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公开(公告)号：CN1728404B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200510098062.1
申请日：2005-07-21
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/00
CPC classification number: H01L27/1222 , B82Y10/00 , H01L27/1214 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/78681 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种改进的薄膜晶体管(TFT)，该薄膜晶体管能在室温下形成且有源层和源电极及漏电极之间的接触电阻得到改善，且还提供一种利用该TFT的平板显示器件。该TFT包括：有源层，该有源层包括至少两层纳米粒子层，所述纳米粒子层包括至少一种纳米粒子类型；插在纳米粒子层之间的绝缘层；与有源层绝缘的栅电极；以及在各自的沟道中形成的源电极及漏电极，源电极及漏电极接触有源层的纳米粒子层之一。该TFT的结构使多个不同类型的TFT的同时生产变得容易。
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公开(公告)号：CN1731904B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200510091069.0
申请日：2005-08-05
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624
Abstract: 在薄膜晶体管和包括该晶体管的平板显示装置内，串扰被减小到最小。平板显示装置包括基板、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和显示元件。第一薄膜晶体管包括：形成在基板上的第一栅电极；与第一栅电极绝缘的第一电极；与第一栅电极绝缘并且在同一平面内包围第一电极的第二电极；和与第一栅电极绝缘并且与第一电极和第二电极接触的第一半导体层。第二薄膜晶体管包括：形成在基板上并且与第一电极和第二电极的其中之一电连接的第二栅电极；与第二栅电极绝缘的第三电极；与第二栅电极绝缘并且在同一平面内包围第三电极的第四电极；以及与第二栅电极绝缘并且与第三电极和第四电极接触的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN100583487C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200510124763.8
申请日：2005-11-16
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/3274 , H01L51/0016 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 提供了一种制造有机薄膜晶体管(TFT)的方法、使用该方法制造的有机TFT以及包括该有机TFT的平板显示器装置。所述方法包括：在没有形成有机半导体层的衬底预定区域上涂覆润滑剂；在整个衬底上涂覆有机半导体层；加热被涂覆的衬底以熔化润滑剂；从衬底上移除形成在上述预定区域上的有机半导体层。根据所述方法，在不破坏衬底和有机半导体材料的情况下能够有效地构图有机半导体层。
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公开(公告)号：CN100512583C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200510125478.8
申请日：2005-11-17
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/5296 , H01L27/3244 , H01L51/5203 , H01L51/56
Abstract: 公开了一种EL装置及其制造方法。EL装置包括：第一有机发光晶体管和第二有机发光晶体管，其中第一有机发光晶体管包括：第一源电极；与第一源电极面对的第一漏电极；包括至少一层发射层的第一中间层，该发射层位于第一源电极和第一漏电极之间；和与第一源电极、第一漏电极、和第一中间层绝缘的第一栅电极，第一栅电极包围第一中间层；并且第二有机发光晶体管包括：第二源电极；与第二源电极面对的第二漏电极；包括至少一层发射层的第二中间层，该发射层位于第二源电极和第二漏电极之间；和与第二源电极、第二漏电极、和第二中间层绝缘的第二栅电极，第二栅电极包围第二中间层并连接到第一漏电极。
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公开(公告)号：CN100502048C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200510081791.6
申请日：2005-06-08
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L51/50 , G02F1/136 , G09G3/38
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L27/3244 , H01L51/0036 , H01L51/0055 , H01L51/0541
Abstract: 一种薄膜晶体管(TFT)，其包括：栅极：均与栅极绝缘的源极和漏极；及适于与源极和漏极均接触的有机半导体层，该有机半导体层与栅极绝缘；其中该有机半导体层包括其粒径比有机半导体层其他部分粒径小的边界区，该边界区包围有机半导体层的至少一个沟道区以及源和漏区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100481569C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200410102061.5
申请日：2004-12-17
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5048 , H01L51/5092 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种有机电致发光显示器件，包括：一衬底，一形成在所述衬底上的第一电极，一形成在所述第一电极上的有机层，以及一形成在所述有机层上的第二电极。所述有机层包括一有机发射层和一有机材料层，并且所述有机材料层具有粗糙度在Rms 11至Rms 50的一表面。
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公开(公告)号：CN1713409B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200510079538.7
申请日：2005-06-23
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L51/20 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0529
Abstract: 本发明提供了一种有机薄膜晶体管和制造其的方法。该有机薄膜晶体管具有衬底和位于衬底上的栅电极。栅极绝缘体具有位于栅电极上的包括无机栅极绝缘体和有机栅极绝缘体的叠层结构。有机半导体层位于栅极绝缘体上来与栅电极重叠。因此，形成具有柔性、减小的泄漏电流和低阈值电压的有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1731597B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200510091070.3
申请日：2005-08-05
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/0516
Abstract: 提供了一种有机薄膜晶体管(TFT)，其能防止由于机械应力导致的变形或分离；和一种包括有机TFT的平板显示装置。有机TFT包括栅电极；与栅电极绝缘的源电极和漏电极；与栅电极绝缘、并与源电极和漏电极接触的有机半导体层；和使栅电极与源电极、漏电极和有机半导体层绝缘的栅绝缘层。栅绝缘层被构图成岛状形状以允许基板的相邻部分自由地弯曲，因此减小了有机TFT和其组成层的应力和变形。
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公开(公告)号：CN100573956C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610073911.2
申请日：2006-03-17
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管、包括该有机薄膜晶体管的平板显示器以及该有机薄膜晶体管的制造方法。在一实施例中，有机薄膜晶体管包括：i)基板，ii)设置在该基板上的栅电极，iii)设置在栅电极上的栅绝缘膜，iv)彼此隔开并且设置在该栅绝缘膜上的源电极和漏电极，v)连接该源电极和该漏电极并且具有用于区别于相邻有机薄膜晶体管的边缘的有机半导体层，以及vi)覆盖该有机半导体层、连接设置在该有机半导体层中或下面的层的一部分并且暴露于该有机半导体层的边缘的外部的悬臂层。根据一实施例，可以容易地获得有机半导体层的构图效果并且提高性能例如开/关比。
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公开(公告)号：CN100565925C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200510092286.1
申请日：2005-05-20
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L21/76264 , H01L27/1222 , H01L27/1248 , H01L29/78606 , H01L29/78681
Abstract: 一种包括可以简单布图的半导体膜的薄膜晶体管(TFT)，制造这种TFT的方法，一种包括该TFT的平板显示器(FPD)，和制造这种FPD的方法。这种TFT包括栅极、与栅极电绝缘的源、漏电极，以及半导体膜，该半导体膜与栅极电绝缘并包括分别与源和漏电极连接的源和漏区，以及连接源和漏区的沟道区。半导体膜具有使沟道区与邻近TFT分隔的凹槽。
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