公开(公告)号：CN110896101A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910862596.9

申请日：2019-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东益 ,  金大洪 ,  任智芸 ,  张世美 ,  B.R.南

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11582

Abstract: 本公开提供了包括具有焊盘区域的栅极图案的半导体器件。一种半导体器件包括：栅极图案，设置在下结构之上，并包括栅极电极区域和从栅极电极区域延伸的栅极焊盘区域；以及垂直沟道半导体层，具有面对栅极图案的栅极电极区域的侧表面。栅极焊盘区域包括具有比栅极电极区域的厚度大的厚度的第一焊盘区域。第一焊盘区域包括上表面、与上表面相反的下表面、以及外侧表面。外侧表面具有由边界部分彼此划分的下外侧表面和上外侧表面。下外侧表面从下表面延伸，并且下外侧表面和下表面的连接部分具有圆化的形状。

公开(公告)号：CN101714576B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN200910175709.4

申请日：2009-09-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 洪承焄 ,  明圣 ,  任智芸 ,  李敏百

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/115 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  G11C11/40 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明可以公开一种半导体装置及所述半导体装置的制造方法和操作方法。所述半导体装置可以包括不同的纳米结构。所述半导体装置可以具有由纳米线形成的第一元件和由纳米颗粒形成的第二元件。所述纳米线可以是双极性碳纳米管(CNT)。第一元件可以是沟道层。第二元件可以是电荷捕获层。就此，所述半导体装置可以是晶体管或存储装置。