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公开(公告)号：CN101388682A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810149665.3
申请日：2008-09-16
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H03K17/693 , H03K17/063 , H03K17/102 , H03K2017/066 , H03K2217/0018 , H04B1/48
Abstract: 本发明实施例提供了一种CMOS天线开关，其可称为CMOS SPDT开关。根据本发明实施例，该CMOS天线开关可工作在多个频率，约在900MHz、1.9GHz和2.1GHz。CMOS天线开关可包括接收器开关和发送开关。接收器开关可利用具有体衬底开关的多叠层晶体管以及附加在漏极和栅极之间的外围电容器来阻断来自发送路径的高功率信号以及在接收器路径处保持低插入损失。CMOS天线开关的示例性实施例可在多波段(例如，900MHz、1.9GHz、和2.1GHz)处提供38dBm P 0.1dB。另外，根据本发明示例性实施例可获得－60dBc秒和高达30dBm的第三谐波性能的输入。
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公开(公告)号：CN101262288A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810083113.7
申请日：2008-03-03
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供了用于频谱感知的阈值确定的系统和方法。这些系统和方法可以包括：接收虚警率，其中虚警率与频谱段的虚占用情况识别相关联；确定作为噪声指数和多分辨率频谱感知(MRSS)窗口特性的函数的噪声本底；以及至少部分基于虚警率和噪声本底来计算感知阈值。这些系统和方法还可包括：至少部分基于计算得到的感知阈值来确定RF频谱的一部分是否被占用。
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公开(公告)号：CN101127573A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710135864.4
申请日：2007-07-30
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H04L27/0004
Abstract: 本发明的实施例可以提供在提供用于多分辨率频谱感测(MRSS)技术的灵活的频谱感测分辨率中所应用的数字小波发生器。本发明的实施例可提供多点或多速率数字小波发生器。这些数字小波发生器可以最佳地使用相同的硬件资源，并且不同的小波基可以通过改变存储器寻址方案或时钟速度来产生。
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公开(公告)号：CN102130658B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201010600890.1
申请日：2010-12-17
CPC classification number: H03F3/245 , H03F1/223 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/451
Abstract: 提供了用于共源共栅放大器的反馈偏置。一种用于功率发送器的系统可包括：第一放大器级，至少具有以第一共源共栅结构连接的第一晶体管和第二晶体管；第二放大器级，至少具有以第二共源共栅结构连接的第三晶体管和第四晶体管，其中，第一晶体管接收功率发送器的系统输入，其中，第二晶体管连接到第三晶体管，并且其中，第四晶体管提供功率发送器的系统输出；反馈网络，将第四晶体管的第一栅极或基极与第二晶体管的第二栅极或基极连接。
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公开(公告)号：CN101764582B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200910261077.3
申请日：2009-12-22
CPC classification number: H03F1/3205 , H03F1/0261 , H03F1/223 , H03F3/45475 , H03F2200/18
Abstract: 提供了一种用于功率放大器的自混合自适应偏置电路的系统和方法。所述自混合自适应偏置电路包括混合器、低通滤波器或移相器、偏置供给块。自混合自适应偏置电路可根据输入信号功率级产生自适应偏置信号。由于输入功率级升高，所以自适应偏置电路增加偏置电压或偏置电流，以使功率放大器与传统的偏置技术相比在低功率操作水平节省电流消耗，并在高功率操作水平获得更好的线性。此外，可使用自适应偏置输出信号来去除三阶互调谱项(IM3)，以进一步增强线性作为辅助效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102208286A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201010574347.9
申请日：2010-11-29
CPC classification number: H03J3/20
Abstract: 根据发明的示例性实施例，本发明提供一种高功率可调电容器。可调电容器装置可包括第一电容器、第二电容器、第三电容器以及至少一个开关晶体管，其中，所述第一电容器、第二电容器和第三电容器串联，第二电容器被放置在第一电容器和第三电容器之间；所述至少一个开关晶体管与第二电容器并联。
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公开(公告)号：CN101488729B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200910001305.3
申请日：2009-01-04
CPC classification number: H03F1/565 , H01F27/2804 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/45475 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/399 , H03F2200/402 , H03F2200/451 , H03F2200/541 , H03F2203/45138 , Y10T29/5313
Abstract: 本发明的实施例可以提供功率放大器系统和提供该功率放大器系统的方法。所述系统和方法可以包括：功率放大器，产生第一差分输出信号和第二差分输出信号；初级线圈，由多个初级段组成，其中，每个初级段的第一端连接到第一公共输入端口，每个初级段的第二端连接到第二公共输入端口，第一公共输入端口用于接收第一差分输出信号，第二公共输入端口用于接收第二差分输出信号；单个的次级线圈，感应地结合到所述多个初级段。
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公开(公告)号：CN102130658A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010600890.1
申请日：2010-12-17
CPC classification number: H03F3/245 , H03F1/223 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/451
Abstract: 提供了用于共源共栅放大器的反馈偏置。一种用于功率发送器的系统可包括：第一放大器级，至少具有以第一共源共栅结构连接的第一晶体管和第二晶体管；第二放大器级，至少具有以第二共源共栅结构连接的第三晶体管和第四晶体管，其中，第一晶体管接收功率发送器的系统输入，其中，第二晶体管连接到第三晶体管，并且其中，第四晶体管提供功率发送器的系统输出；反馈网络，将第四晶体管的第一栅极或基极与第二晶体管的第二栅极或基极连接。
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公开(公告)号：CN101764582A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910261077.3
申请日：2009-12-22
CPC classification number: H03F1/3205 , H03F1/0261 , H03F1/223 , H03F3/45475 , H03F2200/18
Abstract: 提供了一种用于功率放大器的自混合自适应偏置电路的系统和方法。所述自混合自适应偏置电路包括混合器、低通滤波器或移相器、偏置供给块。自混合自适应偏置电路可根据输入信号功率级产生自适应偏置信号。由于输入功率级升高，所以自适应偏置电路增加偏置电压或偏置电流，以使功率放大器与传统的偏置技术相比在低功率操作水平节省电流消耗，并在高功率操作水平获得更好的线性。此外，可使用自适应偏置输出信号来去除三阶互调谱项(IM3)，以进一步增强线性作为辅助效果。
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公开(公告)号：CN101764581A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910253969.9
申请日：2009-12-11
Inventor： 迈克尔·艾伦·奥克利 , 李洞护 , 安奎焕 , 李彰浩 , 乔伊·拉斯卡尔
CPC classification number: H03F3/45188 , H03F1/0288 , H03F3/211 , H03F3/604
Abstract: 一种在无线通信装置中使用的集成功率放大器。集成功率放大器可包括载波放大器，其中，该载波放大器在该载波放大器的输入连接到第一四分之一波变换器。此外，功率放大器还可包括至少一个峰值放大器，与载波放大器并联；第一差分组合结构，其中，该第一组合结构包括第一多个四分之一波变换器，被构造为同相组合载波放大器的各个第一差分输出，以产生第一单端输出信号；第二差分组合结构，其中，该第二组合结构包括第二多个四分之一波变换器，被构造为同相组合至少一个峰值放大器的各个第二差分输出，以产生第二单端输出信号，其中，第一单端信号和第二单端信号被同相组合，以提供总的输出。
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