公开(公告)号：CN112422109A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010749431.3

申请日：2020-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昇辰 ,  金完 ,  吴承贤 ,  韩秉基

IPC: H03K5/24

Abstract: 提供了一种半导体设备和一种用于控制半导体设备中的信号振幅的方法。该半导体设备包括：信号发生器，被配置为输出正弦波；比较器，被配置为在与定时控制信号相对应的第一定时将正弦波的幅度与参考信号的幅度进行比较，并输出比较结果；以及控制信号调节器，被配置为取决于比较器的比较结果来调节电流控制信号和定时控制信号之一。

公开(公告)号：CN112309985A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010674997.4

申请日：2020-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允荣 ,  李炳铉 ,  具炳周 ,  金昇辰 ,  朴相在 ,  裵珍宇 ,  李翰杰 ,  崔辅友 ,  洪贤宝

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L49/02

Abstract: 提供了制造电容器和半导体器件的方法(即，电容器形成方法和半导体器件形成方法)以及半导体器件和包括该半导体器件的装置。所述电容器形成方法可以包括：在基底上顺序地形成第一模制层、第一支撑材料层和第二模制层；在第二模制层上形成掩模图案；使用掩模图案作为掩模在第二模制层、第一支撑材料层和第一模制层中形成凹部；在凹部中形成下电极；通过干法清洁工艺去除掩模图案；减小下电极的上部的宽度；去除第一模制层；在下电极的表面上形成介电层；以及在介电层上形成上电极。