一种片状微晶粉体的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN115520898A

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202211205790.8

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 本发明公开本发明公开了一种片状微晶粉体的制备方法及应用。本发明的片状微晶粉体的化学通式为(Mg1‑xZnx)4(Ta1‑yNby)2O9,其中x=0~1,y=0~1。其制备方法为:按化学通式称取原料,并称取NaCl和KCl原料;各原料与无水乙醇研磨混匀并烘干,于马弗炉中950℃下烧结;将烧结样品研磨至粉碎后转移至玻璃杯,加入去离子水,采用加热搅拌溶解‑抽滤的方法除去其中的NaCl和KCl熔盐,最后干燥即得片状微晶粉体。该片状微晶粉体的晶粒取向性明显,径向长度为0.1~2.5μm,厚度为0.05~0.3μm,具有大的宽高比。可作为制造微波介质陶瓷、闪烁透明陶瓷、硼酸盐玻璃微晶闪烁体等的前驱粉体。

    一种闪烁发光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113563882B

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202110913543.2

    申请日:2021-08-10

    Abstract: 本发明公开了一种闪烁发光材料及其制备方法。所述闪烁发光材料的化学通式为(Mg1‑xZnx)4(Ta1‑yNby)2O9,其中,x=0~1,y=0~1。制备方法为:按化学通式称取原料,将所有原料混合均匀;然后将混合物在空气气氛中依次预烧、煅烧,再自然冷却到室温,研磨即可。本发明中的闪烁发光材料采用高温固相法合成,在空气中稳定存在,工艺安全简单,容易控制。在X射线激发下,得到的样品光产额在18035~70150ph/MeV,最高可达CsI(Tl)的1.3倍、Mg4Ta2O9(MTO)和CdWO4的4.4倍。

    一种硼酸盐闪烁微晶玻璃及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113372004B

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202110746405.X

    申请日:2021-07-01

    Abstract: 本发明公开了一种硼酸盐闪烁微晶玻璃及其制备方法和应用。本发明的硼酸盐闪烁微晶玻璃的化学组成表达式为Li2B4O7‑(Mg1‑xZnx)4(Ta1‑yNby)2O9,其中,0≤x≤1,0≤y≤1,微晶相(Mg1‑xZnx)4(Ta1‑yNby)2O9的掺杂比例为1~20wt%。本发明中的闪烁发光材料采用高温固相法合成,在空气中稳定存在,工艺安全简单,容易控制。本发明的闪烁微晶玻璃在X射线激发下,光产额在948~3606ph/MeV。其中Li2B4O7‑15wt%(Mg0.5Zn0.5)4(Ta0.5Nb0.5)2O9的光产额最高,是BGO晶体的45.1%。

    一种闪烁发光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113563882A

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202110913543.2

    申请日:2021-08-10

    Abstract: 本发明公开了一种闪烁发光材料及其制备方法。所述闪烁发光材料的化学通式为(Mg1‑xZnx)4(Ta1‑yNby)2O9,其中,x=0~1,y=0~1。制备方法为:按化学通式称取原料,将所有原料混合均匀;然后将混合物在空气气氛中依次预烧、煅烧,再自然冷却到室温,研磨即可。本发明中的闪烁发光材料采用高温固相法合成,在空气中稳定存在,工艺安全简单,容易控制。在X射线激发下,得到的样品光产额在18035~70150ph/MeV,最高可达CsI(Tl)的1.3倍、Mg4Ta2O9(MTO)和CdWO4的4.4倍。

    稀土掺杂钽酸镁闪烁发光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113563881A

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202110912968.1

    申请日:2021-08-10

    Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂钽酸镁闪烁发光材料及其制备方法。所述稀土掺杂钽酸镁闪烁发光材料的化学通式为Mg4Ta2O9:RE,其中RE为稀土元素。制备方法为:按化学通式称取原料,将所有原料混合均匀;然后将混合物在空气气氛中依次预烧、煅烧,再自然冷却到室温,研磨即可。本发明中的闪烁发光材料采用高温固相法合成,在空气中稳定存在,工艺安全简单,容易控制。所制得的闪烁发光材料在X射线激发下,得到的不同稀土掺杂的Mg4Ta2O9:RE样品,光产额在13848~43917ph/MeV,最高可达CsI(Tl)的81%、Mg4Ta2O9和CdWO4的2.4倍。

    钽酸镁系列晶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN108203844A

    公开(公告)日:2018-06-26

    申请号:CN201810019067.8

    申请日:2018-01-09

    Abstract: 本发明公开了一种钽酸镁系列晶体,即MgO‑Ta2O5赝二元体系,分别为Mg4Ta2O9、Mg3Ta2O8和MgTa2O6。还提供了制备钽酸镁系列晶体的方法,采用过量MgO或Mg(OH)2组分补偿,通过固相反应合成高纯MgTa2O6和Mg4Ta2O9粉料,并采用微下拉法生长出厘米级棒状MgTa2O6和Mg4Ta2O9单晶体;以Mg4Ta2O9和MgTa2O6作熔融起始物,采用自发成核技术,在MgTa2O6陶瓷籽晶棒上生长出厘米级棒状Mg3Ta2O8单晶体。本发明采用微下拉法,有效利用其生长界面附近的高温度梯度,实现快速、高均匀性结晶,有效利用后加热器避免热应力过大所导致的开裂问题。

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