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公开(公告)号：CN108802590B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201810652147.7
申请日：2018-06-22
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种半导体器件的功率循环测试方法及系统。本发明提供的功率循环测试方法及测试系统，对包括多条并联连接的测试支路的功率循环测试装置，能够根据当前时刻导通的测试支路开关的驱动脉冲信号确定下一条要导通的测试支路的驱动脉冲信号，不仅使得多条测试支路能够交替循环进行加热和降温，利用一条测试支路的降温时间对其他测试支路进行加热，极大地提高了功率循环测试的效率，而且还可以保证各测试支路开关交替循环导通，从而使直流电源能够持续输出恒定直流电，避免直流电源由于反复开关导致的老化问题，从而提高了直流电源长期运行的可靠性，进一步提高了功率循环测试装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN108646163B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201810651955.1
申请日：2018-06-22
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种半导体器件的功率循环测试系统。功率循环测试系统包括：控制器、驱动器、至少一条测试支路、直流电源和水冷器，每条所述测试支路包括一个测试支路开关、与测试支路开关串联的若干待测半导体器件，且各个待测半导体器件串联连接。本发明提供的功率循环测试系统可通过有效地利用一条被测支路的降温时间来对其他被测支路的器件进行加热，待测半导体器件的数量较多，能够极大地提高功率循环测试系统的测试效率。同时，由于本发明提供的功率循环测试系统设置有多条并联的测试支路，因此，用户可以根据实际需求进行多种测试功能的切换，可对不同厂家或型号的器件在同一测试条件下进行对比测试。
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公开(公告)号：CN109856514A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910148629.3
申请日：2019-02-28
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了一种高压IGBT器件灌封用有机硅凝胶的沿面放电测试腔。所述沿面放电测试腔包括：上电极横梁、上端盖、上电极、腔体以及下电极；上电极横梁上设有攻丝通孔，上电极通过所述攻丝通孔与上电极横梁相连接；上电极横梁与上端盖固定连接；上端盖与腔体固定连接；下电极与腔体底部相连接；腔体底部设有下电极定位孔以及腔体密封胶圈定位孔；下电极底部设有下电极定位柱以及下电极密封胶圈固定孔；下电极定位孔与下电极定位柱相匹配，腔体密封胶圈定位孔与下电极密封胶圈固定孔相匹配；下电极底部还设有胶圈槽；上电极与下电极之间具有间距。采用该沿面放电测试腔能够提高有机硅凝胶的沿面放电测试腔密封性以及精确定位腔体内绝缘材料。
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公开(公告)号：CN109817612A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910191808.5
申请日：2019-03-14
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/495 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种改善焊接型碳化硅功率模块电热性能的封装结构，该封装结构包括铜底板，DBC板，碳化硅芯片，驱动信号端子和功率回路端子；所述碳化硅芯片，以每两个为一个单元进行并联，长边沿着所述铜底板的长边平行排列放置，每两个单元共用一块DBC板，所述两个单元为串联结构，所述DBC板固定在所述铜底板上；所述驱动信号端子采用顶针方式直接引出；所述功率回路端子采用带有螺纹的铜块引出。本发明通过优化碳化硅芯片放置方式、DBC分布方式和端子的引出方式，减小了电流路径长度，增大了电流路径宽度，提高了DBC板的底板面积利用率，增大了散热面积，减小了散热热阻，从而提高封装的电热性能。
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公开(公告)号：CN109581159A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811451469.1
申请日：2018-11-30
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明公开了一种绝缘液体液态、气态及气液混合态介电特性测试腔，包括腔桶、设置于所述腔桶顶部的腔盖和设置于所述腔桶底部的支撑架，所述腔桶内部设置有高压电极、测试电极、第一绝缘块、第二绝缘块、第三绝缘块和第四绝缘块；测试电极套设于高压电极外部，二者之间形成环形测试腔，测试腔内用于盛放待测介质，高压电极内部设置用于加热介质的加热源，腔桶内部其余部分由各个绝缘块填充，且腔桶侧壁设置有与测试腔连通的气态测试孔和液态测试孔，腔桶顶部和底部还分别连接调液管和调气管；实现了介电特性测试腔体积的小型化与功能的全面性，能够减小单次试验的最大需液量，并可实现真空，调液，测压，调压，控温，测温，观察的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106898581B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710211990.7
申请日：2017-04-01
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L23/06 , H01L23/367 , H01L23/49 , H01L25/07 , H01L23/00
Abstract: 本发明公开一种功率器件。功率器件包括导电盖板、导电薄层、圆柱型印制电路板、n个功率器件芯片和导电基板；n个功率器件芯片与印刷电路板均位于导电基板上；每个功率器件芯片以圆周对称方式设置在导电基板上；每个功率器件芯片的控制端通过键合线连接印刷电路板的内部通路，印刷电路板的内部通路通过接口与外部电源相连；每个功率器件芯片的输入端电连接导电基板的上表面，输出端电连接所述导电薄层的下表面；导电薄层电连接导电盖板。采用本发明的功率器件，各芯片环境参数的一致性，改善了并联功率芯片电流的分布，改善了功率芯片受力不均衡的问题，并且可以实现双面散热，增加了功率器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN109038672A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810979839.2
申请日：2018-08-27
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了一种平抑可再生能源波动的多目标鲁棒优化配置方法。其首先针对可再生能源发电和DR实际响应量的不确定性，分析需求侧响应资源种类，建立了其可用容量的鲁棒区间模型，在此基础上，综合考虑可再生能源发电并网功率波动、DR资源可用性、系统功率平衡等方面约束条件，以配电网的运行成本最低和可再生能源利用最大为目标，建立了面向智能配电网下多形态DR资源协同平抑可再生能源波动的多目标鲁棒优化配置模型，着重考虑了DR资源在不同时间尺度下的互补性。针对上述优化问题利用带精英策略的非支配集排序多目标遗传算法进行求解。
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公开(公告)号：CN108802590A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810652147.7
申请日：2018-06-22
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2642
Abstract: 本发明公开一种半导体器件的功率循环测试方法及系统。本发明提供的功率循环测试方法及测试系统，对包括多条并联连接的测试支路的功率循环测试装置，能够根据当前时刻导通的测试支路开关的驱动脉冲信号确定下一条要导通的测试支路的驱动脉冲信号，不仅使得多条测试支路能够交替循环进行加热和降温，利用一条测试支路的降温时间对其他测试支路进行加热，极大地提高了功率循环测试的效率，而且还可以保证各测试支路开关交替循环导通，从而使直流电源能够持续输出恒定直流电，避免直流电源由于反复开关导致的老化问题，从而提高了直流电源长期运行的可靠性，进一步提高了功率循环测试装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN108011365A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711232461.1
申请日：2017-11-30
Applicant: 国网天津市电力公司 , 国家电网公司 , 华北电力大学 , 北京蓝海新源科技发展有限公司
IPC: H02J3/00
Abstract: 一种城市能源互联网供需互动协调方法。其包括大数据预测技术在能源供应侧和能源需求侧中的应用；需求侧响应技术在能源供应侧和需求侧中的应用；供需互动协调模式的构建等步骤；本发明提出了城市能源互联网供需互动协调方法，分析了方法在实现城市能源互联网供需互动协调过程的整个流程。方法简单易行，科学合理，能够在满足技术要求的前提下，实现能源供需互动协调，使整个城市能源互联网系统获得可观的经济和社会效益。
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公开(公告)号：CN107768328A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201711040631.6
申请日：2017-10-31
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/492 , H01L23/00 , H01L25/07
Abstract: 本发明公开了一种实现双面散热和压力均衡的功率器件，该功率器件通过设置具有多个凹池结构的导电触片，将功率器件分为两部分，实现双面散热；通过设置弹簧件与凹池结构的凹陷处机械连接，凹池结构的凸陷处从上至下依次与上钼片、芯片、下钼片、银垫片、凸台以及导电基板连接，实现了将各个弹簧件、芯片相互独立，且当其中一个芯片由于结构或热膨胀等差异所受热应力变大时，其对应弹簧件可通过产生向上的位移减少芯片的受力，其他芯片和弹簧不受影响，改善了芯片受力的平衡度。因此，本发明提供的功率器件，能够解决传统功率器件封装结构由于散热性能不好、内部芯片承受压力不均匀而导致功率器件封装结构可靠性低的问题。
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