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公开(公告)号：CN101427923B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200710135338.8
申请日：2007-11-05
Applicant: 昆山双桥传感器测控技术有限公司
IPC: A61B5/22
Abstract: 一种生物医用压力传感器由外壳、位于外壳内的硅压阻敏感组件以及位于外壳侧部的压力传导介质组成，硅压阻敏感组件的应变电阻通过金丝内引线连接到作为信号输出线的软性线路板，硅压阻敏感组件为具有惠斯通电桥结构的硅敏感元件，外壳由管状的壳体和封固于壳体底端口的圆形底座组成，压力传导介质填充于硅压阻敏感组件表面，并与壳体上端口齐平封装，压力传导介质表面还可设有用于感受外界集中压力的膜片，本发明用于脊椎、骨骼或软组织之间的压力测量，植入测量部位，脊椎、骨骼或软组织之间的压力作用到压力传导介质表面，通过传导介质进行力的传导，把压力传导到硅敏感元件上，硅敏感元件把压力转化成电压信号输出。
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公开(公告)号：CN101382563B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200710132055.8
申请日：2007-09-07
Applicant: 昆山双桥传感器测控技术有限公司
Abstract: 一种流速测量传感器由皮托管、分别设于皮托管前端和侧部的总压传感器和静压传感器组成，总压传感器和静压传感器分别由硅压阻敏感组件组成，硅压阻敏感组件为具有惠斯通电桥结构的硅敏感元件，具有E型岛膜结构，总压传感器中硅压阻敏感组件设于皮托管前端管腔，并与管腔前端的总压进压孔齐平安装，静压传感器中硅压阻敏感组件设于皮托管中部管腔，并与皮托管内的静压引压管输出管口齐平安装，静压引压管设于皮托管侧部，皮托管尾部连接输出横管，两传感器的信号引线分别通过皮托管和输出横管连通的管腔引出，并分别经两信号调理电路后引出到输出电缆，本发明具有总压、静压、动态、流速一次性测量，输出信号可直接连接仪表显示和数据处理。
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公开(公告)号：CN101493367A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200810019520.1
申请日：2008-01-21
Applicant: 昆山双桥传感器测控技术有限公司
IPC: G01L1/18
Abstract: 一种基于MEMS技术微型动态压力传感器及其制造方法，压力传感器由硅敏感元件和作为传感器壳体的不锈钢管组成，硅敏感元件受压面设有惠斯通电桥结构而内部设有真空压力参考腔，硅敏感元件背压面通过陶瓷棒固定于不锈钢管内，硅敏感元件受压面与传感器壳体上引压口的内边缘齐平封装，惠斯通电桥结构上应变电阻通过金丝内引线连接到绝缘棒上外引线，硅敏感元件背压面固定于陶瓷棒端面，陶瓷棒上设有多条便于固定金丝内引线与外引线的花键槽，金丝内引线与外引线在花键槽中连接，本发明具有良好动态特性和微型化，可广泛应用于空气动力学、爆破力学、智能建筑、水利电力设计、石油化工等流体力学测试领域。
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公开(公告)号：CN100465599C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200510136343.1
申请日：2005-12-23
Applicant: 昆山双桥传感器测控技术有限公司
IPC: G01L1/18
Abstract: 一种压阻式土应力传感器由传感器壳体、应力敏感组件和输出电缆组成，传感器壳体前端固设有感受应力的弹性体，传感器壳体内部形成一个具有孔洞结构的固支台阶，敏感组件为具有惠斯通电桥结构的硅压阻式敏感元件，且固定于固支台阶端面，与弹性体间形成的腔体填充有液体压力传递介质，敏感组件的内引线经固定于传感器壳体后端的转接板后外接引出电缆，引出电缆经信号调理电路后外接输出电缆，本发明就是将成熟的硅压阻式敏感元件引入到土应力力学研究领域，制作了压阻式土应力传感器，本发明提供的压阻式土应力传感器可以用集成电路技术大批量生产，具有一致性好、廉价、低频特性好、信号处理简单、方便及可以小型化等特点。
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公开(公告)号：CN100458387C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610088028.0
申请日：2006-06-14
Applicant: 昆山双桥传感器测控技术有限公司
IPC: G01L1/18
Abstract: 一种复合压阻式土应力传感器由壳体、分别设置于壳体的用于感受土体应力的应力敏感组件和用于测量渗透水的水压敏感组件组成，应力敏感组件为具有惠斯通电桥结构的第一硅敏感芯片，应力敏感组件受压面面对壳体的正面，壳体的正面外侧焊固有感受土应力的弹性体，并与应力敏感组件受压面之间形成的密封腔体填充有压力传递介质；水压敏感组件为具有惠斯通电桥结构的第二硅敏感芯片，水压敏感组件受压面面对壳体的背面，位于水压敏感组件受压面的壳体背面部位安装有透水石，本发明在于可以更准确地测量土体的有效应力，并采用集成电路技术和模块化技术来大批量生产，具有一致性好、廉价、低频特性好、信号处理简单、方便等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101131334A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200610086205.1
申请日：2006-08-21
Applicant: 昆山双桥传感器测控技术有限公司
Abstract: 一种用于压阻式动态压力传感器的高频宽带放大电路，连接于动态压力传感器输出线间，包括两级放大电路、电源滤波电路和信号滤波电路，第一级放大电路由仪表放大器构成，其输入端和负反馈端分别与传感器的两差分输出端连接；第二级放大电路由高速运算放大器构成，其输入端与仪表放大器的输出端相连；电源滤波电路为正负电源分别对地并联两电解电容，和分别对地并联两陶瓷电容；信号滤波电路为由呈Y连接的三个电感组成的自制带通滤波器，一个电感串接高频陶瓷电容后与运算放大器输出端相连，另一个电感并联高频陶瓷电容后接地，还有一个电感串接高频陶瓷电容后作为放大电路的输出端，本发明频率高、低噪声、上升速率快、抗干扰较强等特点。
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公开(公告)号：CN101108723A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710069726.0
申请日：2007-06-27
Applicant: 温州大学 , 昆山双桥传感器测控技术有限公司 , 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种超微压压力传感器硅芯片的制作方法，利用硅的平面工艺和体微机械加工技术结合，采用集成电路平面工艺技术和硅的各向异性腐蚀，结合压力传感器芯片设计中梁膜结构与平膜双岛结构的优点，采用双岛-梁-膜结构充分集中了应力，在保证高线性精度下，研制了高灵敏度超低微压压力传感器硅微芯片。该方法主要包括氧化-双面光刻对准记号-氧化-光刻背部大膜和光刻正面梁区-背部大膜和正面梁区腐蚀-氧化-光刻背面应力匀散区-背面应力匀散区腐蚀-背面胶保护正面漂净SiO2层-氧化-光刻电阻区-力敏电阻区硼掺杂-光刻浓硼区-浓硼扩散形成欧姆区-正反面淀积氮化硅-光刻引线孔-光刻背小岛、光刻背大岛-正面镀铝层、反刻铝引线、合金化-进入腐蚀工艺流程等步骤。
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公开(公告)号：CN1834602A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200510038458.7
申请日：2005-03-14
Applicant: 昆山双桥传感器测控技术有限公司
IPC: G01L1/18
Abstract: 一种压阻式高频动态低压传感器由压阻敏感组件、传感器基座、转接电路和引出电缆组成，压阻敏感组件由硅压阻敏感元件和玻璃环片组成，敏感元件为具有力敏区C型或E型方平硅膜片，膜片正面覆盖Si3N4和SiO2层，力敏区正面有惠斯顿全桥并引出电极，力敏区背面边缘硬框覆盖Si3N4和SiO2层并焊接于玻璃环片，电极焊接于金丝内引线，玻璃环片另一面通过金属环片固定于传感器基座进压端的环行凹坑面，硅片背面与传感器基座进压端面准齐平，内引线另一端焊接到转接电路，引出电缆之芯线焊接于转接电路，传感器基座尾部旋固传感器管帽，引出电缆通过管帽底部口引出并基于压线帽固定于传感器管帽，转接电路与引出电缆间接有高频带宽放大电路，实现传输信号高频放大。
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公开(公告)号：CN118706313A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410810876.6
申请日：2024-06-21
Applicant: 昆山双桥传感器测控技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种压力芯片悬浮封装的双余度压力传感器，包括波纹膜片(1)、基座金属本体(2)、充油孔(3)、压环(5)、硅油(6)、金丝(7)、第一压力芯片(9‑1)、第二压力芯片(9‑2)、玻璃绝缘体(10)、第一组可伐合金引脚(11‑1)和第二组可伐合金引脚(11‑2)；本发明可以简单、低成本的避免迟滞和重复性问题。
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公开(公告)号：CN116773058A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310741045.3
申请日：2023-06-21
Applicant: 昆山双桥传感器测控技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带有PT电阻的MEMS硅压力传感器芯片及传感器，该芯片包括：压敏膜片；其中，压敏膜片正面刻蚀呈环状均匀布置的2N个不连续的凹区；2N个不连续的凹区相邻间隙形成N个直梁；2N个不连续的凹区3围成的中间区域形成中心圆岛；N为正整数；同一直梁上对称布置四个压敏电阻；中心圆岛4集成有PT电阻。本发明采用在芯片正面结构上集成PT电阻的方式温度反应实时迅速、结果真实，能够解决在快速温度变化下传感器的温度补偿问题，有助于提升MEMS硅压力传感器的性能。
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