公开(公告)号：CN111799329A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010188610.4

申请日：2020-03-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗采昊 ,  金成洙 ,  安圭焕 ,  卢东贤

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、第一鳍和第二鳍。所述第一鳍和所述第二鳍在所述衬底上沿第一方向彼此间隔开，并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。所述半导体器件还包括：第一浅沟槽，所述第一浅沟槽形成在所述第一鳍与所述第二鳍之间；以及场绝缘膜，所述场绝缘膜填充所述第一浅沟槽的至少一部分。所述场绝缘膜包括第一部分、与所述第一部分相邻的第二部分以及与所述第二部分相邻并且与所述第一浅沟槽的侧壁相邻的第三部分。所述第一部分包括所述场绝缘膜的上表面的在所述第一方向上的中心部分。所述场绝缘膜的所述上表面为朝着所述衬底凹入的大括号形状。

公开(公告)号：CN110718548A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910238881.3

申请日：2019-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔戍侦 ,  卢东贤 ,  金成洙 ,  安圭焕 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件，其可以包括：有源鳍，所述有源鳍通过有源鳍之间的凹部彼此间隔开，所述有源鳍中的每一个从衬底的上表面突出；隔离结构，其包括在凹部的下部的下表面上和侧壁上的衬垫，以及在所述衬垫上的阻挡图案，所述阻挡图案填充所述凹部的下部的剩余部分并且包括氮化物、碳化物或多晶硅；栅电极结构，其在有源鳍和隔离结构上；以及源极/漏极层，其在所述有源鳍中的每一个有源鳍的与所述栅电极结构相邻的部分上。