公开(公告)号：CN101866853A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010128599.9

申请日：2010-03-03

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 罗兴烈 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  洪钟元 ,  姜有珍 ,  张锡洛 ,  郑胤谟 ,  梁泰勋 ,  苏炳洙 ,  朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  朴钟力 ,  崔宝京 ,  伊凡·迈丹丘克 ,  白原奉 ,  郑在琓

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 本发明公开一种基板处理设备，其通过均匀地加热基板，在多个基板上形成薄膜和热处理基板。该基板处理设备包括处理室、其中堆叠基板的船形器皿、位于处理室外部的外部加热器、将船形器皿移进和移出处理室的输送器、位于输送器下方的下部加热器、和位于船形器皿中间的中间加热器。

公开(公告)号：CN101771086A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910258921.7

申请日：2009-12-30

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  安志洙 ,  马克西姆·利萨琴科

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/38 ,  H01L21/336 ,  H01L21/332 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管、制造所述薄膜晶体管的方法和包括所述薄膜晶体管的有机发光二极管(OLED)显示装置，所述薄膜晶体管包括：基板；在所述基板上形成的缓冲层；布置在所述缓冲层上的第一半导体层；布置在所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第二半导体层大于所述第一半导体层；与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅极；使所述栅极与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅绝缘层；与所述栅极绝缘并与所述第二半导体层连接的源极和漏极；布置在所述源极和漏极上的绝缘层，以及与源极和漏极之一连接的有机发光二极管。

公开(公告)号：CN101556968A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910134258.X

申请日：2009-04-10

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远 ,  李东炫

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78615 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种薄膜晶体管和其制造方法以及有机发光二极管显示装置。所述薄膜晶体管包括：基板；布置在所述基板上并且具有沟道区、源区、漏区和体接触区的半导体层；布置在所述半导体层上以暴露所述体接触区的栅绝缘层；布置在所述栅绝缘层上并与被所述栅绝缘层暴露的所述体接触区接触的硅层；布置在所述硅层上的栅电极；布置在所述栅电极上的层间绝缘层；以及布置在所述层间绝缘层上并与所述源区和漏区电连接的源电极和漏电极，其中所述体接触区形成在所述半导体层的边缘区域中。

公开(公告)号：CN102386235A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110259212.8

申请日：2011-09-02

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  朴钟力 ,  郑胤谟 ,  李卓泳 ,  苏炳洙 ,  郑珉在 ,  朴承圭 ,  孙榕德 ,  郑在琓

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法和利用该薄膜晶体管的显示设备。该薄膜晶体管包括：基板、提供在所述基板上并且通过利用金属催化剂被结晶化的半导体层、与所述半导体层绝缘并且被设置在所述半导体层上的栅电极、以及设置在所述半导体层与所述栅电极之间的吸气层，所述吸气层利用具有比所述半导体层中的金属催化剂的扩散系数小的扩散系数的金属氧化物形成。

公开(公告)号：CN101556968B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200910134258.X

申请日：2009-04-10

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远 ,  李东炫

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78615 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种薄膜晶体管和其制造方法以及有机发光二极管显示装置。所述薄膜晶体管包括：基板；布置在所述基板上并且具有沟道区、源区、漏区和体接触区的半导体层；布置在所述半导体层上以暴露所述体接触区的栅绝缘层；布置在所述栅绝缘层上并与被所述栅绝缘层暴露的所述体接触区接触的硅层；布置在所述硅层上的栅电极；布置在所述栅电极上的层间绝缘层；以及布置在所述层间绝缘层上并与所述源区和漏区电连接的源电极和漏电极，其中所述体接触区形成在所述半导体层的边缘区域中。

公开(公告)号：CN102214556A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110041351.3

申请日：2011-02-14

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  李吉远 ,  郑胤谟 ,  朴炳建 ,  朴钟力 ,  李卓泳 ,  郑在琓

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明公开了一种使非晶硅层结晶的方法、利用该方法来制造薄膜晶体管的方法以及利用该制造方法制造的薄膜晶体管，所述结晶方法包括以下步骤：形成非晶硅层；在非晶硅层上彼此分开地设置结晶催化剂颗粒；从非晶硅层的一部分选择性地去除结晶催化剂颗粒；通过热处理使非晶硅层结晶。

公开(公告)号：CN102194890A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110064215.6

申请日：2011-03-15

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李卓泳 ,  朴炳建 ,  郑胤谟 ,  朴种力 ,  李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  李吉远 ,  郑在琓

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78645

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)，所述TFT包括基底和在基底上的有源区域，该有源区域包括在有源区域的相对端处的源极区域和漏极区域、至少一个与源极区域或漏极区域相邻的轻掺杂区域、多个沟道区域和在所述多个沟道区域中的两个沟道区域之间的高掺杂区域。所述TFT包括在有源区域上的栅绝缘层和多栅电极，所述多栅电极包括在栅绝缘层上的多个栅电极，所述多个沟道区域设置在对应的栅电极下方，所述源极区域和漏极区域被设置为与所述多栅电极的最外部相邻。所述TFT包括在所述多栅电极上的第一层间绝缘层和源电极与漏电极，所述源电极与漏电极延伸通过第一层间绝缘层并与各自的源极区域和漏极区域接触。

公开(公告)号：CN102064089A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010506428.5

申请日：2010-10-12

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  马克西姆·莉萨契克 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  郑在琓

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种形成多晶硅层的方法、薄膜晶体管(TFT)、显示装置及制造方法。形成多晶硅层的方法包括以下步骤：提供基底；在基底上形成缓冲层；在缓冲层上形成非晶硅层；在非晶硅层中形成凹槽；在非晶硅层上形成覆盖层；在覆盖层上形成金属催化剂层；对基底进行退火并使非晶硅层晶化成具有与形成的凹槽的相邻的晶种区域的多晶硅层。