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公开(公告)号:CN119032137A
公开(公告)日:2024-11-26
申请号:CN202380030053.5
申请日:2023-03-13
Applicant: 株式会社德山
IPC: C08L101/00 , C08K9/04 , C09K5/14
Abstract: 本发明提供向树脂中的填充性高的导热性填料。本发明包含导热性填料,所述导热性填料包含第一表面处理粉末以及与前述第一表面处理粉末的疏水化度不同的第二表面处理粉末。特别是,前述导热性填料的累积体积50%粒径D50为0.1~2μm且5μm以上的粗粒量控制为较少时,表现出能够将填充其的散热材料组合物可靠地填充至狭窄的空隙中这样极其优异的特性。
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公开(公告)号:CN119019476A
公开(公告)日:2024-11-26
申请号:CN202410622193.8
申请日:2024-05-20
Applicant: 株式会社德山 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C07H15/04 , C07H1/00 , C07D409/10 , C07D309/10 , C07D407/10
Abstract: 本发明涉及C‑芳基烷氧基糖苷衍生物等化合物的制造方法。本发明的目的是提供能够以高收率制造C‑芳基烷氧基糖苷衍生物等化合物的方法。本发明提供制造下述式(III)表示的化合物(III)的方法,所述方法包括下述工序:在包含下述式(II)表示的醇(II)的溶剂中,使选自下述式(Ia)表示的化合物(Ia)及下述式(Ib)表示的化合物(Ib)中的化合物(I)与酸接触,从而生成前述化合物(III)。#imgabs0#R100‑OH (II)。
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公开(公告)号:CN114728790B
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202080078703.X
申请日:2020-12-07
Applicant: 株式会社德山
IPC: C01B21/064
Abstract: 提供磁性异物含量高度减少、电绝缘性优异的六方氮化硼粉末、以及能够以低成本制造前述六方氮化硼粉末的制造方法。一种六方氮化硼粉末、及包括特定的多个工序的前述磁性异物含量减少的六方氮化硼粉末的制造方法,所述六方氮化硼粉末的特征在于,其为由六方氮化硼的单颗粒和/或聚集颗粒形成的粉末,Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mn、Ni、Ti、Zn、Al的总含量处于20ppm以下的范围。
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公开(公告)号:CN118786248A
公开(公告)日:2024-10-15
申请号:CN202380023381.2
申请日:2023-03-01
Applicant: 株式会社德山
Inventor: 松井仁司
Abstract: 本发明提供能够提高焊接品质的电解槽单元的制造方法。电解槽单元的制造方法包含:排列工序,在该排列工序中,以第1肋(14)、第1隔壁(12)、包层板(8)、第2隔壁(28)和第2肋(30)的顺序的位置关系来排列第1肋(14)、第2肋(30)、第1隔壁(12)、第2隔壁(28)和包层板(8),第1肋(14)和第1隔壁(12)由第1材料形成,包层板(8)具有第1材料的层(8a)和电阻比第1材料的电阻低的第2材料的层(8b),第2隔壁(28)和第2肋(30)由第2材料形成;以及接合工序,在该接合工序中,通过电阻焊来接合第1肋(14)、第2肋(30)、第1隔壁(12)、第2隔壁(28)和包层板(8)。在第1肋(14)形成有第1突起(64),在第2肋(30)形成有第2突起(66),第1突起(64)的大小和第2突起(66)的大小不同。
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公开(公告)号:CN118561666A
公开(公告)日:2024-08-30
申请号:CN202410207469.6
申请日:2024-02-26
Applicant: 株式会社德山 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C07C41/18 , C07C43/225
Abstract: 本发明涉及二取代甲烷衍生物的制造方法。本发明的目的是提供能够以高收率得到二取代甲烷衍生物的二取代甲烷衍生物的制造方法。本发明提供下述方法:使下述式(I)表示的酮衍生物(I)与硼氢化碱金属盐在包含碳原子数1以上5以下的一元醇的溶剂中接触后,使所得到的反应混合物与钛化合物接触,从而制造下述式(II)表示的二取代甲烷衍生物(II)。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN118546183A
公开(公告)日:2024-08-27
申请号:CN202410207490.6
申请日:2024-02-26
Applicant: 株式会社德山 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 本发明涉及C‑芳基羟基糖苷衍生物等化合物的制造方法。本发明的目的是提供C‑芳基羟基糖苷衍生物等化合物的制造方法,其能够以高收率得到C‑芳基羟基糖苷衍生物等化合物。本发明提供下述方法:使下述式(I)表示的化合物(I)与包含碱金属的碱在包含醇的溶剂中接触,从而制造下述式(II)表示的化合物(II)。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN114450261B
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202080067909.2
申请日:2020-09-30
Applicant: 株式会社德山
Inventor: 关雅彦
IPC: C07B53/00 , C07D487/04
Abstract: 根据本发明,提供一种三酮化合物的制造方法,其特征在于,从在沸点为100℃以上的非质子性极性有机溶剂中混合选自下式(I)(式中,R1和R2各自为氢原子或脲基保护基,它们可以相同或不同)表示的二羧酸化合物和下式(II)(式中,R1和R2与上述式(I)中的定义相同)表示的无水化合物中的至少1种原料化合物与下式(III)(式中,R3为烷基、芳烷基或芳基,Ar为可具有取代基的芳族环基)表示的光学活性胺化合物而得到的混合液中除去水,由此制造下式(IV)(式中,R1和R2与上述式(I)中的定义相同,R3和Ar与上述式(III)中的定义相同)表示的三酮化合物。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN113348149B
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202080010371.1
申请日:2020-01-21
Applicant: 株式会社德山
Inventor: 崎田学
IPC: C01B33/02 , C01B33/035 , B65D81/18
Abstract: 本发明的目的在于,对于填充于树脂袋中的多晶硅块状物的包装体,即使长期保存、在输送中暴露于高温高湿环境,也会抑制多晶硅块状物产生污渍。本发明的多晶硅块状物包装体的特征在于,其是表面金属浓度为1000pptw以下的多晶硅块状物填充于树脂袋中的包装体,存在于该包装体内部的硝酸根离子量及优选的氟离子量分别为相对于将包装体放置在25℃、1大气压下时所形成的多晶硅块状物的填充空隙成为50μg/L以下的量。
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公开(公告)号:CN118251371A
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202280076146.7
申请日:2022-11-30
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 为一种粉末状水硬性组合物,其含有:包含选自飞灰和炉渣微粉中的至少1者以上的粉末原料A、和包含选自碱性硅酸盐粉末和碱金属碳酸盐粉末中的至少1者以上的粉末原料B,通过与水混合,从而在常温下也能硬化,无需使用包含氢氧化钠等的碱溶液。
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