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公开(公告)号：CN102412394A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110321222.X
申请日：2011-10-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了锂电池用层状二硫化锡/二氧化硅核壳纳米棒的制备方法，包括：将锡纳米棒加入到乙醇溶液中，超声分散；随后依次加入一定量的水、氨水和正硅酸乙酯溶液，反应30～720分钟，离心分离并干燥，得到锡/二氧化硅核壳纳米棒，再将其放置于管式炉中进行硫化反应，反应温度为400～600℃，反应时间为30～720分钟，得到层状二硫化锡/二氧化硅核壳纳米棒。本发明的方法可用于大批量生产，便于其在锂离子电池负极材料上的商业化应用，而且本发明方法合成的层状二硫化锡/二氧化硅核壳纳米棒应用在锂离子电池负极材料上时循环性能显著提高。
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公开(公告)号：CN101759188B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201010040053.8
申请日：2010-01-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种铝熔体提纯金属硅方法，包括如下步骤：首先将金属硅去油、洗净得到洗净后的金属硅；再将铝熔体倒入洗净后的金属硅中，让洗净后的金属硅表面附着一层铝熔体，冷却凝固；将冷却凝固的的产物在惰性气氛中加热、保温，冷却至室温后用盐酸和氢氟酸混合溶液浸泡数小时，用去离子水清洗干净。本发明利用了硅中铝吸杂的原理，对金属硅中的杂质进行初步的吸杂处理，得到较纯的硅材料，以用于后续的提纯工艺，是一种低成本、低能耗、简便易行的物理法提纯制备太阳能级硅的方法，能将金属硅纯度初步提纯到99.99％～99.999％(4～5N)，可以作为太阳能电池用硅材料或进一步提纯的原料。
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公开(公告)号：CN101786628B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201010040050.4
申请日：2010-01-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种用铝膜包覆提纯金属硅的方法，包括如下步骤：将金属硅去油、洗净；然后加入到氢氧化铝胶体中混匀、干燥；再在水煤气气氛中加热并两次保温后冷却至室温；最后在盐酸和氢氟酸混合溶液浸泡后用去离子水清洗干净而得到纯度为4～5N的高级金属硅。本发明利用铝吸杂对金属硅中的杂质进行初步的吸杂处理，工艺简单，大幅降低了成本，可得到较纯的硅材料作为太阳能电池用硅材料或其进一步提纯的原料。
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公开(公告)号：CN102280530A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110225295.9
申请日：2011-08-08
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , B82Y20/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种增加太阳电池光吸收的方法，包括：在太阳电池受光面生长一层宽禁带氧化物纳米结构，所述的宽禁带氧化物为氧化锌、二氧化钛或二氧化锡，所述的纳米结构为直径10～100nm的纳米颗粒或单根纳米棒长度为30～300nm的纳米棒阵列。本发明的增加太阳电池光吸收的方法可在较宽太阳光谱范围内实现光反射损失的显著减少，使得太阳电池的效率显著提高。本发明方法工艺简单，能耗低，且与现有太阳电池生产工艺完全兼容，适合大规模产业化。
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公开(公告)号：CN102212790A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110130059.9
申请日：2011-05-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种贵金属亚微米球壳阵列的制备方法，首先在石英等基底自组装不同直径的亚微米聚苯乙烯微球阵列，再利用直流磁控溅射在聚苯乙烯微球阵列上沉积贵金属层，最后通过在真空腔内热处理去除聚苯乙烯微球模板。本发明方法的生长过程简单可控，制备的球壳阵列尺寸均一，排列整齐，通过调节贵金属层的厚度，可得到表面等离激元共振峰位不同的球壳阵列，可用于生物传感、光子晶体、表面增强拉曼光谱和发光光谱等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101654805B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200910152970.2
申请日：2009-09-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种同晶向、柱状大晶粒的铸造多晶硅的制备方法，包括：(1)依次将单晶硅块、硅原料、掺杂元素置于坩埚中；(2)加热使单晶硅块上的硅原料和掺杂元素融化，而每个单晶硅块不被全部融化；(3)热交换从坩埚底部开始，使单晶硅块作为籽晶诱导生长定向凝固形成多晶硅。本发明得到的柱状、大晶粒多晶硅可以有效的降低材料中的晶界密度，基本消除了当前普通铸造多晶硅中由于存在大量晶界导致电池效率降低的问题；同时，本发明得到的多晶硅中的晶粒具有同晶向，使电池制备过程中高效的碱制绒技术能够被应用，从而提高电池对光的吸收效率。
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公开(公告)号：CN102168314A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110070161.4
申请日：2011-03-23
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225
Abstract: 本发明公开了一种直拉硅片的内吸杂工艺，包括：(1)在氮气氛下，将直拉硅片以50～100℃/秒的速率升温至1200～1250℃，维持30～150秒，然后以5～50℃/秒的速率冷却至800～1000℃，接着自然冷却；(2)将经步骤(1)处理后的直拉硅片在氩气氛下于800～900℃退火8～16小时。本发明仅包含两步热处理工艺，所需温度和时间比现有工艺的要低，热预算显著降低；另外体微缺陷的浓度和洁净区宽度可以很方便地通过第一步快速热处理的温度、时间和冷却速率得到控制。
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公开(公告)号：CN101777592B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010040048.7
申请日：2010-01-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/0288 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于重掺UMG硅外延生成高低结的太阳电池，包括若干电池片，电池片由下至上依次为：铝电极层；第一氮化硅层；第一二氧化硅层；重掺UMG硅层；轻掺硅外延层，该层的导电类型与重掺UMG硅层的导电类型相同；第二二氧化硅层；第二氮化硅层；若干重掺区域，该重掺区域的导电类型与重掺UMG硅层的导电类型相反；在重掺区域及第二氮化硅层的上表面设有银电极。本发明还提供了所述的电池片的制备方法。本发明利用低成本的UMG硅原料、选择重掺杂技术生长出重掺UMG硅晶体，外延生长出高质量硅薄膜制备电池片，比直接利用高质量体硅材料成本低很多，光电转换效率比直接利用轻掺UMG硅材料制备的电池片高很多。
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公开(公告)号：CN101937947A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010283068.7
申请日：2010-09-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种铝硼共掺的硅太阳电池背场及其制作方法，包括如下步骤：在铝浆中加入硼源，搅拌均匀，得到混合浆料；其中，硼元素在混合浆料中的质量分数为0.01％-3％；在硅太阳能电池背面丝网印刷上所述的混合浆料，烘干，在650-950℃烧结，烧结时间不超过5min。本发明制作方法烧结温度低，有效降低了电池的降低翘曲和破碎率。本发明制作方法能够在电池背面形成更均匀的背场，具有采用本发明制作方法得到的具有铝硼共掺背场的硅太阳电池的串联电阻明显降低，并联电阻明显上升，电池效率有较大幅度提升，而成本的增加可以忽略不计。
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公开(公告)号：CN101937946A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010283057.9
申请日：2010-09-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池硅片的表面织构方法，包括如下步骤：利用低成本的化学法制备均匀的纳米级银颗粒溶液；去除硅片表面损伤层，并对硅片进行预织构；将纳米级银颗粒溶液均匀涂覆在经预织构处理的硅片上，干燥；将得到的硅片浸泡在由双氧水、氢氟酸和无水乙酸组成的混合溶液中30s～10min；再浸泡在质量百分比浓度为40％～60％的硝酸中1～10min，并用去离子水清洗，得到了表面反射率很低的硅片。本发明工艺流程简单可行，成本低能耗低，重复性好、可移植性好并且产出高，具有较好的应用前景。
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