公开(公告)号：CN107155330A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201580056578.1

申请日：2015-06-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郑镐国 ,  吴在镇 ,  柳东完 ,  韩秀真 ,  姜基煜 ,  姜义洙 ,  金伦焕 ,  金勋 ,  朴宰汉 ,  梁容卓 ,  柳银善 ,  李韩壹 ,  郑又硕

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及一种有机光电装置和包括其的显示装置，该有机光电装置包括：彼此面对的阳极和阴极；位于阳极和阴极之间的发光层；位于阳极和发光层之间的空穴传输层；位于空穴传输层和发光层之间的辅助空穴传输层；位于阴极和发光层之间的电子传输层；和位于电子传输层和发光层之间的辅助电子传输层，其中辅助电子传输层包含至少一种由以下化学式1表示的第一化合物，且辅助空穴传输层包含至少一种由以下化学式2表示的部分、以下化学式3表示的部分和以下化学式4表示的部分的组合表示的第二化合物。化学式1‑4与说明书中描述的那些相同。

公开(公告)号：CN107075359A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201480082700.8

申请日：2014-12-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 姜基煜 ,  赵荣庆 ,  金勋 ,  金荣权 ,  金昌佑 ,  柳东完 ,  柳真铉 ,  闵修炫 ,  吴在镇 ,  柳银善 ,  李韩壹 ,  郑成显 ,  郑镐国

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及一种有机光电装置以及包括该有机光电装置的显示装置，该有机光电装置包括：彼此相对的阳极和阴极；位于阳极和阴极之间的发光层；位于阳极和发光层之间的空穴传输层；位于空穴传输层和发光层之间的空穴传输辅助层；位于阴极和发光层之间的电子传输层；以及位于电子传输层和发光层之间的电子传输辅助层，其中电子传输辅助层包含由以下化学式1表示的至少一种类型的第一化合物以及由以下化学式2表示的至少一种类型的第二化合物，并且空穴传输辅助层包含由以下化学式3表示的至少一种类型的第三化合物。化学式1‑3与说明书中定义的那些相同。

公开(公告)号：CN106029831A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580009908.1

申请日：2015-02-05

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 赵平锡 ,  姜基煜 ,  姜义洙 ,  金伦焕 ,  金勋 ,  梁容卓 ,  吴在镇 ,  柳银善 ,  李南宪 ,  柳东完 ,  李韩壹

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明涉及有机光电装置和包括该有机光电装置的显示设备，该有机光电装置包括：阳极；面对阳极的阴极；位于阳极和阴极之间的发光层；位于阳极和发光层之间的空穴传输层；以及位于空穴传输层和发光层之间的空穴传输辅助层，其中，发光层包含至少一种由化学式1表示的第一化合物和至少一种由化学式2表示的第二化合物，以及空穴传输辅助层包含由化学式3表示的部分、化学式4表示的部分和化学式5表示的部分的组合表示的第三化合物。化学式1至5与说明书中所描述的相同。

公开(公告)号：CN100411194C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200410089964.4

申请日：2004-06-25

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L29/42384

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及平板显示装置。该薄膜晶体管具有布置于基底上的半导体层、布置于基底上和半导体层上的栅极绝缘层、以及布置于栅极绝缘层上的栅极，栅极绝缘层布置成厚度为从等于半导体层厚度至半导体厚度的1.5倍。栅极绝缘层可仅是氮化物层、仅是氧化物层、或由氮化物层和氧化物层两者构成的叠层膜。该薄膜晶体管能结合在用于平板显示装置的构造中。

公开(公告)号：CN1233202C

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN02127197.6

申请日：2002-07-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴镇宇 ,  宋承龙 ,  金勋

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L51/5259 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/525 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明提供一种有机电致发光显示装置及其封装方法。该有机电致发光显示装置包括形成在衬底上的有机电致发光元件。有机电致发光元件包括顺序地堆叠在衬底上的下部电极、有机电致发光层和上部电极。平板粘接到衬底上以封装有机电致发光元件。至少一个通孔形成在有机电致发光显示装置中，从而允许有机电致发光显示装置内部的气体在封装过程中流出。提供一盖，以关闭一个或多个通孔。

公开(公告)号：CN1649174A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410103744.2

申请日：2004-11-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种通过使用金属诱导横向晶化工艺形成的薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管包括绝缘衬底、由多晶硅形成的、并具有源极/漏极区和沟道区的有源层、以及在栅极绝缘层上形成的栅极电极。该有源层具有至少两个金属诱导横向晶化(MILC)区域。

公开(公告)号：CN1599080A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410089964.4

申请日：2004-06-25

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L29/42384

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及平板显示装置。该薄膜晶体管具有布置于基底上的半导体层、布置于基底上和半导体层上的栅极绝缘层、以及布置于栅极绝缘层上的栅极，栅极绝缘层布置成厚度为从等于半导体层厚度至半导体厚度的1.5倍。栅极绝缘层可仅是氮化物层、仅是氧化物层、或由氮化物层和氧化物层两者构成的叠层膜。该薄膜晶体管能结合在用于平板显示装置的构造中。

公开(公告)号：CN1538530A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410034670.1

申请日：2004-04-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管防止了由于台阶造成的短路，且本发明提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括一形成于玻璃衬底上的缓冲层；一形成于所述缓冲层上的有源层；以及一形成于包括所述有源层在内的缓冲层上的栅极绝缘层，其中所述缓冲层具有一台阶，该台阶形成于所述有源层的下部与除所述有源层的该下部之外的部分之间。