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公开(公告)号：CN1091084C
公开(公告)日：2002-09-18
申请号：CN00111952.4
申请日：2000-03-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/488 , C04B35/622
Abstract: 一种低膨胀或负膨胀复相陶瓷极其制备方法，采用湿化学法制备前驱体，微波低温煅烧的合成工艺获得化学式为(Zr1-xAx)(W2-yMoy)O8-δ固溶体化合物，其中，A为+3价或+4价金属原子，如Al、Ga或Sc，La，Y或Ce等，x值取0～0.15，y值取0.2～0.4，δ值取0～0.10。这种以立方相ZrW2O8为基本结构，A与Mo原子不同掺杂量形成的固溶体化合物表现或低或负的热膨胀系数，这种新型的复相陶瓷材料能满足一些受热膨胀因素引起的信号漂移的光器件或电子器件等应用的需要。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1262336A
公开(公告)日：2000-08-09
申请号：CN00111439.5
申请日：2000-01-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: C22C29/12 , C22C32/00 , C22C1/04 , C04B35/495 , C04B35/628 , B22F1/02
Abstract: 一种高导热低膨胀复合材料及其制备工艺,以高导热特性铜Cu与负膨胀特性钨酸锆ZrW2O8为组元复合材料,采用化学镀工艺,在ZrW2O8粉体表面包覆铜层,掺杂微量超细石墨C粉,球磨混合过筛后采用冷等静压成型,再采用微波烧结的工艺,获得致密的Cu/ZrW2O8复合材料。本发明工艺简单合理,制得的复合材料有较高的致密度和较好的热稳定性,可以用作超大规模集成电路以及电子器件基片材料。
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公开(公告)号：CN1100155C
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：CN00111439.5
申请日：2000-01-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: C22C29/12 , C22C32/00 , C22C1/04 , C04B35/495 , C04B35/628 , B22F1/02
Abstract: 一种高导热低膨胀复合材料及其制备工艺，以高导热特性铜Cu与负膨胀特性钨酸锆α-ZrW2O8为组元的复合材料，采用化学镀工艺，在α-ZrW2O8粉体表面包覆铜层，掺杂微量超细石墨C粉，球磨混合过筛后采用冷等静压成型，再采用微波烧结工艺，获得致密的Cu/ZrW2O8复合材料。本发明工艺简单合理，制得的复合材料有较高的致密度和较好的热稳定性，可以用作超大规模集成电路以及电子器件基片材料。
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公开(公告)号：CN1266826A
公开(公告)日：2000-09-20
申请号：CN00111952.4
申请日：2000-03-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/488 , C04B35/622
Abstract: 一种低膨胀或负膨胀复相陶瓷极其制备方法,采用湿化学法制备前驱体,微波低温煅烧的合成工艺获得化学为：(Zr1－xAx)(W2－yMoy)O8－δ固溶体化合物，其中,A为+3价或+4价金属原子,如Al、Ga或Sc,La,Y或Ce等,x值取0～0.15,y值取0.2～0.4,δ值取0～0.10。这种以立方相ZrW2O8为基本结构,A与Mo原子不同掺杂量形成的固溶体化合物表现或低或负的热膨胀系数,这种新型的复相陶瓷材料能满足一些受热膨胀因素引起的信号漂移的光器件或电子器件等应用的需要。
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