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公开(公告)号：CN114483504B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210120096.X
申请日：2022-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 后加载磁场霍尔推力器高性能无侵蚀壁面形貌设计方法，涉及霍尔推力器领域。为了解决现有后加载技术中，放电通道壁面倒角形貌设计受磁力线约束，受设计、加工与装配因素影响难以保证零侵蚀的问题。步骤1、定义磁力线特征值为磁力线与通道中心线交点的磁场强度与最大磁场强度之比；步骤2、使放电通道出口与磁极端面平齐，并使放电通道内壁面倒角和外壁面倒角均与选取的磁力线特征值的磁力线相切；步骤3、保持磁力线与内壁面和外壁面在近阳极端端点位置不变，将内壁面的近放电通道出口端端点和外壁面的近放电通道出口端端点均向远离通道中心线方向移动，所述移动范围为大于等于0毫米且小于等于1毫米。用于设计防护离子溅射的放电通道壁面。
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公开(公告)号：CN113279930B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110731821.2
申请日：2021-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明公开一种微型离子推力器的栅极组件装配结构及装配方法，包括陶瓷底座、屏栅、加速栅和陶瓷垫片，陶瓷底座通过螺栓固定在推力器主体上，屏栅和加速栅安装在陶瓷底座上；屏栅和加速栅均由圆形金属薄片经化学刻蚀加工而成，屏栅和加速栅的一面保持平整，另一面为刻蚀区域形成的凹槽，且屏栅和加速栅上的刻蚀区域与推力器主体的截面积相等；屏栅和加速栅上的刻蚀区域内加工有栅极孔；屏栅带有凹槽的一侧朝向推力器主体并直接放置在陶瓷底座上，陶瓷垫片设置于屏栅和加速栅之间，加速栅具有凹槽的一侧朝向外部；陶瓷垫片与屏栅的厚度之差即为两个栅极之间的距离。本发明能够简化栅极组件安装方式并避免各组件之间出现短路现象。
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公开(公告)号：CN109829238B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201910107657.0
申请日：2019-02-02
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 南京遒涯信息技术有限公司
Abstract: 基于折合平衡流形展开模型的航空发动机系统辨识方法，本发明涉及发动机系统辨识系统。现有技术只能建立单输入的平衡流形展开模型，适应范围窄。本发明将多维平衡流形空间维度压缩为一维的折合平衡流形空间维度；基于燃气轮机的相似理论，建立含多个输入量的折合平衡流形展开模型；在折合平衡流形展开模型中，基于相似理论将实际发动机入口参数折合到根折合平衡流形展开模型上，计算在折合平衡流形展开模型上的发动机的运行参数，利用反折合的方法计算出实际发动机入口参数下的航空发动机运行参数。本发明建立的建立含多个输入量的折合平衡流形展开模型，扩大平衡流行展开模型应用范围。
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公开(公告)号：CN113266542B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110730292.4
申请日：2021-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 一种霍尔推力器磁路散热结构，涉及霍尔推力器技术领域，针对现有技术中霍尔推力器整体温度高的问题，本申请增加霍尔推力器散热能力的结构，采用镂空外磁屏并通过隔热支架将放电通道与底板分开，改变霍尔推力器的热量传递路径，使得放电通道内产生的热量直接通过隔热支架向环境传递，降低霍尔推力器整体温度，其中底板温度下降最为明显。本发明所提出的增加霍尔推力器散热能力的结构，保证了磁场分布几乎不变且推力器总体质量几乎不变的前提下，可以自由调节通道长度，减少放电通道的整体轴向长度，并降低了霍尔推力器整体的温度。
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公开(公告)号：CN113374662B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110733039.4
申请日：2021-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 一种改变中置阴极背景磁场的磁路结构，涉及霍尔推力器技术领域，针对现有技术中置阴极方案的霍尔推力器的阴极背景磁场强度影响发动机放电性能，导致降低了发动机的效率的问题，本申请采用中置励磁线圈的方式，改变中置阴极的背景磁场，以减少阴极发射的电子束跨越磁力线的阻力，从而降低耦合压降。本发申请所提出的磁路形成的中轴线磁场，可以通过调节中置线圈的励磁电流实现中轴线上最大磁场强度、阴极上端面处磁场强度、阴极上端面处磁场梯度的连续调节。其中阴极上端面处磁场强度在‑21％到21％范围内连续可调，阴极上端面处磁场梯度在‑28％到28％范围内连续可调，进而降低了背景磁场对中置阴极影响，进而解决了降低发动机效率的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113236516B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110732225.6
申请日：2021-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明公开了一种微型离子推力器放电室防沉积的结构，包括微型离子推力器的放电室、绝缘陶瓷套筒、绝缘陶瓷凸台结构和紧固件。绝缘陶瓷套筒包括套筒本体和法兰端面，套筒本体穿过放电室底板中部的通孔，法兰端面与放电室底板朝外的一侧贴合；绝缘陶瓷凸台结构具有阶梯面和凸台面，凸台面与放电室底板朝内的一侧贴合，阶梯面与放电室底板之间形成第一空隙，绝缘陶瓷凸台结构的外缘与阳极之间留有间隙；紧固件用于使绝缘陶瓷套筒和绝缘陶瓷凸台结构夹紧放电室底板。相比于现有技术，本发明通过设置第一空隙的方式破坏了溅射金属颗粒沉积层的连续性，保证陶瓷板的绝缘性，进而保证了放电室主阴极和阳极之间的绝缘性。
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公开(公告)号：CN113606103A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110871762.9
申请日：2021-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明涉及一种阶梯栅极、栅极结构、阶梯栅极参数确定方法及系统，将栅极设计成阶梯状结构，阶梯栅极沿径向划分为中心区、过渡区和边缘区，中心区、过渡区和边缘区的厚度依次减小，中心区、过渡区和边缘区到另一个栅极的间距依次增大，实现栅极沿径向的间距变化，不同区域的栅极间距不同，使得不同径向位置的等离子体鞘有合适强度的加速电场，能够保证在不同位置离子束都能实现良好的聚焦。
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公开(公告)号：CN112943572B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110307639.4
申请日：2021-03-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 一种改变霍尔推力器磁场后加载程度的磁路结构，涉及磁路设计技术领域，针对现有技术中加速区高能离子对放电通道壁面的溅射侵蚀使得霍尔推力器寿命低的问题，本发明所提出的磁路形成的磁场正梯度强磁场区位于通道外，且可以通过改变磁路结构实现不同后加载程度。可以大幅度改变通道内磁场强度分布，后加载程度可在0‑50％范围内连续可调节，可控制场强峰值位于通道出口内部或外部，进而延长了霍尔推力器的寿命。
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公开(公告)号：CN113357114A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110813110.X
申请日：2021-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明公开一种应用于推力器的主阴极的装配结构及其装配方法，主阴极通过绝缘底座安装在连接底座上，使得主阴极与连接底座之间保持绝缘状态，由于连接底座呈环形结构，且环形结构沿周向开设有若干个贯穿其侧壁的开槽，开槽中可更换设有不同长度的定位件，定位件插接在开槽中，并封堵开槽和绝缘底座的间隙，绝缘底座通过与其相连接的搭接件搭接在定位件上，那么通过更换不同长度的定位件，改变搭接件在连接底座上的轴向位置，进而带动绝缘底座改变其在连接底座上的轴向位置，以能够保证主阴极与连接底座间绝缘密封的同时，能够频繁改变主阴极相对于推力器放电室的轴向位置，满足在推力器的实验研究。
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