公开(公告)号：CN114256157A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110646168.X

申请日：2021-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李多仁 ,  姜玧求 ,  柳原锡 ,  马振源 ,  朴俓旭 ,  徐昌佑 ,  宋秀娟

IPC: H01L21/8242

Abstract: 公开了一种用于制造包括气隙的半导体装置的方法。所述方法包括以下步骤：将半导体基底装载到腔室中，半导体基底包括氧化硅膜；通过供应第一硅源材料在氧化硅膜上沉积种子层；在种子层上供应吹扫气体；通过重复第一循环在种子层上沉积保护层，第一循环包括供应基体源材料层和随后供应第一硅源材料；以及通过重复第二循环在保护层上沉积氮化硅膜，第二循环包括供应第二硅源材料和随后供应氮源材料。

公开(公告)号：CN100484112C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200410079464.2

申请日：2004-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐昌佑 ,  赵镇沦 ,  张景训 ,  张真逢 ,  黄孝善 ,  寓相炫

IPC: H04L25/00

CPC classification number: H04W52/0245 ,  Y02D70/142

Abstract: 提供一种当站点在CSMA/CA无线LAN上彼此发送和接收无线信号时用于控制站点的功耗的方法和装置。所述方法包括：从无线信号中提取有关帧传输速度的信息和有关第一和第二层的传输周期信息；基于提取的信息来确定第一和第二层的每一个的功率受控周期；以及如果包括在提取的信息中的接收地址与站点的地址不同，则通过在功率受控周期将第一和第二层的当前模式切换为预定模式来减小第一和第二层的功耗。