量子点器件和显示设备
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110783468B

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN201910520226.7

    申请日:2019-06-17

    Abstract: 公开了量子点器件和显示设备,所述量子点器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、以及设置在所述量子点层和所述第二电极之间的电子辅助层,其中所述电子辅助层包括由化学式1表示的电子传输材料和能够降低所述电子辅助层的电子迁移率的电子控制材料。在化学式1中,M和x与详细的说明书中描述的相同。化学式1Zn1‑xMxO。

    半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的量子点群及发光器件

    公开(公告)号:CN110172348B

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN201910140377.X

    申请日:2019-02-21

    Abstract: 公开了半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的量子点群及发光器件。所述半导体纳米晶体颗粒包括:包括第一半导体纳米晶体的芯;包围所述芯的第一壳,所述第一壳包括第二半导体纳米晶体,所述第二半导体纳米晶体包括与所述第一半导体纳米晶体不同的组成;包围所述第一壳的第二壳,所述第二壳包括第三半导体纳米晶体,所述第三半导体纳米晶体包括与所述第二半导体纳米晶体不同的组成,其中所述第一半导体纳米晶体包括锌和硫;其中所述第三半导体纳米晶体包括锌和硫;其中所述第二半导体纳米晶体的能带隙小于所述第一半导体纳米晶体的能带隙和小于所述第三半导体纳米晶体的能带隙;和其中所述半导体纳米晶体颗粒不包括镉。

    量子点器件和电子设备
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111435710A

    公开(公告)日:2020-07-21

    申请号:CN201910835922.7

    申请日:2019-09-05

    Abstract: 公开量子点器件和电子设备。所述量子点器件包括:彼此面对的阳极和阴极;在所述阳极和所述阴极之间的量子点层;在所述阳极和所述量子点层之间的空穴传输层,所述空穴传输层配置成提高从所述阳极到所述量子点层的空穴传输性质;在所述阴极和所述量子点层之间的无机电子传输层,所述无机电子传输层配置成提高从所述阴极到所述量子点层的电子传输性质;以及在所述阴极和所述量子点层之间的无机电子控制层,所述无机电子控制层配置成降低从所述阴极到所述量子点层的电子传输性质。所述电子设备包括所述量子点器件。

    电致发光器件和包括其的显示装置

    公开(公告)号:CN110265555A

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201910184028.8

    申请日:2019-03-12

    Abstract: 公开了电致发光器件和包括其的显示装置。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括多个发光颗粒的发射层、设置在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输层、以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输层,其中所述电子传输层包括设置在所述发射层上并且包含多个无机纳米颗粒的无机层和直接设置在所述无机层的在与所述发射层相反的侧上的上表面的至少一部分上的有机层,其中所述有机层的功函高于所述无机层的功函。

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