一种质子交换膜燃料电池剩余使用寿命预测方法及装置

    公开(公告)号:CN119128432A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411165561.7

    申请日:2024-08-23

    Inventor: 林名强 胡枫

    Abstract: 本发明提供一种质子交换膜燃料电池剩余使用寿命预测方法及装置,属于燃料电池寿命预测技术领域,包括获取训练集和测试集;得到有效数据集,采用变分模态分解对有效数据集进行分解,过程中利用进化算法优化模态分解参数,以得到多个不同频率的子数据集;构建i Transformer时间序列模型,利用多个子数据集作为输入对该模型进行训练,以得到最优的模型;利用测试集对步骤S3所得的最优模型进行测试,将RMSE和MAPE作为评价模型的指标。本发明能够准确地对燃料电池剩余使用寿命进行准确预测。

    一种显示用精细绿色荧光粉及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN119120020A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202310691293.1

    申请日:2023-06-12

    Abstract: 本发明公开了一种显示用精细绿色荧光粉及其制备方法和用途。本发明绿色荧光粉的制备方法湿化学法和/或固相反应法;所述绿色荧光粉,所述绿色荧光粉为YAG:Ce,M,其分子式为Y3‑x‑yAl5O12:Cex,My,其中,Ce为发光离子,为正三价离子;M选自In3+、Sc3+、Gd3+、Yb3+、Lu3+中至少一种;0.0001≤x≤0.5,0<y<3。本发明制备得到的精细绿色荧光粉,一方面可以在MiniLED实现更好涂覆性,另一方面发光效率高、热稳定性好、发射光谱易调控、很好匹配蓝光芯片,可提高MiniLED的显示效果和可靠性,适用作MiniLED等显示用荧光材料。

    一种大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料及应用

    公开(公告)号:CN118910733A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202411367838.4

    申请日:2024-09-29

    Abstract: 本发明属于光电半导体材料技术领域,公开了一种大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料,含有尺寸为5 nm~1500 nm且均匀分布的蠕状结构的孔;所述大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料在三维空间具有刚性的自支撑结构且无需模版支撑;所述大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料兼具纳米单晶骨架以及无序连通的开孔结构;所述大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料为多孔单晶氧化铁薄膜或多孔单晶氧化铁晶体;所述多孔单晶氧化铁薄膜的表面具有多孔单晶氧化铁的(104)晶面、(214)晶面或(110)晶面中的至少一面,所述多孔单晶氧化铁晶体的最大表面具有多孔单晶氧化铁的(104)晶面、(214)晶面或(110)晶面中的至少一面。本发明的材料能够进一步提升多孔单晶氧化铁作为半导体器件的性能。

    一种季铵盐聚醚聚硅氧烷制备设备

    公开(公告)号:CN118846567A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410987238.1

    申请日:2024-07-23

    Inventor: 王剑磊

    Abstract: 本发明涉及季铵盐加工技术领域,且公开了一种季铵盐聚醚聚硅氧烷制备设备,包括壳体,所述壳体的顶部焊接有连接管,且连接管的一端穿过壳体,连接管的圆周外壁设有电控阀,所述壳体的顶部内壁通过螺栓固定有多个均匀分布的阻尼器,多个阻尼器的另一端通过螺栓固定有安装板,安装板的底部设有对晶体进行清理的刮除组件和对溶液进行搅动的搅拌组件,搅拌组件和刮除组件通过曲柄连接结构相连接,所述壳体的圆周内壁转动连接有转动板,本发明不仅能够完成对容易的蒸发,还能够在溶液加热时对溶液进行搅拌加快溶液的蒸发,还能够对晶体进行刮除,避免晶体吸附在料盒上,便于对晶体的取出,从而加快季铵盐聚醚聚硅氧烷晶体制备。

    一种无机化合物晶体及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN116024667B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202111238403.6

    申请日:2021-10-25

    Abstract: 本申请包括一种无机化合物晶体及其制备方法与应用。该晶体的化学式为Cs5Ga9S16,其晶体结构属于单斜晶系,空间群为Pc,具有三维类金刚石网格结构;所述三维类金刚石网格结构主要是由[Ga9S20]多面体基团作为基本的重复单元,通过共用顶点S相互连接;碱金属元素Cs分散填充在所述三维类金刚石网格结构之中,作为电荷平衡。该晶体具有优良的二阶非线性光学性质,在红外波段能够实现相位匹配,具有宽的光学带隙,其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的0.8倍,且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的75倍。

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