘和支承所述静电吸盘的基座，所述静电吸盘具有：第1区域，其具有第1上表面，能够支承所述第1上表面之上所载置的基片；第2区域，其具有第2上表面，并设置成与所述第1区域的周围成为一体，能够支承所述第2上表面之上所载置的边缘环；设置在所述第1区域中的用于施加直流电压的第1电极；设置在所述第2区域中的用于施加直流电压的第2电极；和用于施加偏置电功率的第3电极。根据本发明，能够抑制向基片的下表面与静电吸盘的上表面之间供给的传热气体的放电。
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公开(公告)号：CN118712116A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410765521.X
申请日：2019-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种载置被实施规定处理的基片的载置台，其包括：静电吸附上述基片的静电吸盘；配置在上述基片的周围的可输送的第一边缘环；固定在上述第一边缘环的周围的第二边缘环；使上述第一边缘环升降的升降销；配置在上述静电吸盘的与上述第一边缘环相对的位置的、该第一边缘环的静电吸附用的第一电极；和配置在上述静电吸盘的与上述第二边缘环相对的位置的、该第二边缘环的静电吸附用的第二电极。
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