磷砷化镓包覆材料在砷化镓衬底上的外延生长

    公开(公告)号:CN112119481B

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN201980030071.7

    申请日:2019-05-10

    Abstract: 一种半导体器件制造方法,其中,在生长工艺之后进行覆盖工艺,在所述覆盖工艺中,将含荧光体材料覆盖层沉积在最终的基于GaAs的层上。能够从反应室中移出容纳许多此类衬底的晶片,以在以后的时间继续处理而无需在最终的基于GaAs的层上产生氧化层。在连续处理中,分解工艺选择性地分解含荧光体材料覆盖层,此后进行再生长工艺以生长所述器件结构的其它层。在器件制造期间,所述覆盖工艺、分解工艺和再生长工艺能够在晶片上的半导体器件上重复多次。

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