公开(公告)号：CN102217102B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN200980145944.5

申请日：2009-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔繁在 ,  李相范 ,  李进馥 ,  金裕承 ,  宋尚烨

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L25/13 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/002 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0029 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L33/508 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0041 ,  H05B33/0803 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 在半导体发光器件中，发光结构包括顺序形成在导电基底上的第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。第二导电类型电极包括导电通孔和电连接部分。导电通孔穿过第一导电类型半导体层和活性层，并连接到第二导电类型半导体层的内部。电连接部分从导电通孔延伸，并暴露于发光结构的外部。绝缘体使第二导电类型半导体层与导电基底、第一导电类型半导体层和活性层电分离。钝化层形成为至少覆盖发光结构中的活性层的侧表面。不平坦结构形成在从活性层发射的光的通路上。