公开(公告)号：CN102157380B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201010623025.9

申请日：2010-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑会晟 ,  申东石 ,  金东赫 ,  许晶植 ,  金明宣

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  Y10S438/938

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括在半导体基底上形成栅电极并在所述栅电极上形成侧壁间隔件。然后，部分地蚀刻位于所述侧壁间隔件的两侧的所述半导体基底的一部分，以形成沟槽。在所述沟槽中形成SiGe混合的晶体层。在所述SiGe混合的晶体层上形成硅层。根据所述硅层的面的晶向，使用具有不同蚀刻速率的蚀刻溶液部分地蚀刻所述硅层的一部分，从而形成包括具有(111)倾斜面的硅面的覆盖层。