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公开(公告)号:CN110098123A
公开(公告)日:2019-08-06
申请号:CN201811451762.8
申请日:2018-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78
Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括在基板上形成鳍型结构、使用第一工艺在鳍型结构上形成具有第一厚度的界面膜、使用与第一工艺不同的第二工艺在界面膜上形成具有第二厚度的栅极电介质膜、以及使用与第一工艺和第二工艺不同的第三工艺使栅极电介质膜致密化。第二厚度可以大于第一厚度,并且在栅极电介质膜的致密化之后,界面膜的第一厚度可以不变。
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公开(公告)号:CN109216197A
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201810593036.3
申请日:2018-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括:形成包括交替地堆叠在衬底上的至少一个牺牲层和至少一个半导体层的堆叠结构;在堆叠结构上形成伪栅结构;使用伪栅结构作为掩模来在堆叠结构中蚀刻凹部;蚀刻牺牲层被凹部暴露的部分以形成蚀刻的牺牲层;在蚀刻的牺牲层上形成第一间隔膜;在第一间隔膜上形成第二间隔膜,第二间隔膜包括与第一间隔膜的材料不同的材料;去除第二间隔膜的第一部分,使得第二间隔膜的第二部分保留;以及在第二间隔膜的第二部分上形成第三间隔膜。
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公开(公告)号:CN108983873A
公开(公告)日:2018-12-11
申请号:CN201810594756.1
申请日:2013-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/16 , G06F1/32 , G06F3/01 , G06F3/16 , G06F9/4401
CPC classification number: G06F1/3206 , G06F1/1694 , G06F1/3209 , G06F1/3215 , G06F1/3231 , G06F1/3293 , G06F3/017 , G06F3/167 , Y02D10/122 , Y02D10/173 , Y02D50/20
Abstract: 一种用于唤醒处理器的装置和方法。该方法包括:经由包括第一处理器和第二处理器的电子设备的触摸屏接收输入,当所述第二处理器处于未激活状态时,所述触摸屏可操作地耦合到第一处理器;确定所述输入是否与对应于存储器中所存储的预定模式;以及从所述第一处理器向所述第二处理器发送信号,以将所述第二处理器从未激活状态转变到激活状态,所述发送至少部分基于确定所述输入对应于所述预定模式。
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公开(公告)号:CN104603716A
公开(公告)日:2015-05-06
申请号:CN201380045172.4
申请日:2013-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/32
CPC classification number: G06F1/3206 , G06F1/1694 , G06F1/3209 , G06F1/3215 , G06F1/3231 , G06F1/3293 , G06F3/017 , G06F3/167 , Y02D10/122 , Y02D10/173 , Y02D50/20
Abstract: 一种在低功率或超低功率设备中用于唤醒主处理器(MP)的装置和方法,其优选地包括MP和副处理器(SP),比起该MP,该SP使用比MP少的功率以检测周围环境条件,并且可以被内部化在MP中。在中断传感器监测周围环境中的改变时,该MP和SP能够保持在睡眠模式中。传感器优选为中断类型传感器,与之相对照的是传统地被用于检测周围环境改变的轮询类型传感器。由于低功率或超低功率的中断传感器在SP处在睡眠模式时操作,因此该MP和SP可以保持在睡眠模式中,并且经由指示所检测的改变的中断来唤醒该SP。然后,该SP在将来自中断传感器的数据与存储器中的或其他传感器的值进行比较之后,唤醒该MP。
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公开(公告)号:CN103918189A
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201280055125.3
申请日:2012-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01K13/00 , H04M1/72569 , H04M2250/52 , H04N5/23241
Abstract: 本发明提供了一种移动设备的温度控制系统。所述系统包括:存储器,用于存储设定温度值和释放温度值;温度传感器,用于感测移动设备的内部温度;至少一个模块,发出热;以及控制器。所述控制器将温度传感器的输出与正常模式下的设定温度值进行比较以便确定移动设备是否过热;如果移动设备过热,则控制至少一个模块在热产生抑制模式下操作;将温度传感器的输出与热产生抑制模式下的释放温度值进行比较以便确定是否释放热产生抑制模式;如果根据比较结果释放了热产生抑制模式,则执行正常模式。
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