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公开(公告)号：CN107861834A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711074758.X
申请日：2017-11-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于错误预检测技术提升固态硬盘读性能的方法，对物理页面进行子页划分，在SSD控制器读取完闪存页面中的数据时，在SSD内存中判断子页的标志位是0还是1，如果是1则直接将该子页中的数据送至LDPC译码器进行译码，如果是0则使用数据校验算法对该子页中的数据进行校验，以判断该子页中的数据是否发生错误。如果发生错误，则将数据送到LDPC译码器进行译码，同时将该子页的标志位设置为1。本发明提出采用错误预检测的技术，对没有错误的数据不再进行译码。从而降低译码时间与功耗上的开销，提升SSD读性能。
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公开(公告)号：CN104850504B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201510273730.3
申请日：2015-05-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明公开了一种加速基于XOR的RAID‑6编解码过程的方程并行计算方法：将基于XOR的RAID‑6编码的校验规则用校验方程组表示，把每个校验方程在编解码过程中的求解分解为两个阶段——“预计算阶段”以及“递归求解阶段”；每个校验方程由一个独立的线程实施求解，多个校验方程的预计算阶段被并行执行；使用一个全局共享的数据块状态表记录数据块的状态以协调所有线程的执行。本发明方法利用编码的潜在并行能力，使得大部分计算可以同时使用多个线程处理，充分发挥并行处理能力，缩短计算所花费的时间，提高编解码的性能。
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公开(公告)号：CN104537050B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201410826066.6
申请日：2014-12-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种批量快速创建文件系统元数据和数据的方法，具体针对预知的工作集，例如目录拷贝，压缩文件解压操作等，在保证文件系统可靠性的前提下，首先对元数据区域的超级块、块组描述符、数据位图、Inode节点位图三种元数据进行修改。然后依次按照操作的顺序将Inode节点信息和数据分别写入元数据区域和数据区域。根据本发明的方法，首先，使得系统避免了元数据页面写回引入的频繁随机的小写问题；其次，增加了写延迟的时间，让元数据和数据区域更大程度地吸收合并了部分IO请求，导致同一元数据对象下发到磁盘的多次更新操作合并成一次磁盘更新；再次，在元数据和数据区域中，实现Inode节点和数据块地顺序创建，减少了磁头寻道和定位的次数。
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公开(公告)号：CN107423159A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710558727.5
申请日：2017-07-11
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G06F11/1012 , G06F11/1068 , G11C29/42 , H03M13/1125 , H03M13/1148
Abstract: 本发明公开了一种基于闪存错误模式提升LDPC译码性能的方法，TLC NAND闪存每单元存储3比特数据具有高的存储密度，但是存储单元之间的干扰较为强烈降低了数据可靠性。为了保证数据可靠性，具有强纠错能力的LDPC码被采用，然而LDPC码具有高的译码复杂度，当采用没有被优化的LDPC码会造成译码性能的下降。因此，为了提高LDPC译码性能，本发明首先分析了TLC NAND闪存的错误模式，然后将错误模式转化为LDPC译码所需要的外部信息，该外部信息被融入到LDPC的译码过程，以此提升LDPC的译码性能进而降低译码延迟。
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公开(公告)号：CN104850358B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510275683.6
申请日：2015-05-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种磁光电混合存储系统，该系统包括内存、固态盘存储区、磁盘存储区和光盘存储区。上述三个存储区区域在逻辑上构成统一的存储空间，维护一个全局文件地址映射表，使得用户或者外部程序能够以统一一致性的方式进行数据寻址和存取。当存储数据时，该系统存储管理区根据数据的存取行为，自动在上述三个存储区选择合适的物理存储位置和数据组织方式。当存取模式发生变化时，存储管理区动态地选择合适的物理存储位置和数据组织方式，并进行必要的数据迁移，整个过程对于外部用户是完全透明的。本发明解决了现有存储系统的一些问题，合理利用三种存储设备的存储特征，提高了数据的存储效率和资源利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107395214A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710563434.6
申请日：2017-07-12
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H03M13/1111 , G06F11/1012 , G06F11/1068
Abstract: 本发明公开了一种基于闪存页错误特性降低LDPC译码延迟的方法，随着MLC NAND闪存制成工艺的提升，存储单元的尺寸越来越小单元之间的耦合干扰变得更加强烈，引起高的比特错误率，高的比特错误率严重影响着数据的可靠性。具有强纠错能力的LDPC码被广泛使用以保证数据可靠性。然而，当采用LDPC码时，MLC NAND闪存的MSB页和LSB页有着不平衡的译码延迟，LSB页的译码延迟高于MSB页的译码延迟由于LSB页有着较高的比特错误率，造成差的MLC闪存读性能。本发明根据MSB页的译码结果和保存错误模式为LSB页译码提供有利信息用以降低LSB页的译码延迟，从而缩小这两个页之间译码延迟的差距以提高MLC闪存读性能。
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公开(公告)号：CN107391035A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710558725.6
申请日：2017-07-11
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G06F3/0616 , G06F3/064 , G06F3/0656 , G06F3/0679 , G06F11/1068
Abstract: 本发明公开了一种通过编程错误感知降低固态盘磨损的方法，属于计算机存储领域。随着固态盘存储密度的提升，固态盘的耐久性降低。磨损均衡方法被用于提高固态盘的耐久性，传统方法采用编程/擦写次数和位错误率作为优化指标，但是固态盘中同一闪存芯片的不同块在耐久性方面具有较大的差别,因此采用这种对固态盘物理特性不加区分的磨损均衡方法不能精准的预测固态盘闪存块的状态。为了适应固态盘自身的物理特性,我们采用编程错误率作为优化指标，使编程错误率能均匀的分布在不同闪存块，进而避免不均衡的擦除操作。本发明所述通过编程错误感知降低固态盘磨损的方法可以有效地延长固态盘使用寿命，提高固态盘的耐久性。
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公开(公告)号：CN104714758B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201510025251.X
申请日：2015-01-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于校验RAID加入镜像结构的阵列构建方法及读写系统；所述阵列构建方法包括地址布局、数据布局、数据存取和数据重构四个步骤；所述读写系统包括I/O模块、镜像管理模块、地址变换模块和基于校验RAID模块；本发明在基于校验RAID的基础上加入镜像结构，提高了阵列的I/O性能；利用镜像数据重构缩短重构时间；新颖的地址布局方式将原始数据与镜像数据尽可能的放在邻近的位置，缩短了磁头移动的距离；在后台更新校验信息，缓解基于校验RAID的写放大问题，提高阵列的写性能；由于镜像数据的存在，提高了阵列的容错能力，因此在阵列的可用性和可靠性方面有很大的改善。
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公开(公告)号：CN104298023B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410576828.1
申请日：2014-10-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G02F1/29 , G01J3/12
Abstract: 本发明公开了一种双路电压信号驱控的面阵电控液晶光发散微透镜芯片，包括电控液晶散光微透镜阵列、第一驱控信号输入端口和第二驱控信号输入端口，面阵电控液晶散光微透镜为m×n元，其中，m、n均为大于1的整数，电控液晶散光微透镜阵列采用液晶夹层结构，且下上层之间顺次设置有第一基片、共地电极层、第一液晶定向层、液晶层、第二液晶定向层、顶面图案化电极层、顶层电极间绝缘层、顶面电极层、第二基片，共地电极层和顶面电极层分别固定在第一基片和第二基片上，顶面图案化电极由m×n个孔有序排布构成。本发明结构紧凑，通过独立加载双路驱控信号快速构建微光孔阵光场并可对其作进一步精细修形，易与常规光学光电机械结构耦合，环境适应性好。
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公开(公告)号：CN104330931B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410615813.1
申请日：2014-11-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G02F1/29 , G01J3/12
Abstract: 本发明公开了一种红外液晶相控阵芯片。该芯片包括电控液晶调相微柱阵列；其包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的液晶初始取向层、电隔离层、图形化电极层、基片和红外增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的液晶初始取向层、电隔离层、公共电极层、基片和红外增透膜；图形化电极层由阵列分布的子电极构成，每个子电极均由正方形或长方形导电膜构成；电控液晶调相微柱阵列被划分成阵列分布的电控液晶调相微柱，其与子电极一一对应，单个子电极的面积与对应的电控液晶调相微柱的光接收面积的比值为50％～95％。该芯片能实现电控扩束、缩束、散束、聚束、束调向以及束扫描等功能，易与其它红外光学光电机械结构耦合，光场适应性好。
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