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公开(公告)号：CN115223997A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210397396.2
申请日：2022-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 可以提供一种半导体器件和包括其的数据存储系统。该半导体器件包括：基板；在基板上的第一焊盘层和第二焊盘层；图案结构，包括在第一焊盘层上的第一开口和在第二焊盘层上的第二开口，并具有第一区域和第二区域；栅电极，在图案结构上并各自包括焊盘区；沟道结构，在第一区域中穿透栅电极；栅极接触插塞，通过每个栅电极的焊盘区电连接到栅电极并在垂直方向上延伸以穿过第一开口并且连接到第一焊盘层；源极接触插塞，在垂直方向上延伸、穿过第二开口并连接到第二焊盘层；以及源极连接图案，在图案结构下方并与源极接触插塞和第二焊盘层接触。
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