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公开(公告)号：CN114551272A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011297719.8
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种管线连接组件、管线组件及连接方法、半导体设备，属于半导体制造技术领域，用以解决现有技术中管线之间连接结构复杂、费时费力或多根管线整体长度较长的问题。上述管线连接组件包括与管线一端套合的定心件以及设于定心件与管线之间的连接件；连接件包括连接槽以及位于连接槽里端的连接凸起，连接槽相对于定心的轴线倾斜设置；上述定心件开设通孔，通孔的两端设有密封环，密封环的外径与对应的管线的内径相等。本发明的管线连接组件、管线组件及连接方法、半导体设备可用于半导体器件的制备。
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公开(公告)号：CN114551204A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011341064.X
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及一种用于控制晶片边缘关键尺寸的系统及方法，属于半导体制造技术领域，解决了现有技术中无法有效控制晶片边缘的关键尺寸，导致晶片边缘的关键尺寸不均匀，无法得到期望的晶片轮廓的问题。该用于控制晶片边缘关键尺寸的系统包括顶盘、内电极、外电极、用于放置晶片的静电卡盘、用于保护晶片边缘的边缘环、第一进气系统和第二进气系统；第一进气系统包括贯通顶盘和外电极的第一气孔，第一气孔用于向晶片的边缘供气；第二进气系统包括贯通顶盘和内电极的第二气孔，第二气孔用于向晶片的中心供气。本发明实现了对晶片特定点的末端边缘关键尺寸的精密控制。
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公开(公告)号：CN114551202A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011338932.9
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种静电卡盘、处理腔室及半导体处理设备，涉及半导体技术领域，用于在等离子体刻蚀或沉积工艺中，维持晶圆对等离子体反应的恒定温度，提升晶圆的良率。所述静电卡盘包括：静电卡盘本体、静电吸附部和冷却激光器。静电卡盘本体具有容纳腔。静电吸附部位于静电卡盘本体靠近晶圆的表面上，用于固定晶圆。冷却激光器设置在容纳腔内，用于向静电吸附部发射冷却激光，以冷却固定在静电吸附部上的晶圆。所述静电卡盘可以用于半导体处理设备中。
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公开(公告)号：CN114521031A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011299218.3
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种加热片及其制造方法、加热带及半导体制造设备，涉及半导体设备技术领域，以解决加热带中加热线偏移预设位置造成的短路以及发热不均匀的问题。所述加热片包括：第一绝缘薄膜、沉积形成在第一绝缘薄膜上的电热线结构以及第二绝缘薄膜；第二绝缘薄膜形成在第一绝缘薄膜上，用于至少将电热线结构中的间隙进行填充。
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公开(公告)号：CN114520159A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011293361.1
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种检测晶圆偏置的系统、工艺腔室及检测方法，属于半导体制造技术领域，解决了现有的半导体制造设备中并无检测晶圆是否偏置的装置，导致产品良率低的问题。该检测晶圆偏置的系统包括卡盘、感应部件、控制系统以及数据采集和处理系统，感应部件设于卡盘的背面边缘处，感应部件的数量为多个。检出方法包括将晶圆置于卡盘上；感应部件感应数据；数据采集和处理系统采集数据，并与放置晶圆前的数据进行比较；如果需要调整晶圆的位置，则向控制系统发送指令，控制系统调整晶圆的位置；如果不需要调整晶圆的位置，则进行后续处理工艺。本发明实现了准确、高效、方便地检测出晶圆是否偏置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114497036A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011256680.5
申请日：2020-11-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明涉及一种晶体管及其制造方法和DRAM器件，属于半导体技术领域，解决了现有鳍高度增加导致存储器结构的厚度增加，进而短沟道效应改善会受限制的问题。晶体管包括：半导体衬底；鳍片，位于所述半导体衬底上，其中，所述鳍片包括两端的源/漏区，以及夹置于所述源/漏区之间的至少两个沟道区；STI，位于所述半导体衬底上，且至少位于所述鳍片两侧，所述鳍片的顶部高于所述STI的顶部；栅堆叠，跨过所述沟道区与所述鳍片相交。多鳍状沟道区增加了沟道区与栅堆叠之间的接触面积，进而能够有效地改善短沟道效应。
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公开(公告)号：CN114496836A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011256787.X
申请日：2020-11-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种传送腔室的控温装置及方法，涉及半导体设备制造技术领域，用于解决晶圆在各工艺中的温度不相同，这导致晶圆进入下一个工艺时，其当前温度会对下一个工艺造成一定程度的负面影响的问题。装置包括：移动组件、控制组件和控温组件；移动组件设置在传送腔室中承载晶圆；控温组件设置在传送腔室底部，包括冷却区组件和加热区组件；控制组件用于检测晶圆表面温度及晶圆对应的待执行工艺；根据晶圆表面温度以及晶圆对应的待执行工艺，控制移动组件将晶圆移动到预设的位置，并生成相应的控温指令；在晶圆到达预设位置后，控制控温组件执行控温指令。本发明提供的技术方案能够提高工艺的整体效率。
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公开(公告)号：CN114496691A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011173116.7
申请日：2020-10-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种静电卡盘固定结构，涉及半导体制造技术领域，用于解决聚焦环可能会发生物理性偏移的问题。该静电卡盘固定结构由聚焦环和基底组成；所述基底工作侧上设置有第一连接部；所述聚焦环的环平面上设置第二连接部；所述聚焦环包覆静电卡盘的边缘；所述基底和所述聚焦环通过所述第一连接部与所述第二连接部卡合连接。本发明能够防止聚焦环在长时间工艺流片中发生物理性偏移，进而保证刻蚀后不会发生图形漂移，从而提高蚀刻过程中晶圆的良率。
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公开(公告)号：CN114496689A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011253983.1
申请日：2020-11-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/32 , H01L21/66 , G01B11/06
Abstract: 本发明涉及一种顶环被蚀刻量检测系统及方法、检测调整系统及方法，属于半导体刻蚀设备领域，解决了现有技术中刻蚀过程中顶环被等离子体蚀刻而引起晶圆边缘电场分布发生改变，从而使等离子体刻蚀方向发生改变造成刻蚀图案改变的问题。本发明公开了一种顶环被被蚀刻量检测系统，包括光学传感器，光学传感器包括发射器和接收器；发射器位于刻蚀区域的一侧，接收器位于刻蚀区域的另一侧；发射器发射检测光，接收器接收发射器发射的检测光；检测光穿过刻蚀区域，通过发射的检测光和接收的检测光的实时差值检测顶环被蚀刻量。实现了对顶环高度的实时检测和调整，确保最佳的工艺条件。
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公开(公告)号：CN114446862A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202011210490.X
申请日：2020-11-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种用于固定晶圆的压环组件以及晶圆处理室，属于半导体制造技术领域，用以解决现有技术中未固定的顶环和底环之间产生移动导致晶圆晶圆不良的问题。该压环组件包括底环以及设于底环上方的顶环，底环与顶环之间通过锁定件固定可拆卸连接。上述用于固定晶圆的压环组件以及晶圆处理室可用于晶圆加工。
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