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公开(公告)号：CN101767769B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200910157002.0
申请日：2009-12-31
Applicant: 浙江大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种PVP辅助制备二氧化硅/银核壳结构颗粒的方法，采用的是聚乙烯基吡咯烷酮辅助的成核-再长大两步生长工艺，包括以下步骤：1)制备表面吸附纳米银颗粒颗粒的亚微米二氧化硅球；2)在PVP的水溶液中，将步骤1)中得到的二氧化硅球分散，在氨水的催化作用下，用甲醛还原硝酸银；3)将步骤2)的反应液离心清洗后分散到乙醇或水中得到二氧化硅/银核壳结构颗粒的胶体溶液。本发明方法所用药品廉价易得，过程简单可控，产物单分散性好，尺寸均一，通过调节银层厚度，可以得到光学消光峰位不同的的核壳颗粒，可用于光子晶体、生物探测、表面增强拉曼散射、表面等离子增强发光等方面。
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公开(公告)号：CN102931583A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210490468.4
申请日：2012-11-26
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种基于双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器，包括：在硅衬底的正面自下而上依次沉积有第一ZnO薄膜、第一SiO2薄膜、第二ZnO薄膜、第二SiO2薄膜和半透明电极，在硅衬底背面沉积有欧姆接触电极。本发明还提供了该激光器的制备方法，其步骤为：1)在硅衬底正面沉积第一ZnO薄膜，2)在第一ZnO薄膜上沉积第一SiO2薄膜，3)在第一SiO2薄膜上沉积第二ZnO薄膜，4)在第二ZnO薄膜上沉积第二SiO2薄膜，5)在第二SiO2薄膜上溅射半透明电极，在硅衬底背面溅射欧姆接触电极，即制得基于双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器。本发明方法制得的双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器的阈值电流显著降低，光输出功率明显提高。并且，本发明的制备方法工艺简单，且能够与现有的CMOS工艺兼容，有利于器件的大规模生产及应用。
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公开(公告)号：CN102912424A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210382987.9
申请日：2012-10-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法，包括如下步骤：(1)将多晶硅原料以及固体掺杂剂在氩气气氛下熔融，得到稳定的熔硅；(2)在稳定的熔硅中引入籽晶，晶体生长经缩颈、放肩过程，进入等径生长阶段；(3)在等径生长阶段，通入和所述固体掺杂剂导电类型相反的掺杂气体，直至直拉单晶硅生长完成。本发明提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法中掺杂气体的种类和用量方便控制，可以得到各种所需的杂质浓度分布；直拉硅单晶的利用率得到提高；显著改善了直拉单晶硅的电阻率均匀性。
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公开(公告)号：CN102605433A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210005592.7
申请日：2012-01-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种消除掺氮直拉单晶硅片中原生氧沉淀的方法，包括：在纯度大于99.99％的氩气气氛下，对掺氮直拉单晶硅片进行快速热处理，然后自然冷却；其中，所述快速热处理的升温速率为10-100℃/s，快速热处理的最高温度为1200-1250℃，掺氮直拉单晶硅片在最高温度下维持30-150s。该方法能够快速、有效地消除掺氮直拉单晶硅片中的原生氧沉淀，从而抑制硅片在后续热处理中产生氧化诱生层错，具有工艺简单、热预算低的特点，特别适用于初始氧浓度为6×1017-1.1×1018cm-3、氮掺杂浓度为2×1014-4×1015cm-3的掺氮直拉单晶硅片。
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公开(公告)号：CN102157636B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110030656.4
申请日：2011-01-27
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种增强硅基薄膜电致发光的方法，包括如下步骤：在P型硅片正面上沉积一层银薄膜，然后进行热退火，在P型硅片正面上形成银岛膜；在银岛膜上沉积富硅氮化硅薄膜，然后在富硅氮化硅薄膜上沉积一层氧化硅薄膜；在氧化硅薄膜表面沉积一层ITO薄膜作为正面出光电极，在P型硅片背面沉积一层Al作为背面电极，制得硅基薄膜发光器件。本发明方法制备的硅基薄膜器件的电致发光强度显著强于普通硅薄膜器件的电致发光强度；器件能工作在更高的输入功率下，不易被击穿。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102543711A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210001361.9
申请日：2012-01-04
Applicant: 浙江大学 , 镇江大成新能源有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种太阳电池用硅片表面腐蚀生成多孔硅的方法，包括以下步骤：采用清洗液清洗硅片；将洗净的硅片放入NH4F腐蚀溶液中，在在波长为365～400nm的紫外光照射条件下，进行腐蚀反应，室温下腐蚀1～60min后，用去离子水冲洗硅片，干燥备用。本发明方法采用NH4F为腐蚀溶液，毒性小，对环境的污染程度和对人体的伤害程度都较小；采用紫外光照催化多孔硅结构生成，易于实现，成本较低；本发明方法反应条件温和，工艺参数容易控制，更容易实现工业量产，与工业生产兼容性好，适用范围广。
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公开(公告)号：CN102507293A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110342033.0
申请日：2011-11-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于显示重掺N型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液，由摩尔浓度为0.2～0.25mol/L的三氧化铬溶液和质量浓度为40％～49％的氢氟酸按体积比为2∶3～3∶2混合制成。该腐蚀液适用范围广，可以用于掺杂浓度为1.6×10191.1×1020cm-3的 、 等不同晶向重掺N型直拉硅单晶中空洞型缺陷的择优腐蚀，尤其适用于重掺杂、低阻直拉硅单晶空洞型缺陷的显示；具有腐蚀速度快，腐蚀效果好，图像形貌规则、清晰易辨，操作简单方便等特点。
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公开(公告)号：CN102168314B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110070161.4
申请日：2011-03-23
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/322
CPC classification number: C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225
Abstract: 本发明公开了一种直拉硅片的内吸杂工艺，包括：(1)在氮气氛下，将直拉硅片以50～100℃/秒的速率升温至1200～1250℃，维持30～150秒，然后以5～50℃/秒的速率冷却至800～1000℃，接着自然冷却；(2)将经步骤(1)处理后的直拉硅片在氩气氛下于800～900℃退火8～16小时。本发明仅包含两步热处理工艺，所需温度和时间比现有工艺的要低，热预算显著降低；另外体微缺陷的浓度和洁净区宽度可以很方便地通过第一步快速热处理的温度、时间和冷却速率得到控制。
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公开(公告)号：CN101717069B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200910154900.0
申请日：2009-11-26
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开一种具有磁性和发光性能的复合纳米结构的制备方法，将氧化锌纳米棒加入到氯化钠水溶液中，超声分散，然后加入带正电的聚丙烯胺盐酸盐溶液，使带正电的聚丙烯胺盐酸盐吸附在氧化锌纳米棒的表面，去离子水清洗；将上述得到的产物重新分散在去离子水中，加入硼氢化钠，将三氯化铁水溶液逐滴加入，反应后离心分离，并干燥，得到最终产物。本发明以氧化锌纳米棒为模板，结合正负电异性相吸的方法制备氧化锌纳米棒/超顺磁性氧化铁纳米颗粒复合材料，以氧化锌纳米棒为模板，因此具有产量大，超顺磁性氧化铁与氧化锌比例可控等优点。
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公开(公告)号：CN102412394A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110321222.X
申请日：2011-10-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了锂电池用层状二硫化锡/二氧化硅核壳纳米棒的制备方法，包括：将锡纳米棒加入到乙醇溶液中，超声分散；随后依次加入一定量的水、氨水和正硅酸乙酯溶液，反应30～720分钟，离心分离并干燥，得到锡/二氧化硅核壳纳米棒，再将其放置于管式炉中进行硫化反应，反应温度为400～600℃，反应时间为30～720分钟，得到层状二硫化锡/二氧化硅核壳纳米棒。本发明的方法可用于大批量生产，便于其在锂离子电池负极材料上的商业化应用，而且本发明方法合成的层状二硫化锡/二氧化硅核壳纳米棒应用在锂离子电池负极材料上时循环性能显著提高。
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