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公开(公告)号：CN103059393B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210405260.8
申请日：2012-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , B82Y30/00 , C01B17/20 , C01B19/007 , C01P2002/88 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L51/004 , H01L51/50 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 公开复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件，所述复合物包括半导体纳米晶体、具有能够与所述半导体纳米晶体的表面结合的羧酸根阴离子基团(‑COO‑)的聚合物、和能够与所述羧酸根阴离子基团结合的金属阳离子。
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公开(公告)号：CN112680210B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202011108907.1
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , H10H20/851
Abstract: 公开了芯壳量子点、其制造方法、包括其的量子点复合物、量子点组合物、显示器件和电子器件，所述芯壳量子点包括：包括第一半导体纳米晶体并且包括锌、碲、和硒的芯，和设置在所述芯上并且包括锌硫属化物的半导体纳米晶体壳，其中所述芯壳量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，其中在所述量子点的X射线光电子能谱中，作为面积百分比的Te氧化物的峰面积对Te3d5/2的峰面积小于或等于约25％。
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公开(公告)号：CN119505883A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411082677.4
申请日：2024-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体纳米颗粒、其制造方法以及包括其的复合物、颜色转换结构和电子装置。所述半导体纳米颗粒包括银、铟、镓和硫，其中，半导体纳米颗粒被构造为发射绿光，其中，半导体纳米颗粒具有如等式1定义的大于或等于约0.25且小于或等于约0.9的锌的相对摩尔值：等式1锌的相对摩尔值＝[Zn]/([Ag]+[In]+[Ga]+[Zn])其中，在等式1中，[Ag]、[In]、[Ga]和[Zn]分别是半导体纳米颗粒中的银、铟、镓和锌的摩尔量，并且其中，镓与铟的摩尔比大于约2.5:1且小于约5.6:1。
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公开(公告)号：CN110746958B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201910665612.5
申请日：2019-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , G02F1/1335 , H01L33/50
Abstract: 量子点、其制造方法、以及包括其的组合物、复合物和电子设备，所述量子点包括半导体纳米晶体芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述量子点不包括镉，其中所述芯包括III‑V族化合物，所述量子点具有在绿色光波长区域中的最大光致发光峰，所述最大光致发光峰的半宽度(FWHM)小于约50纳米(nm)，并且在所述最大光致发光峰的波长和所述量子点的第一吸收峰波长之间的差异小于或等于约25纳米。
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公开(公告)号：CN114381268A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111208677.0
申请日：2021-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点、包括其的量子点群、显示器件、量子点复合物和量子点组合物。无镉量子点或其群或包括其的器件，其中所述无镉量子点包括如下并且呈现出约60％或更高的量子效率：芯(或半导体纳米晶体颗粒)，其包括第一半导体纳米晶体，所述第一半导体纳米晶体包括IIB‑VI族化合物；和设置在所述芯(或所述半导体纳米晶体颗粒)上的壳(或包覆层)，其包括IIB‑V族化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114381254A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111208394.6
申请日：2021-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点复合物、其制备方法、包括其的显示器件和电子器件、和量子点。量子点复合物，其包括基体；和分散在所述基体中的多个量子点和氧化钛颗粒，其中所述量子点包括锌、碲、和硒，所述量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，和在所述量子点复合物中，碲相对于钛的重量比大于或等于约1.5:1且小于或等于约10:1。
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公开(公告)号：CN112680211A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011109701.0
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及芯壳量子点、其制造方法、量子点群、量子点复合物、量子点组合物和显示器件。公开了芯壳量子点及其制造，所述芯壳量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌、碲、和硒；和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳包括锌、以及硒、硫或其组合，其中所述芯壳量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，其中所述芯壳量子点包括氯，其中在所述芯壳量子点中，氯相对于碲的摩尔比大于或等于约0.01:1，和其中所述芯壳量子点的量子效率大于或等于约10％。
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公开(公告)号：CN112680210A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011108907.1
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了芯壳量子点、其制造方法、包括其的量子点复合物、量子点组合物、显示器件和电子器件，所述芯壳量子点包括：包括第一半导体纳米晶体并且包括锌、碲、和硒的芯，和设置在所述芯上并且包括锌硫属化物的半导体纳米晶体壳，其中所述芯壳量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，其中在所述量子点的X射线光电子能谱中，作为面积百分比的Te氧化物的峰面积对Te3d5/2的峰面积小于或等于约25％。
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公开(公告)号：CN107057173B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201710084565.6
申请日：2012-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08L23/08 , C08K3/30 , C09K11/02 , C09K11/56 , C09K11/88 , H01L51/50 , H01L51/56 , H01L51/54 , H01L33/50 , H01L33/00 , B82Y30/00
Abstract: 公开复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件，所述复合物包括半导体纳米晶体、具有能够与所述半导体纳米晶体的表面结合的羧酸根阴离子基团(‑COO‑)的聚合物、和能够与所述羧酸根阴离子基团结合的金属阳离子。
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公开(公告)号：CN110746958A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910665612.5
申请日：2019-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , G02F1/1335 , H01L33/50
Abstract: 量子点、其制造方法、以及包括其的组合物、复合物和电子设备，所述量子点包括半导体纳米晶体芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述量子点不包括镉，其中所述芯包括III-V族化合物，所述量子点具有在绿色光波长区域中的最大光致发光峰，所述最大光致发光峰的半宽度(FWHM)小于约50纳米(nm)，并且在所述最大光致发光峰的波长和所述量子点的第一吸收峰波长之间的差异小于或等于约25纳米。
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