用于非自耗电极电弧炉的冷却控温装置

    公开(公告)号:CN1614345A

    公开(公告)日:2005-05-11

    申请号:CN200410084735.3

    申请日:2004-12-02

    Abstract: 一种用于非自耗电极电弧炉的冷却控温装置,用于冶炼设备领域。本发明包括:不锈钢包套、不锈钢壳体、电阻丝炉、耐火保温材料,其连接关系为:不锈钢包套为一气密的不锈钢包套,在不锈钢包套中设有一个不锈钢壳体,电阻丝炉固定于此不锈钢壳体内,电阻丝炉与不锈钢壳体之间衬有耐火保温材料,铜模经不锈钢壳体上方的圆形开口插入电阻丝炉中,不锈钢包套上设有接线柱,加热装置,控温装置和测温装置通过该接线柱与电阻丝炉相连结。本发明对合金冷却速度的控制,可以消除凝固合金中的显微组织偏析和气孔、裂纹等铸造缺陷,这对于合金的实际应用及性能评价是至关重要的。

    高导热低膨胀复合材料及其制备工艺

    公开(公告)号:CN1100155C

    公开(公告)日:2003-01-29

    申请号:CN00111439.5

    申请日:2000-01-13

    Abstract: 一种高导热低膨胀复合材料及其制备工艺,以高导热特性铜Cu与负膨胀特性钨酸锆α-ZrW2O8为组元的复合材料,采用化学镀工艺,在α-ZrW2O8粉体表面包覆铜层,掺杂微量超细石墨C粉,球磨混合过筛后采用冷等静压成型,再采用微波烧结工艺,获得致密的Cu/ZrW2O8复合材料。本发明工艺简单合理,制得的复合材料有较高的致密度和较好的热稳定性,可以用作超大规模集成电路以及电子器件基片材料。

    金属膜高阻电阻器及其制造工艺

    公开(公告)号:CN1093310C

    公开(公告)日:2002-10-23

    申请号:CN99113963.1

    申请日:1999-08-06

    Abstract: 一种金属膜高阻电阻器及其制造工艺,采用含镧系和锕系稀土元素的Si-Cr-Ni-Re四元合金体系高阻溅射靶材为原材料,具体成份为Si(35%-72%)、Cr(25%-50%)、Ni(2%-20%),稀土元素含量为三元素总重量的0.1%-3.0%,采用直流溅射加射频溅射工艺,得到独特的双层膜结构的电阻体,直流溅射气体为氩气,射频溅射气体为氩气和氧气混合物。本发明制成的电阻器性能稳定、精密度高,电阻温度系数低,适合精密型电子元器件的要求。

    低膨胀或负膨胀复相陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN1266826A

    公开(公告)日:2000-09-20

    申请号:CN00111952.4

    申请日:2000-03-10

    Abstract: 一种低膨胀或负膨胀复相陶瓷极其制备方法,采用湿化学法制备前驱体,微波低温煅烧的合成工艺获得化学为:(Zr1-xAx)(W2-yMoy)O8-δ固溶体化合物,其中,A为+3价或+4价金属原子,如Al、Ga或Sc,La,Y或Ce等,x值取0~0.15,y值取0.2~0.4,δ值取0~0.10。这种以立方相ZrW2O8为基本结构,A与Mo原子不同掺杂量形成的固溶体化合物表现或低或负的热膨胀系数,这种新型的复相陶瓷材料能满足一些受热膨胀因素引起的信号漂移的光器件或电子器件等应用的需要。

    (MoxNb1-x)Si2电化学表面处理提高抗氧化性能的方法

    公开(公告)号:CN1936100A

    公开(公告)日:2007-03-28

    申请号:CN200610116285.0

    申请日:2006-09-21

    Abstract: 本发明涉及一种材料表面处理技术领域的(MoxNb1-x)Si2电化学表面处理提高抗氧化性能的方法。本发明采用烧结的(MoxNb1-x)Si2多晶材料同时作为阳极和阴极材料,置于电解液中,在电压值为10V条件下处理5~12h,其中x=0~0.6。本发明中(MoxNb1-x)Si2材料经阳极氧化处理后,其抗氧化性能相对未处理前多晶样品和单晶样品在1023K时有明显提高。与添加合金元素或高温氧化相比,此方法工艺操作简单,成本低廉。

    三元硅化物高温原位氧化的检测方法

    公开(公告)号:CN1869641A

    公开(公告)日:2006-11-29

    申请号:CN200610028326.0

    申请日:2006-06-29

    Abstract: 一种三元硅化物高温原位氧化的检测方法,属于用于材料高温氧化测试领域。本发明将钻有圆孔并且测量了表面积的三元硅化物材料试样用烧至恒重的铂铑丝悬挂,与试样相连的铂铑丝的一端伸入高温炉膛中间位置,铂铑丝的另一端处于炉膛外面与镍铬丝相连,镍铬丝悬挂于棉线下,棉线固定在电子天平底座的挂钩上,电子天平与计算机用数据线相连,试样在高温炉中随炉加热,当温度上升到540℃时,试样开始氧化,试样的质量发生变化,与电子天平相连的计算机连续记录试样的质量变化,根据该变化反映试样的抗氧化性。本发明试验方法易行,试验装置简单,不仅可用于原位氧化,还可用于循环氧化,非常直观方便地测试高温材料三元硅化物材料的高温抗氧化能力。

    金属锡粘结钕铁硼稀土永磁材料的方法

    公开(公告)号:CN1209772C

    公开(公告)日:2005-07-06

    申请号:CN03115679.7

    申请日:2003-03-06

    Abstract: 一种金属锡粘结稀土永磁材料的方法属于无机粘结技术领域。配制钝化还原反应所需的K2Cr2O7水溶液、盐酸水溶液、NaOH水溶液和NaHSO3水溶液,配制自制分散剂溶液,配比为1~3重量百分比的松香,97~99重量百分比无水酒精,钕铁硼磁粉钝化还原预处理,分别先后两次用K2Cr2O7溶液和NaHSO3溶液对钕铁硼磁粉进行钝化还原处理,并分别先后两次用盐酸溶液和NaOH溶液调节pH值,在经包裹处理的92~98重量百分比钕铁硼磁粉和2~8重量百分比金属锡粉的混合料中加入步骤A所述的分散剂溶液,并混合均匀。本发明极大提高磁粉的高温抗氧化性能,使其满足金属锡粘结工艺的实施温度,用自制分散剂解决了金属锡粘结剂在磁粉中分布不均匀的问题,得到性能优良的钕铁硼粘结磁体。

    薄膜材料及器件耐腐蚀性能的电阻变化率检测方法

    公开(公告)号:CN1605853A

    公开(公告)日:2005-04-13

    申请号:CN200410084297.0

    申请日:2004-11-18

    Abstract: 一种薄膜材料及器件耐腐蚀性能的电阻变化率检测方法,将薄膜试样的测试表面浸泡在所配制模拟海洋性气候环境的腐蚀介质溶液中,试样在腐蚀过程中,与腐蚀介质接触表面的微观组织状态发生变化或发生腐蚀剥离,造成该尺寸区域材料有效导电层厚度改变,从而引起其电阻的变化,测量从浸泡起始后试样电阻随时间的变化率,根据变化率就可以反映薄膜材料及器件的耐腐蚀性能和长期使用可靠性。本发明能够方便可靠的检测薄膜材料的耐腐蚀性能,而无需复杂的仪器设备,不仅可以进行不同材料、不同腐蚀介质(种类、浓度、温度)的比较研究,而且可以对材料的长期使用可靠性做出预测。同时也可以与其它现有模拟环境腐蚀试验装置结合起来使用。

    多元钨酸盐负膨胀微晶陶瓷涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN1159258C

    公开(公告)日:2004-07-28

    申请号:CN02111913.9

    申请日:2002-06-03

    Inventor: 孔向阳 吴建生

    Abstract: 一种多元钨酸盐负膨胀微晶陶瓷涂层及其制备方法,陶瓷涂层组分为稳定的掺杂立方ZrW2O8固溶体微晶及非晶玻璃相,掺杂立方ZrW2O8固溶体中的元素,可以是三价金属元素,钼或磷元素,掺杂后的固溶体结晶相须保持稳定的立方相结构。采用湿化学工艺获得多元钨酸盐湿凝胶,在近零膨胀石英玻璃薄基片上,多次甩胶涂覆、热处理,形成致密无宏观缺陷的陶瓷涂层。本发明的陶瓷涂层与石英玻璃基片结合构成的叠层复合材料具有负膨胀行为,膨胀系数在温度为-20~80℃范围内为-2.0~-0.3×10-6/℃。本发明的陶瓷涂层及其叠层复合材料,能用于制作非温敏性光器件或电子器件的温度补偿材料。

    含混合稀土元素的高阻溅射靶材及其生产工艺

    公开(公告)号:CN1121507C

    公开(公告)日:2003-09-17

    申请号:CN99113965.8

    申请日:1999-08-06

    Abstract: 含混合稀土元素的高阻溅射靶材及其生产工艺,在合金体系中加入镧系和锕系稀土元素,使靶材成为Si-Cr-Ni-Re(Re为稀土元素)四元合金体系,具体成份为Si 35%-72%、Cr 25%-50%、Ni 2%-20%,三元素总和百分比为100%,稀土含量为三元素总重量的0.1%-3.0%,采用特殊真空感应熔炼失蜡熔模精密浇铸。本发明提供的新型靶材具有高精密性、稳定性、可靠性和良好的通用性,可同时适用于制备金属膜和金属氧化膜电阻器,拓展了靶材的适用范围并降低生产成本。

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