制造半导体器件的方法
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110098123A

    公开(公告)日:2019-08-06

    申请号:CN201811451762.8

    申请日:2018-11-30

    Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括在基板上形成鳍型结构、使用第一工艺在鳍型结构上形成具有第一厚度的界面膜、使用与第一工艺不同的第二工艺在界面膜上形成具有第二厚度的栅极电介质膜、以及使用与第一工艺和第二工艺不同的第三工艺使栅极电介质膜致密化。第二厚度可以大于第一厚度,并且在栅极电介质膜的致密化之后,界面膜的第一厚度可以不变。

    制造半导体器件的方法
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109216197A

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201810593036.3

    申请日:2018-06-08

    Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括:形成包括交替地堆叠在衬底上的至少一个牺牲层和至少一个半导体层的堆叠结构;在堆叠结构上形成伪栅结构;使用伪栅结构作为掩模来在堆叠结构中蚀刻凹部;蚀刻牺牲层被凹部暴露的部分以形成蚀刻的牺牲层;在蚀刻的牺牲层上形成第一间隔膜;在第一间隔膜上形成第二间隔膜,第二间隔膜包括与第一间隔膜的材料不同的材料;去除第二间隔膜的第一部分,使得第二间隔膜的第二部分保留;以及在第二间隔膜的第二部分上形成第三间隔膜。

    用于唤醒处理器的装置和方法

    公开(公告)号:CN104603716A

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201380045172.4

    申请日:2013-08-27

    Abstract: 一种在低功率或超低功率设备中用于唤醒主处理器(MP)的装置和方法,其优选地包括MP和副处理器(SP),比起该MP,该SP使用比MP少的功率以检测周围环境条件,并且可以被内部化在MP中。在中断传感器监测周围环境中的改变时,该MP和SP能够保持在睡眠模式中。传感器优选为中断类型传感器,与之相对照的是传统地被用于检测周围环境改变的轮询类型传感器。由于低功率或超低功率的中断传感器在SP处在睡眠模式时操作,因此该MP和SP可以保持在睡眠模式中,并且经由指示所检测的改变的中断来唤醒该SP。然后,该SP在将来自中断传感器的数据与存储器中的或其他传感器的值进行比较之后,唤醒该MP。

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