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公开(公告)号:CN1319114C
公开(公告)日:2007-05-30
申请号:CN02150439.3
申请日:2002-11-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0048 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01L51/0021 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种电子器件,该器件具有由易于与碳反应的金属制造的电极。在该电子器件中,其上通过利用含碳和氧的反应气体的化学气相沉积方法沉积碳纳米管的电极由这样的金属制造,该金属在与碳反应时比在与氧反应时产生更少的反应焓。因为电极由一种与碳反应快过与氧反应的金属制造,所以在电极上形成碳化金属层,从而防止电极氧化。因此,碳纳米管易于沉积在电极上。
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公开(公告)号:CN1820851A
公开(公告)日:2006-08-23
申请号:CN200610009266.8
申请日:2006-02-15
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: B01J37/00 , B01J32/00 , B01J31/06 , B01J23/755 , C01B31/02
CPC classification number: C23C16/04 , B01J23/755 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01M4/96
Abstract: 本发明公开一种用于合成碳纳米管的催化剂层的制备方法和使用其合成碳纳米管的方法。所述催化剂层的制备方法包括:在基底上涂覆由共聚物形成的薄膜;热处理所述基底上的薄膜以形成规则结构;去除形成所述共聚物的嵌段共聚物的一部分;在去除所述嵌段共聚物的一部分的薄膜上沉积催化剂基体;以及去除所述薄膜以形成由多个金属催化剂点的催化剂层。
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公开(公告)号:CN1700400A
公开(公告)日:2005-11-23
申请号:CN200510072906.5
申请日:2005-05-23
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J29/06 , H01J29/481
Abstract: 本发明提供了一种场发射显示器及其制造方法。该场发射显示器包括:衬底;在衬底的顶面上相互平行地形成的多个底栅极电极;在底栅极电极的上面部分上垂直于底栅极电极形成的多个阴极电极,在阴极电极的与底栅极电极相交的部分中形成各个阴极孔;在阴极电极上相对于阴极孔的中心对称形成的多个发射极;及在阴极孔的中心部分形成的与底栅极电极电连接的多个栅极电极。
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公开(公告)号:CN1637511A
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:CN200410092217.6
申请日:2004-11-03
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02F1/1335 , H01J1/30 , H01J31/00 , G09G3/00 , G03F7/20
CPC classification number: H01J9/241 , H01J9/025 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 提供一种用于液晶显示器(LCD)的场发射背光装置。所述背光装置包括:下衬底;以平行线交替形成在下衬底上的第一电极和第二电极;设置在第一和第二电极中至少第一电极上的发射器;与下衬底隔开预定距离的上衬底,使得上衬底和下衬底彼此面对;形成在上衬底的底面上的第三电极;以及形成在第三电极上的荧光层。由于背光装置具有三极管型场发射构造,所以场发射非常稳定。由于第一电极和第二电极被形成在同一平面中,所以改善了亮度均匀度并简化了制造工艺。如果发射器被设置在第一电极和第二电极上,以及为第一电极和第二电极交替地施加阴极电压和栅极电压,则能够改善发射器的使用寿命和亮度。
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公开(公告)号:CN1520239A
公开(公告)日:2004-08-11
申请号:CN200310123723.2
申请日:2003-12-23
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 韩仁泽
CPC classification number: B82Y10/00 , H05B33/26 , H05B33/28 , Y10S428/917
Abstract: 本发明提供了一种无机电致发光器件。该器件具有堆叠结构,其中在与无机发光层相接触的介电层与电极之间设置了电场增强层。在器件中,通过电场增强层提供了额外的电子,从而增大了发光效率,使得器件能够发射具有所需亮度的光,并且延长器件的寿命。
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公开(公告)号:CN1434480A
公开(公告)日:2003-08-06
申请号:CN02150439.3
申请日:2002-11-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0048 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01L51/0021 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种电子器件,该器件具有由易于与碳反应的金属制造的电极。在该电子器件中,其上通过利用含碳和氧的反应气体的化学气相沉积方法沉积碳纳米管的电极由这样的金属制造,该金属在与碳反应时比在与氧反应时产生更少的反应焓。因为电极由一种与碳反应快过与氧反应的金属制造,所以在电极上形成碳化金属层,从而防止电极氧化。因此,碳纳米管易于沉积在电极上。
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