公开(公告)号：CN1641483A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200410081932.X

申请日：2004-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢昌镐 ,  宋基镕 ,  金珍詠 ,  塔玛拉·拜克 ,  G·A·布兰尼茨基 ,  T·V·盖夫斯卡娅 ,  V·G·索科洛夫

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H05K3/185 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1612 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/204 ,  C23C18/208 ,  C23C18/30 ,  C23C18/36 ,  C23C18/405 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于形成低电阻率金属图案的方法。该方法包含以下步骤：(i)将光催化化合物涂布到衬底上以形成光催化薄膜层；(ii)将水溶性聚合物涂布到光催化薄膜层上以形成水溶性聚合物层；(iii)将该两层选择性曝光以形成用作晶体生长的核的潜图案；以及(iv)将潜图案镀以金属以在其上生长金属晶体。根据该方法，可以以低成本、较简单的方式形成包含低电阻率金属的多层电路图案，并且可以根据预定用途自由选择构成各层的金属。该低电阻率金属图案可有利地应用于平板显示器件如LCDs、PDPs和ELDs。

公开(公告)号：CN100461000C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200410081932.X

申请日：2004-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢昌镐 ,  宋基镕 ,  金珍詠 ,  塔玛拉·拜克 ,  G·A·布兰尼茨基 ,  T·V·盖夫斯卡娅 ,  V·G·索科洛夫

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H05K3/185 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1612 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/204 ,  C23C18/208 ,  C23C18/30 ,  C23C18/36 ,  C23C18/405 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于形成低电阻率金属图案的方法。该方法包含以下步骤：(i)将光催化化合物涂布到衬底上以形成光催化薄膜层；(ii)将水溶性聚合物涂布到光催化薄膜层上以形成水溶性聚合物层；(iii)将该两层选择性曝光以形成用作晶体生长的核的潜图案；以及(iv)将潜图案镀以金属以在其上生长金属晶体。根据该方法，可以以低成本、较简单的方式形成包含低电阻率金属的多层电路图案，并且可以根据预定用途自由选择构成各层的金属。该低电阻率金属图案可有利地应用于平板显示器件如LCDs、PDPs和ELDs。