公开(公告)号：CN101736323A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910311897.9

申请日：2009-12-21

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈彬 ,  孙方宏 ,  张志明 ,  沈荷生 ,  郭松寿

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/27

Abstract: 一种刀具制造技术领域的刀具表面掺硼金刚石复合涂层制备装置，包括：反应罩、合金钻头、支撑台及冷却装置、直流偏压电源、热丝电源、气压控制装置、耐高温弹簧、热丝和钻头支架，其中：合金钻头和耐高温弹簧分别竖直设置于钻头支架上，热丝的两端分别与耐高温弹簧相连接，钻头支架固定设置于支撑台及冷却装置上，反应装置固定设置于支撑台及冷却装置以及钻头支架的外部并与气压控制装置相连接，直流偏压电源分别于热丝及反应罩外壳相连，热丝电源的分别与热丝及耐高温弹簧相连。能够保证金刚石复合薄膜与基体之间具有良好的附着强度，并且能够有效改善金刚石薄膜的表面质量和均匀性，从而提高金刚石薄膜涂层刀具的使用寿命和切削性能。

公开(公告)号：CN101476113A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200910045950.5

申请日：2009-01-22

Applicant: 上海交通大学 ,  上海交友钻石涂层有限公司

Inventor： 孙方宏 ,  张志明 ,  沈荷生 ,  郭松寿

IPC: C23C16/22

Abstract: 本发明涉及一种薄膜技术领域的化学气相沉积制备掺硼导电金刚石薄膜方法，将硼酸三甲酯按预定的B/C比溶解于丙酮，并放置于始终保持0℃的鼓泡瓶中，以控制碳源和硼源的流量。部分氢气流量作为载气，用鼓泡法将液体蒸气带出。本发明不会发生硼酸三甲酯掺硼分解出硼酸，对流量计、针形阀和管道的堵塞，制成的薄膜电阻率低(10－3Ω.·cm)，金刚石成份占绝对优势，质量好。掺硼制备过程安全无毒，没有硼源对大气等污染问题。

公开(公告)号：CN100465334C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200510027575.3

申请日：2005-07-07

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 孙方宏 ,  张志明 ,  沈荷生 ,  郭松寿 ,  陈明

IPC: C23C16/27 ,  F16C33/12

Abstract: 一种机械制造领域的金刚石薄膜涂层轴承支撑器的制备方法，采用基体表面去钴和粗化、脱碳和还原处理、反应气体中添加粘结促进剂预处理，通过控制CVD涂层工艺参数，金刚石沉积初期，在硬质合金衬底上以提高成核密度为主；在金刚石生长中间阶段，以生长 、 晶粒取向的涂层质量好、附着力强的金刚石多晶膜为主；金刚石沉积后期，通过升高反应气体压力、增加碳源浓度、在反应系统中通入氮气，在金刚石多晶膜上再原位生长一层由超细微晶聚集而成的球状金刚石晶粒薄膜，获得光滑金刚石薄膜，将该金刚石薄膜涂层支撑块粘接在粘结在钢支架上制成金刚石薄膜涂层轴承支撑器。本发明轴承支撑器寿命长，耐用度高，停机次数和生产辅助时间显著减少。

公开(公告)号：CN1631776A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN200410068036.X

申请日：2004-11-11

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈荷生 ,  欧阳斯可 ,  戴永兵 ,  汪涛 ,  何贤昶

IPC: C01B33/06 ,  H05H1/46

Abstract: 一种微波氢等离子体制备金属硅化物薄膜的方法，用于薄膜制备领域。本发明用微波氢等离子体热处理使纳米级厚度的金属薄膜与硅衬底实现固相反应制备金属硅化物薄膜，首先将纳米级厚度的金属薄膜预沉积于硅衬底上，并置于微波加热装置中的反应室中，反应室抽真空后充入氢气，用于产生加热等离子体和还原性保护氛围，然后微波由反应室的顶部馈入并产生氢等离子体，硅衬底温度通过调节微波功率控制，并由外部红外测温仪透过石英窗口测量，当温度达到设定值后，调节微波功率，使温度达到稳定，金属薄膜与硅衬底在等离子体高温和微波的双重作用下进行固相反应，形成金属硅化物薄膜。

公开(公告)号：CN1603464A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410067571.3

申请日：2004-10-28

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 孙方宏 ,  张志明 ,  沈荷生 ,  郭松寿

IPC: C23C16/503 ,  C23C16/27

Abstract: 一种镀覆技术领域的制备纳米金刚石薄膜的辅助栅极热丝化学气相沉积法，在热丝CVD沉积金刚石薄膜的基础上，增加一种辅助栅极，辅助栅极在热丝沉积初期，先行沉积一层金刚石薄膜，然后在栅极和热丝之间加上直流偏压，栅极为负，栅极表面的金刚石薄膜即发射电子而形成直流放电，其中正离子将轰击栅极，被轰击下来的金刚石原子和原子集团将溅落到衬底上，成为金刚石形核和生长驱动点，溅射对衬底上金刚石的高密度形核和二次形核起了关键作用，衬底表面沉积得到纳米金刚石薄膜。本发明能达到极高的形核密度，同时在生长过程中有很高的二次形核速率，能生长得到纳米级的金刚石薄膜，沉积后薄膜无须研磨抛光就能达到较高的光洁度，满足使用要求。

公开(公告)号：CN1181219C

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN02136951.8

申请日：2002-09-12

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张志明 ,  沈荷生 ,  孙方宏 ,  郭松寿 ,  金卫国

IPC: C23C16/27 ,  B21C3/02

Abstract: 一种大孔径金刚石涂层拉拔模制备方法，以孔径大于φ15毫米的硬质合金拉拔模为衬底，内孔表面经稀盐酸滴加双氧水腐蚀、清洗后置于反应室中，采用由多根热丝组成并由圆形钼片均匀隔离分布的鼠笼式热丝组件来替代单根热丝，热丝组件穿过模孔后用耐高温弹簧拉直，并使热丝组件轴线与模孔轴线相重合，然后用热丝CVD法在内孔表面沉积得到金刚石涂层及纳米金刚石复合涂层。由于本发明采用的鼠笼式多根热丝分布的对称性与均匀性，以及热丝与孔径表面的距离缩短，涂层的质量和厚度都能得到保证。制备的涂层拉拔模可用于多股电线的绞合和紧压，也可用于金属管的管壁减薄、管壁对焊、定径等各种用途，具有摩擦系数小、使用寿命长等优点。

公开(公告)号：CN1060537C

公开(公告)日：2001-01-10

申请号：CN98110896.2

申请日：1998-06-12

Applicant: 上海交通大学 ,  南京新金刚石工具有限公司

Inventor： 张志明 ,  沈荷生 ,  何贤昶 ,  郭松寿 ,  孙兵

IPC: C23C16/26 ,  B21C3/02

Abstract: 一种金刚石涂层拉丝模及其制备方法，以市售大孔径硬质合金拉丝模为衬底，内孔表面酸处理腐蚀钴时滴加双氧水进行促进和控制，以平行气流穿孔热丝CVD沉积方法制备金刚石薄膜涂层，即将热灯丝拉直穿过拉丝模的孔并置于模孔的轴心，所需的反应气体气流与热灯丝方向一致。这种拉丝模涂层均匀，附着力强，与常规的硬质合金拉丝模相比，工作寿命可提高5倍以上。