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公开(公告)号：CN105634567B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201510971354.5
申请日：2015-12-21
Applicant: 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H04B7/0413 , G06F15/78
Abstract: 本发明公开了一种面向MIMO检测系统的可重构计算单元微结构及配置机制，相比于传统的计算单元微结构具有更高效的流水结构和更灵活的配置机制。整个计算单元微结构由多级流水级构成，每级流水级中的每个基本操作单元都有对应的配置位。通过精细化的配置控制每级流水级，实现多种不同的运算功能，既提高了系统吞吐率又具有很强的灵活性。
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公开(公告)号：CN107800434A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710902624.6
申请日：2017-09-29
Applicant: 东南大学 , 东南大学-无锡集成电路技术研究所
IPC: H03M1/10
CPC classification number: H03M1/1071 , H03M2201/657
Abstract: 本发明公开了一种基于参数提取的快速ADC测试方法，即利用静态码值，提取得到用来进行频谱分析的少量静态码值，经过增益误差消除处理后，通过频谱分析估算得到动态参数值；在参数提取测试算法基础之上，重新优化了ADC测试结构，即采用优化的直方图与参数提取测试算法相结合的测试架构；改进的直方图测试方法即利用移动平均滤波器法，通过使用与传统测试相比更少的采样点数得到同样精度的静态参数。与传统ADC测试方法相比，本发明所提ADC测试架构，即利用一次测试采集的静态码值，同时用于通过优化直方图方法计算静态参数和利用参数提取算法估算动态参数，能够在确保计算精度的前提下，大大优化测试时间。
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公开(公告)号：CN105630458B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201511019177.7
申请日：2015-12-29
Applicant: 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于人工神经网络的乱序处理器稳态下平均吞吐率的预测方法，借助指令集模拟器的全仿真环境获取目标程序执行阶段的微架构无关参数，再利用SOM和Kmeans算法提取出输入数据中的特征点，最后通过BP神经网络拟合微架构无关参数与稳态平均吞吐率的关系，训练出精度较高的模型。模型训练完成后，通过模拟器获得程序的微架构无关信息，导入到训练好的神经网络中，即可快速准确地预测实际稳态平均吞吐率值。本发明采用人工神经网络，极大地提高了乱序处理器稳态下平均吞吐率的预测精度和速度。
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公开(公告)号：CN107679010A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710854329.8
申请日：2017-09-20
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G06F15/78
CPC classification number: G06F15/7871
Abstract: 本发明公开了一种面向可重构计算阵列的算子映射系统及方法，包括计算流图优化模块、节点层次排序模块、节点编码模块、节点编码解释与评价模块、节点编码初始化模块、节点编码优化模块，计算流图优化模块用于对原始计算流图进行节点的组合优化；节点层次排序模块用于对节点进行分层性排序；节点编码初始化模块用于调用节点编码模块对节点进行编码，所有节点按照顺序排列的编码组成一条编码组；节点编码解释与评价模块用于输入一条编码组，输出该编码组对应的映射结果；节点编码优化模块用于对节点编码模块获得的节点的编码组进行优化，并记录历史最有价值的编码组作为最终的映射编码组。本发明能够在稳定可控的时间内获得满意的且稳定的映射效果。
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公开(公告)号：CN107483182A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710861279.6
申请日：2017-09-21
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明提出一种基于乱序执行的面向AES算法的抗功耗攻击方法，包括步骤：输入数据以组为单位缓存到输入部分随机输入先进先出队列中，部分随机输入先进先出队列以组为单位维持先进先出的顺序，通过动态地址加扰实现每组数据内部的输出顺序随机化；对输出的数据进行AES加密，同时通过动态地址恢复模块，保证每组加密后数据输出到部分随机输出先进先出队列时的顺序与输入到部分随机输入先进先出队列时一致。在每组数据之间，AES加密运算的数据具有随机性，有效的隐藏了AES密码算法中的功耗泄露，可以有效的抵抗功耗攻击。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107390767A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710650676.9
申请日：2017-08-02
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/26
Abstract: 一种具有温度补偿的宽温度全MOS电压基准源，设有启动电路、基准核心电路、由温度检测电路、温度逻辑开启电路和高低温温度补偿电路构成的温度补偿电路。启动电路向基准核心电路注入电流使其正常工作，基准核心电路基于阈值电压和热电压的一阶温度补偿原理，采用CMOS型自偏置电流产生电路产生电流并经过有源负载产生基准电压VREF，温度检测电路提取MOS器件的阈值电压进行温度检测，经温度补偿逻辑开启电路进行逻辑处理后输出给高低温温度补偿电路，高低温温度补偿电路针对对不同的工作温度范围进行补偿并将补偿结果反馈耦合到基准核心电路输出的基准电压中，实现宽温度工作条件下低温度系数和高电源抑制比的全MOS电压基准源。
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公开(公告)号：CN107204755A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710432878.6
申请日：2017-06-09
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K3/0231 , H03K3/012 , H03K3/011
Abstract: 一种高精度的自适应张弛振荡器，利用电容预充电原理抵消设于振荡电路中的充放电控制电路产生的延时，包括振荡电路、第一电容预充电电路和第二电容预充电电路，电容预充电电路用于给振荡器充放电电容预充电，振荡电路在电容预充电电路预充电电平的基础上进行充放电，电容两次充电产生的误差延时抵消，使振荡器工作在预设的频率上，实现显著提高频率‑控制电流线性度，且本发明不是直接通过提升比较器或者RS触发器的速度来减小延时，而是通过两次充电过程抵消控制电路产生的延时以及随外界环境变化的失调的影响，显著地提高了振荡器的精度，并且具有很强的温度稳定性和电源电压抑制即自适应性。
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公开(公告)号：CN107085132A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710351208.1
申请日：2017-05-18
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01R19/00 , H03K19/0185
Abstract: 一种正电压供电下的高精度负压检测电路，包括采样电压生成电路、带隙基准电压源、高精度电压比较器和输出驱动器，采样电压生成电路包括低压线性稳压管LDO和电阻分压网络，低压线性稳压管LDO稳定输出固定2.5V电压Vo与输入的负电压信号IN通过电阻分压得到正采样电压Vn，将Vn与带隙基准电压源产生的正基准电压Vref通过高精度电压比较器进行比较，Vn、Vref分别连接高精度电压比较器的负、正向输入端，比较结果通过输出驱动器输出对应的逻辑控制信号OUT，当输入信号IN为要检测的负电压信号时，输出驱动器输出逻辑高电平“1”，否则输出逻辑低电平“0”，实现了正电压供电下输入负电压信号的检测。
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公开(公告)号：CN106527575A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610919951.8
申请日：2016-10-21
Applicant: 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G06F1/06
CPC classification number: G06F1/06
Abstract: 本发明公开了一种基于活动相似度的触发器分组时钟门控方法，包括以下步骤：基于数字信号处理芯片内核典型工作模式下的门级仿真，得到各个触发器在典型工作模式下的活动性向量，通过统计处理触发器的活动性向量得到触发器的翻转率、触发器间的相关性；使用布局工具进行初步布局，获得数字信号处理芯片内核中触发器在布局中的初始位置；利用翻转率信息与触发器位置数据，实现触发器的分组；利用触发器分组信息，采用异或门自门控的方法实现时钟门控；对产生的新网表做新的布局，并实现时钟树综合与功耗仿真验证。本发明实现了DSP内核的触发器分组时钟门控，可有效的提高时钟的可门控周期，从而降低动态功耗。
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公开(公告)号：CN106100589A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610403488.1
申请日：2016-06-08
Applicant: 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03D7/16
CPC classification number: H03D7/16
Abstract: 本发明公开了一种单转双窄带无源混频器，包括依次连接的跨导级、本振开关以及跨阻放大器，所述跨导级在NMOS跨导管的上下分别串联PMOS电流源和NMOS电流源，所述跨导级利用无源混频开关的阻抗变化作用，在本振频率处拉低跨导级的输出阻抗并构造近似交流虚地，输入电压的变化将引起NMOS跨导管电流变化，而NMOS跨导管产生的射频电流均注入本振开关，其源极和漏极电流大小相等，相位相反；所述跨阻放大器根据饱和区MOS管从源端和漏端看进去阻抗具有显著差别的特性，对输出阻抗和输入阻抗采用跨导增强技术减少输入阻抗并提高输出阻抗。本发明的混频器使用单路偏置电流实现了双路差分电流输出的效果，显著降低了功耗。
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