公开(公告)号：CN1581528A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410062143.1

申请日：2004-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李元硕 ,  河镜虎 ,  郭准燮 ,  白好善 ,  李成男 ,  司空坦

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/04 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明提供了一种具有超晶格半导体层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括其中交替堆叠由不同材料形成的第一材料层和第二材料层的超晶格半导体层。在形成超晶格结构的第一材料层和第二材料层中形成有多个孔，该些孔填充有相邻材料层的材料。所提供的超晶格结构通过在保持预定光限制特性的同时经第一材料层和第二材料层中的孔输运电荷来降低驱动电压。