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公开(公告)号：CN118679381A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202280091478.2
申请日：2022-02-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01N25/20
Abstract: 非侵入式物质分析装置（1）具备样本支撑板（10）、激励光源（20）、以及温度传感器（25、26）。样本支撑板（10）具有包括样本载置区域（12）的主面（10a）和与主面（10a）相反的一侧的主面（10b）。温度传感器（25、26）设置于主面（10a）上。从样本载置区域（12）延伸至主面（10b）的贯通孔（13）设置于样本支撑板（10）。从激励光源（20）放射的激励光（21）经由贯通孔（13）被照射到载置于样本载置区域（12）上的样本（15）。
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公开(公告)号：CN114600016B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202080072520.7
申请日：2020-10-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种光栅耦合器，具有第一端和第二端，用于将光束耦合到芯片的波导，所述光栅耦合器包括：基板，所述基板被配置为从第一端接收光束，并且通过第二端发送光束，所述基板具有第一折射率n1；布置在基板上的具有弯曲的光栅线的光栅结构，所述光栅结构具有第二折射率n2，其中所述弯曲的光栅线具有线宽w和高度d，并且按间距Λ布置，其中第二折射率n2大于第一折射率n1；以及被配置为覆盖光栅结构的包覆层，其中所述包覆层具有第三折射率n3。光栅线的曲线被构造为使得发射射束被成形以用于高效地耦合到另一光学组件。所述曲线也可以是倾斜的以减少返回到波导中的耦合。
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公开(公告)号：CN115190968A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202080097731.6
申请日：2020-03-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01N21/3581 , G01N21/41 , A61B5/1455
Abstract: 生物体成分测定装置(1)具备光学媒质(10)、高导热膜(30)、激励光源(16)、探测光源(20)、以及光位置检测器(25)。高导热膜(30)具有比光学媒质(10)高的热导率，并且设置于光学媒质(10)的样本载置面(第2面(12))上。高导热膜(30)使从被照射激励光(17)的样本(5)发生的热，相比于第2方向(y方向)，更在第1方向(x方向)上扩散。第1方向是在样本载置面的俯视图中探测光(21)的行进方向。第2方向是在样本载置面的俯视图中与第1方向垂直的方向。
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公开(公告)号：CN114829903A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080088145.5
申请日：2020-07-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01N21/41
Abstract: 生物体成分测定装置(1)具备光学介质(10)、激发光源(16)、探测光源(20)以及光位置检测器(25)。光学介质(10)包括样本载置面(第2面(12))。激发光源(16)朝向载置于样本载置面(第2面(12))上的样本(5)放射激发光(17)。探测光源(20)放射在光学介质(10)中前进的探测光(21)。光位置检测器(25)检测从光学介质(10)射出的探测光(21)的位置。光学介质(10)由硫系玻璃形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114600016A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080072520.7
申请日：2020-10-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种光栅耦合器，具有第一端和第二端，用于将光束耦合到芯片的波导，所述光栅耦合器包括：基板，所述基板被配置为从第一端接收光束，并且通过第二端发送光束，所述基板具有第一折射率n1；布置在基板上的具有弯曲的光栅线的光栅结构，所述光栅结构具有第二折射率n1，其中所述弯曲的光栅线具有线宽w和高度d，并且按间距Λ布置，其中第二折射率n2小于第一折射率n1；以及被配置为覆盖光栅结构的包覆层，其中所述包覆层具有第三折射率n3。光栅线的曲线被构造为使得发射射束被成形以用于高效地耦合到另一光学组件。所述曲线也可以是倾斜的以减少返回到波导中的耦合。
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公开(公告)号：CN113196599A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980084093.1
申请日：2019-12-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/343 , H01S5/50 , G02F1/025 , H04B10/556
Abstract: 光发送装置(1)具备第1多值光相位调制部(10)和第1半导体光放大部(30)。第1半导体光放大部(30)的第1活性区域(32)包括第1多量子阱构造。在将多个第1阱层(32a)的第1层数设为n1，将第1活性区域(32)的第1长度设为L1(μm)时，(a)n1＝5并且400≤L1≤563或者(b)n1＝6并且336≤L1≤470或者(c)n1＝7并、280≤L1≤432或者(d)n1＝8并且252≤L1≤397或者(e)n1＝9并且224≤L1≤351或者(f)n1＝10并且200≤L1≤297。
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公开(公告)号：CN111373312A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201880070322.X
申请日：2018-08-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/017
Abstract: 半导体光调制器(1)包括调制区域(A)和非调制区域(C)。非调制区域(C)中的第一接地电极(112)的第一宽度大于调制区域(A)中的第一接地电极(112)的第二宽度。非调制区域(C)中的第二接地电极(113)的第三宽度大于调制区域(C)中的第二接地电极(113)的第四宽度。第一绝缘层(24a、24b)在非调制区域(C)中配置于第一光波导(13a)与第一行波电极(114)之间以及第二光波导(13b)与第二行波电极(116)之间。因此，半导体光调制器(1)能够实现宽带化。
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公开(公告)号：CN107104738B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201710084829.8
申请日：2017-02-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H04B10/556
CPC classification number: H04B10/54 , G02F1/225 , G02F1/2255 , G02F2001/212 , G02F2201/58 , G02F2203/07 , G02F2203/70 , H04B10/501 , H04B10/5053 , H04B10/532 , H04B10/564
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够通过简易的结构进行高品质的调制光的合成以及发送的光发送器以及光发送器的控制方法。光发送器具备：分路部；第1光调制器、第2光调制器，对通过分路部分路出的各路光进行调制；第1SOA、第2SOA，分别连接于第1光调制器、第2光调制器的后级；第1检测器、第2检测器，分别检测第1SOA、第2SOA的光输出强度；控制部，根据第1检测器、第2检测器的检测值，设定第1SOA、第2SOA的增益，以使得第1SOA、第2SOA的光输出强度相等；以及合成部，对第1SOA、第2SOA的各自的输出光进行合成，第1光调制器、第2光调制器以及第1SOA、第2SOA集成于同一基板上。
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公开(公告)号：CN109716679A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780057766.5
申请日：2017-05-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H04B10/516 , G02F1/015 , G02F1/025
Abstract: 定时调整部(20)根据定时设定而使第一数据流群组和第二数据流群组之间的定时进行移位。在第一测试模式下，数据生成部(19)生成重复2N位的标记和2N位的空白的第一测试数据流作为第一数据流和第三数据流的各个数据流，且生成相对于第一测试数据流移位了N位后的第二测试数据流，设N为自然数。设第一相位差设定以及第二相位差设定为零。定时调整部(20)以使来自峰值检波电路(18)的检测值最大化的方式调整定时设定。
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