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公开(公告)号：CN101777388B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010022600.X
申请日：2010-01-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法，该方法为利用不同的电压对相变存储器进行Reset操作，然后进行Set操作，测得Reset操作的电压-电阻曲线，Set操作的电压-电流曲线，和Set态的电流-电压曲线，并根据相变存储器的电阻-电压-电流关系方程最终获得晶化率的值。本发明在相变电阻被电流或电压加热发生相变时，其相变区电阻晶化率进行计算，并通过对相变区电阻晶化率的计算确定加热电流或电压与加热时间的关系；本发明还可以为相变过程中阻值的变化提供理论指导，同时为多值存储的研究提供了一种解决方案。
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公开(公告)号：CN102280994A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010198187.2
申请日：2010-06-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M1/36
Abstract: 本发明公开了一种利用脉频和脉宽调制的软启动电路及软启动方法，该电路包括脉宽调制电流源电路，脉频调制电流源电路，振荡器电路，时序控制电路，采样反馈电路；所述脉宽调制电流源电路用以控制所述振荡器电路输出脉冲的占空比；所述脉频调制电流源电路用以控制所述振荡器电路输出脉冲的频率；所述振荡器电路用以产生脉宽和频率都逐步扩大的脉冲，进而控制时序控制电路；所述时序控制电路用以分别调控所述脉宽调制电流源电路和脉频调制电流源电路；所述采样反馈电路用以采样系统的负载状况，进而使系统选择脉宽调制或脉频调制的工作方式。本发明既可以起到软启动的作用，又可以在系统运行中根据负载的轻重选择脉频调制或脉宽调制的工作方式。
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公开(公告)号：CN102013271A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910195367.2
申请日：2009-09-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种相变存储器快速读取装置，其包括待读相变存储单元、充电电路、过冲恢复率检测电路、灵敏放大器电路以及参考电平或参考存储单元。一方面，相变存储单元(在电路上可抽象为电阻)与位线的寄生电容构成RC回路；另一方面，选通MOS管在开关瞬间由饱和区进入线性区，从而会造成过冲现象。不同状态的相变电阻，其过冲之后的恢复速率是不一样的。本方法通过读取过冲以后位线电平的恢复速率，快速的读取相变存储单元的状态，从而加快存储器整体读取速率。另外，快速的读取有助于避免读取操作对相变单元的破坏，达到降低读干扰的目的。
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公开(公告)号：CN101950190A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010225702.1
申请日：2010-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F1/10
Abstract: 本发明提供一种用于升压电路中的N阱电位控制电路，其包括：采用MOS管和电流源构成且用于比较升压电路接入的输入电源Vin和输出的电压Vout的比较电路；分别接入输入电源Vin和电压Vout且输出互连以便与升压电路中的N阱连接的输入电源选择管和输出电压选择管；连接在所述比较电路输出端以便在输入电源选择管导通时能向所述输出电压选择管提供不低于Vout的关断信号的第一控制电路；以及与所述比较电路输出端及升压电路的输出端以便在输出电压选择管导通时能向所述输入电源选择管提供不低于Vin的关断信号的第二控制电路，由此可在输入电源电压低于升压电路的输出电压时，完全关闭输入电源选择管，进而有效降低功耗，增加电路的稳定性，并减小芯片面积。
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公开(公告)号：CN101923901A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010172859.2
申请日：2010-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C16/10
Abstract: 本发明公开了一种相变存储器编程驱动系统及驱动方法，该系统包括逻辑控制电路，以及分别与逻辑控制电路相连的编程脉冲上升沿控制器、编程脉冲保持时间控制器、编程脉冲下降沿控制器、编程脉冲发生电路；所述逻辑控制电路用以控制编程过程中编程脉冲电流的上升沿阶段、保持阶段、下降沿阶段的切换；所述编程脉冲上升沿控制器用以控制编程脉冲电流的上升沿级数以及时间；所述编程脉冲保持时间控制器用以控制编程脉冲电流保持稳定值的时间长度；所述编程脉冲下降沿控制器用以控制编程脉冲电流下降沿级数以及时间；所述编程脉冲发生电路用以生成编程脉冲电流。本发明可以对编程脉冲电流的上升时间，保持时间，以及下降时间进行独立的调整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101795134A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010127286.1
申请日：2010-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明涉及一种降低CMOS瞬态功耗的电路，包括由PMOS晶体管与NMOS晶体管连接构成的CMOS门电路，所述PMOS晶体管的源极接入电源电平；在该门电路上拉网络的PMOS晶体管的基极与电源之间，接入一个隔离器件，使得该基极与电源端隔离。同时对该基极增加稳压器件，使得该基极电压值保持一定范围内的恒定。由此，在门电路输入信号进行切换的过程中，不会引起由电源经过基极到输入端的馈通电流，从而降低了CMOS集成电路的瞬态功耗，又由于存在稳压器件，保证了基极电位始终不变，不会影响逻辑门电路操作。
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公开(公告)号：CN101770807A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910247484.9
申请日：2009-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0083
Abstract: 本发明揭示了一种相变存储器的写优化电路及其写优化方法，写优化电路包括写优化控制电路、脉冲控制电路、可变电流源电路、数据读出电路、修调电路、振荡器电路、相变存储器电路；在存储器上电初始化阶段，存储器的译码控制电路选择一个存储器块，对其中一个存储单元在脉冲控制电路和修调电路的控制下，控制可变电流源电路进行写Reset操作，操作结果由数据读出电路读出；数据读出电路的读出结果一方面控制写优化控制电路的状态，控制脉冲控制电路是否还要发写脉冲；另一方面控制修调电路是否要对电流源进行修调，修调后该存储器块的写Reset电流则固定下来。本发明通过可变电流源电路调节存储器的电流，优化写Reset电流，在很大程度上减小系统的功耗。
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公开(公告)号：CN101552603A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910050914.8
申请日：2009-05-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K19/0175 , G11C11/4063 , G11C11/413 , G11C13/00 , G11C16/06
Abstract: 一种相变存储单元的读写驱动电路，其包括：用于提供待读写的相变存储单元所需电流的电流源电路；用于将电流源电路所提供的电流转换为多路镜像电流的镜像电路；与多个脉冲信号输入端相连接且用于根据待读写的相变存储单元当前所要进行的操作选择相应输入的脉冲信号的脉冲选择电路；用于根据所选择的脉冲信号选取所述镜像电路输出的一路镜像电流，并将其输出至待读写的相变存储单元的电流控制电路；与写信号输入端相连接且用于监视写入的数据是否正确的写监视电路；用于根据待读写的相变存储单元的电流确定所述待读写的相变存储单元的电压降，进而确定所述待读写的相变存储单元所存储的数据的读数据电路，由此实现对相变存储单元的读写驱动。
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公开(公告)号：CN209843258U
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201920990164.1
申请日：2019-06-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本实用新型提供一种非易失存储器灵敏放大器及相变存储器，包括：控制模块，产生第一控制信号及第二控制信号；低功耗模块，在外部使能信号失效时关闭比较模块；第一读取电压模块，在外部使能信号起效时读取被选中存储单元的读取电流并转化为第一读取电压；比较模块，接收第一读参考电压，在外部使能信号起效时将第一读取电压与第一读参考电压比较进而得到读出电压信号；低功耗匹配模块连接寄生匹配模块，用于对低功耗模块进行电压匹配，抵消比较模块中晶体管栅极的寄生效应。本实用新型的低功耗匹配模块拓扑结构、尺寸都与低功耗模块相同，寄生匹配模块中晶体管源、漏电压与比较模块中相同，因此对寄生电容的充电时间也相同，提高了读取速度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206948183U
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201720792343.5
申请日：2017-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M3/156 , G01R19/175
Abstract: 本实用新型提供一种开关电源电感的电流过零检测电路，包括：分别获取充磁电压的采样电流及退磁电压的采样电流的第一及第二电流采样模块；产生与充磁电压和占空比导通时间之积成正比的第一检测电压的第一检测电压产生模块；产生与充磁电压和占空比导通时间之积成正比的第一电压及与退磁电压和占空比截止时间之积成正比的第二电压的第二检测电压产生模块；检测电流过零点及死区的死区脉冲产生电路。本实用新型通过伏秒平衡原理间接取样电感电流过零信号，避免了对小信号的处理，形成控制电路，解决了电流倒灌问题；同时省去系统上的取样电阻；既提高系统的效率，又简化了电源系统的系统方案，提高产品的竞争力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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