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公开(公告)号：CN102914929B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201210244955.2
申请日：2012-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/15 , G02F1/163 , G02F2001/134345 , G02F2001/1512 , G02F2202/02 , G02F2203/34
Abstract: 根据示例性实施方式，电致变色器件包括含有第一子像素和第二子像素的像素。所述第一子像素包括接触第一电致变色层的第一电解质。所述第一电致变色层包括第一电致变色材料，其配置为基于施加到所述第一电致变色材料的电压，显示透明性和至少两种颜色中的每一个。所述第二子像素包括接触第二电致变色层的第二电解质。所述第二电致变色层包括第二电致变色材料，其配置为基于施加到所述第二电致变色材料的电压，显示透明性、黑色和至少一种不同于黑色的颜色中的每一个。
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公开(公告)号：CN102914929A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210244955.2
申请日：2012-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/15 , G02F1/163 , G02F2001/134345 , G02F2001/1512 , G02F2202/02 , G02F2203/34
Abstract: 根据示例性实施方式，电致变色器件包括含有第一子像素和第二子像素的像素。所述第一子像素包括接触第一电致变色层的第一电解质。所述第一电致变色层包括第一电致变色材料，其配置为基于施加到所述第一电致变色材料的电压，显示透明性和至少两种颜色中的每一个。所述第二子像素包括接触第二电致变色层的第二电解质。所述第二电致变色层包括第二电致变色材料，其配置为基于施加到所述第二电致变色材料的电压，显示透明性、黑色和至少一种不同于黑色的颜色中的每一个。
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公开(公告)号：CN100461000C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200410081932.X
申请日：2004-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05K3/185 , C23C18/1608 , C23C18/1612 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/204 , C23C18/208 , C23C18/30 , C23C18/36 , C23C18/405 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于形成低电阻率金属图案的方法。该方法包含以下步骤：(i)将光催化化合物涂布到衬底上以形成光催化薄膜层；(ii)将水溶性聚合物涂布到光催化薄膜层上以形成水溶性聚合物层；(iii)将该两层选择性曝光以形成用作晶体生长的核的潜图案；以及(iv)将潜图案镀以金属以在其上生长金属晶体。根据该方法，可以以低成本、较简单的方式形成包含低电阻率金属的多层电路图案，并且可以根据预定用途自由选择构成各层的金属。该低电阻率金属图案可有利地应用于平板显示器件如LCDs、PDPs和ELDs。
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公开(公告)号：CN1551246A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410044556.7
申请日：2004-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05K3/185 , C25D5/022 , Y10S977/70
Abstract: 本发明公开一种形成高导电性金属图形的方法，以及采用利用该方法形成的金属图形的电磁干扰滤波器(EMI)。该方法包括以下步骤：(i)将光催化化合物涂敷到一衬底上以形成一光催化膜，(ii)选择性地曝光该光催化膜以形成用作晶体生长的核的特征图形，以及(iii)镀该特征图形以便在其上生长金属晶体。该EMI滤波器包括该金属图形。与传统方法相比，根据本发明的方法，可以快速和有效地形成高导电性的金属布线图形。此外，包括所述金属图形的EMI滤波器不仅表现出优异的性能而且在降低制造成本和简化制造工艺方面具有优势。因此，该EMI滤波器可以广泛应用于平板显示装置，例如等离子体显示面板(PDP)。
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