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公开(公告)号：CN110690119A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910576377.4
申请日：2019-06-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/488 , H01L21/329 , H01L29/861
Abstract: 提供一种能够提高半导体装置的耐久性的技术。半导体装置具备：半导体衬底、半导体衬底之上的电极、电极之上的焊料接合用金属膜、焊料接合用金属膜之上的防氧化用金属膜、以及防氧化用金属膜之上的焊料层。在从防氧化用金属膜侧俯视观察焊料接合用金属膜及防氧化用金属膜时，焊料接合用金属膜具有不与防氧化用金属膜重叠的第1部分。
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