公开(公告)号：CN1849748B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200480025681.1

申请日：2004-08-25

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： T·G·托勒 ,  T·迪尔鲍姆 ,  G·绍尔莱恩德 ,  T·洛佩斯

IPC: H03K17/0412

CPC classification number: H03K17/04163 ,  H03K17/04123 ,  H03K2217/0036

Abstract: 谐振栅驱动电路提供了例如MOSFET的有效开关。然而，谐振栅驱动电路的操作常常不允许其中需要高的开关频率的应用。根据本发明，执行谐振栅驱动电路的电感的预充电。这允许高度有效的和快速的MOSFET的操作。

公开(公告)号：CN118157676A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410323629.3

申请日：2017-09-12

Applicant: 美国亚德诺半导体公司

Inventor： L·A·辛格 ,  S·德瓦拉简

IPC: H03M1/12 ,  H03K17/06 ,  H03K17/0412 ,  H03K19/0185 ,  H03K17/00 ,  H03K17/042 ,  H03K19/017 ,  H03M1/06 ,  H03M1/18

Abstract: 本公开涉及自举开关电路。无线通信接收器的趋势是捕获越来越多的带宽来支持更高的吞吐量，并且直接对射频(RF)信号进行取样，以能够重新配置并且降低成本。如同仪器仪表的其他应用也需要有将宽带RF信号数字化的能力。这些应用受益于使用高速、宽带宽RF信号的、能表现优异的输入电路。输入缓冲器和自举开关被设计用于维护这些应用，并且可在28nm互补金属氧化物(CMOS)技术中实现。

公开(公告)号：CN118044119A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280066423.6

申请日：2022-09-27

Applicant: 派赛公司

Inventor： 拉文德拉纳特·D·什里瓦斯塔瓦 ,  阿尔佩尔·根茨

IPC: H03K17/0412 ,  H03K17/687

Abstract: FET开关堆叠具有：FET开关的堆叠布置、具有阶梯电阻器的栅极电阻器网络和公共栅极电阻器、以及栅极电阻器旁路布置。旁路布置具有连接在栅极电阻器两端的第一组旁路开关和连接在阶梯电阻器两端的第二组旁路开关。旁路在FET开关的堆叠布置的转变状态的至少部分期间发生。

公开(公告)号：CN110359015B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201910721551.X

申请日：2019-08-06

Applicant: 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司

Inventor： 赵平 ,  胡淳 ,  廖良生 ,  赵鹏鹏

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  H03K17/0412 ,  H03K17/60 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明公开了一种自动切换电路、蒸镀装置及蒸镀控制方法，该自动切换电路包括：n个级联的子电路，子电路包括切换模块和转换模块，通过转换模块的输入端接收信号采集模块获取的信号值，并根据信号值产生控制信号后通过其输出端输出至切换模块的控制端，切换模块根据控制信号选择导通同级子电路的级联输出端与上一级的级联接收端构成的第一支路或同级子电路的级联接收端与下一级子电路的级联输出端构成的第二支路，即切换模块根据控制信号自动的切换子电路。本发明实施例提供的自动切换电路可以自动切换子电路，节约切换时间，提高切换效率。

公开(公告)号：CN113491049A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202080016209.0

申请日：2020-02-24

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： M·V·迪纳

IPC: H02H3/20 ,  H03K17/0412

Abstract: 开关电路(108)包括：功率晶体管(110)，其具有耦接到电源端子(104)的源极、耦接到输出端子(106)的漏极以及栅极(131)；双极晶体管(130)，其具有耦接到电源端子(104)的集电极、耦接到功率晶体管(110)的栅极(131)的发射极以及基极(132)；偏置电路(133)，其用于控制双极晶体管(130)的发射极电流；和电阻器(138)，其耦接在电源端子(104)和基极(132)之间。控制电路(139)响应于控制输入端(128)处于第一状态而在电流输入端接收电流以接通双极晶体管(130)，并且响应于控制输入端(128)处于不同的第二状态而停止在电流输入端接收电流以降低功率晶体管(110)的栅极‑源极电压。

公开(公告)号：CN112640307A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980057092.8

申请日：2019-08-20

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： H-G·埃克尔 ,  简·富尔曼 ,  费利克斯·凯泽 ,  陈光天

IPC: H03K17/0812 ,  H03K17/0412 ,  H03K17/04

Abstract: 本发明涉及一种用于运行IGBT(1、2)的方法，其中，确定对于IGBT(1、2)的运行来说所要求的最大的稳定阻断电压；确定第一迁移电荷，其在IGBT(1、2)的栅极(5)处的迁移引起电场强度，该电场强度能够实现IGBT(1、2)在稳定的阻断时能够接收最大的稳定阻断电压；确定第二迁移电荷，其在栅极(5)处的迁移引起电场强度，该电场强度导致动态雪崩，并且在电荷迁移持续时间(T3)期间在关断IGBT(1、2)时从栅极(5)迁移出迁移电荷，其大于第一迁移电荷并且小于第二迁移电荷。

公开(公告)号：CN111865277A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010832205.1

申请日：2020-08-18

Applicant: 成都天锐星通科技有限公司

Inventor： 李绍飞 ,  陈智慧 ,  罗烜 ,  郭凡玉

IPC: H03K17/0412 ,  H03K17/687

Abstract: 本申请提出一种供电开关电路及用电设备。供电开关电路包括NMOS晶体管、控制模块、充放电模块、开关电源以及负载；控制模块用于向充放电模块输出指示电压；充放电模块用于指示电压为高电平时，使开关电源与晶体管的栅极导通，以将晶体管的漏极和晶体管的源极切换为导通状态；指示电压为低电平时，使第四端与晶体管的栅极导通，以将晶体管的漏极和晶体管的源极切换为断开状态。通过充放电模块第三端输出高低电平的切换，以实现对晶体管开断状态的切换，从而实现整个电路开关的控制。相对于现有方案，NMOS晶体管开关频率更高，处于半导通时间短，产生的热量小，开关元件的开关损耗更低。

公开(公告)号：CN106027014B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201610580393.7

申请日：2012-05-11

Applicant: 意法半导体研发(深圳)有限公司

Inventor： 王蒙 ,  黄涛涛

IPC: H03K17/687 ,  H03K17/0412 ,  H02M3/158

Abstract: 本发明的一些实施例提供了用于功率驱动器电路应用的电流斜率控制方法和装置。一种低侧驱动器，包括在低侧电压节点处与第二晶体管串联耦合的第一晶体管。电容被配置成存储电压，而电压缓冲器电路具有耦合成接收由所述电容存储的电压的输入以及耦合成利用存储的电压驱动第二晶体管的控制节点的输出。电流源通过开关向电容以及电压缓冲器电路的输入供应电流。开关被配置成由使能信号激励，以从第一电流源向所述电容发源电流，并且促使存储的电压的步进增加。所存储的电压由缓冲器电路施加给第二晶体管的控制节点。

公开(公告)号：CN109245737A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201811228739.2

申请日：2018-10-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐建 ,  杜健昌 ,  陈曦 ,  王志功 ,  刘轩

IPC: H03F3/217 ,  H03F3/19 ,  H03F1/02 ,  H03K17/0412

Abstract: 本发明公开了一种动态体偏置E类功率放大器，包括：MOS开关管、射频扼流圈、开关充放电电容、匹配电感、LC串联谐振匹配电路、负载电阻，其中MOS开关管的栅极连接输入开关信号，体电位极接入体偏置信号，及MOS开关管的漏极分别连接射频扼流圈、匹配电感的一端；匹配电感的另一端与LC串联谐振匹配电路、负载电阻依次串联后接地；所述MOS开关管的源极接地且开关充放电电容并联于MOS开关管的漏极和源极之间；所述MOS开关管根据输入开关信号控制MOS开关管的开启或闭合，根据输入的体偏置信号控制体电位极，以实现对阈值电压的动态调整控制。本发明可减少MOS开关在导通状态的导通电阻和关断状态的漏电流，可有效提高E类功放的输出功率和效率。

公开(公告)号：CN104620504B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201380022790.7

申请日：2013-04-23

Applicant: 大陆泰密克微电子有限责任公司

Inventor： M·里德

IPC: H03K17/691 ,  H03K17/0412 ,  H03K17/06

CPC classification number: H03K17/0406 ,  H02M7/217 ,  H03K17/04123 ,  H03K17/04163 ,  H03K17/063 ,  H03K17/691 ,  H03K2017/066

Abstract: 公开了一种用于操控具有第一电极(3)、第二电极(4)和控制电极(5)的半导体开关元件(2、2’)的电路装置(1)，其中电路装置(1)包括：‑脉冲发生器，其用于产生控制电压输入信号(7、7’)，‑偏压电容器(8)，‑第一电阻(9)，其中该第一电阻(9)和偏压电容器(8)在脉冲发生器的第一连接端子(10)与该脉冲发生器的第二连接端子(11)之间电串联，控制电极(5)与偏压电容器(8)和第一电阻(9)电连接，并且第一电极(3)与脉冲发生器和第一电阻(9)电连接，以及‑另外的电容器(17)，其与脉冲发生器、第一电阻(9)和偏压电容器(8)串联。