多层电容器及其制造方法
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118280733A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202311874026.4

    申请日:2023-12-29

    Abstract: 本公开提供一种多层电容器,所述多层电容器包括:电容器主体,包括介电层和内电极,以及外电极,在所述电容器主体上,其中,所述介电层包括多个介电晶粒,所述多个介电晶粒中的至少一个介电晶粒具有包括核和所述核上的壳的核‑壳结构,所述壳包括铪(Hf),并且在使用透射电子显微镜‑能量色散X射线分析(TEM‑EDX)对所述至少一个介电晶粒进行的线分析中,在所述至少一个介电晶粒的从所述核的中央到任意侧上的晶界的结果之中,所述壳具有第一峰,所述第一峰基于所述壳中的所有原子具有最大的铪的at%,并且所述第一峰定位为距离所述核比距离所述晶界近。

    多层电子组件
    22.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN118280731A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202311837650.7

    申请日:2023-12-28

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:电容形成部,在电容形成部中第一内电极和第二内电极沿第一方向彼此重叠;第一边缘部,设置在电容形成部的在第二方向上的一个侧表面上且包括第一内电极的端部,并且/或者设置在电容形成部的在第二方向上的另一侧表面上且包括第二内电极的端部。介电层具有设置在介电层的包括在电容形成部中的区域的中央处的第一区域和包括在第一边缘部中的第二区域。Mg、Si、Al、Li、Cu、Na、Bi、Mn、Cr、V、Fe、Ni、Co、Sn、In、Ga、Zn、Pb、Ag、Pd、Pt、Ir、Ru、Os、Y、Er、Yb、Tb、Ho、Dy中的至少一种元素包含在第二区域中而基本上不包含在第一区域中。

    多层电子组件
    23.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN118213194A

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202310637425.2

    申请日:2023-05-31

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件,所述多层电子组件包括:主体,包括介电层和内电极,所述介电层包括多个介电晶粒,所述内电极在第一方向上与所述介电层交替设置;以及外电极,设置在所述主体上,其中,所述多个介电晶粒中的至少一个介电晶粒具有核‑壳结构,所述核‑壳结构包括核和覆盖所述核的至少一部分的壳,所述核的平均尺寸与具有所述核‑壳结构的所述至少一个介电晶粒的平均尺寸之比大于等于0.4且小于等于0.8,在所述介电层中,镝(Dy)的摩尔数与铽(Tb)的摩尔数之和与锡(Sn)的摩尔数之比((Dy+Tb)/Sn)满足大于等于0.7且小于等于1.5,并且所述介电层中的至少一个在所述第一方向上具有四个或更多个介电晶粒。

    多层电子组件
    24.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN118197808A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202311713556.0

    申请日:2023-12-13

    Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件,所述多层电子组件可通过调节包括在介电层的第一区域和/或第二区域中的元素的含量的比以减小第一区域中的介电晶粒尺寸分散性和晶粒密度与第二区域中的介电晶粒尺寸分散性和晶粒密度的差异来改善击穿电压(BDV)特性。

    陶瓷电子组件及其制造方法
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117995554A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202311444747.1

    申请日:2023-11-01

    Abstract: 本公开提供了一种陶瓷电子组件及其制造方法。所述陶瓷电子组件包括:主体,包括介电层和与所述介电层交替设置的内电极;以及外电极,设置在所述主体上,其中,所述介电层包括第一区域和除所述第一区域之外的第二区域,所述第一区域为从所述介电层与所述内电极之间的界面表面延伸到所述介电层内50nm的区域,并且其中,所述第一区域包括In和Sn,在所述第一区域中,基于除氧之外的全部元素的In的平均含量大于等于0.5at%且小于等于2.0at%,并且基于除氧之外的全部元素的Sn的平均含量大于等于0.5at%且小于等于1.75at%。

    介电晶粒和陶瓷电子组件
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114649146A

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202111550717.X

    申请日:2021-12-17

    Abstract: 本公开提供了介电晶粒和陶瓷电子组件。所述陶瓷电子组件包括:主体,包括介电层和内电极;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极,其中,所述介电层包括多个介电晶粒,所述多个介电晶粒中的至少一个具有核‑双壳结构,所述双壳包括围绕所述核的至少一部分的第一壳和围绕所述第一壳的至少一部分的第二壳,所述第一壳包括第一元素,所述第一元素包括Sn、Sb、Ge、Si、Ga、In和Zr中的一种或更多种,并且所述第二壳包括第二元素,所述第二元素包括Ca和Sr中的一种或更多种。

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